4. Магнетронное распыление (Ответы на экзаменационные вопросы)
Описание файла
Файл "4. Магнетронное распыление" внутри архива находится в папке "Ответы на экзаменационные вопросы". Документ из архива "Ответы на экзаменационные вопросы", который расположен в категории "". Всё это находится в предмете "технология и оборудование микро и наноэлектроники" из 5 семестр, которые можно найти в файловом архиве МГТУ им. Н.Э.Баумана. Не смотря на прямую связь этого архива с МГТУ им. Н.Э.Баумана, его также можно найти и в других разделах. Архив можно найти в разделе "к экзамену/зачёту", в предмете "технология и оборудование микро и наноэлектроники" в общих файлах.
Онлайн просмотр документа "4. Магнетронное распыление"
Текст из документа "4. Магнетронное распыление"
К недостаткам МРС относятся.
-
сравнительно невысокий коэффициент использования материала мишени (около 25% для плоской мишени) и необходимость для его увеличения усложнения формы мишени или конструкции магнитной системы;
-
сравнительно невысокая однородность осаждаемой пленки по толщине на неподвижную подложку за счет распыления материала из узкой зоны эрозии мишени, имеющей форму кольца или эллипса в виде V - образной канавки; повышение равномерности пленки требует или возвратно-поступательного движения, или сложного перемещение магнитной системы;
-
наличие потока высокоэнергетических электронов создающих основную тепловую нагрузку на подложку (до 60%), что требует изоляции подложкодержателя и установки перед ним дополнительного анода;
-
наличие потока отраженных нейтрализованных ионов аргона с энергией в несколько сот электронвольт, требующее их термализации (уменьшения их энергии до тепловой ), когда осаждение пленок производится на тонкие радиационно-чувствительные слои, что обычно достигается выбором давления и расстояния мишень - подложка;
-
сравнительно высокое давление рабочего газа (аргона) (0,3 - 1,5 Па) требующее его эффектной очистки для устранения загрязнения пленок.
Достоинства
-
низкие температуры проведения процессов осаждения;
-
сохранение стехиометрии сложных соединений и сплавов;
-
простота автоматизации и интеграции с процессом ионной очистки поверхности подложки;
-
длительный ресурс мишеней;
-
лучшая адгезия пленок;
-
упрощение и удешевление систем обеспечения высокой однородности пленок по толщине на подложках большого диаметра, и в случае реализации его в магнетронных распылительных системах (МРС) не уступает термо-вакуумному по скорости осаждения.