13. Prichiny_obrazovania_pogreshnosti_razmer ov_mi (Ответы на экзаменационные вопросы)
Описание файла
Файл "13. Prichiny_obrazovania_pogreshnosti_razmerov_mi" внутри архива находится в папке "Ответы на экзаменационные вопросы". Документ из архива "Ответы на экзаменационные вопросы", который расположен в категории "". Всё это находится в предмете "технология и оборудование микро и наноэлектроники" из 5 семестр, которые можно найти в файловом архиве МГТУ им. Н.Э.Баумана. Не смотря на прямую связь этого архива с МГТУ им. Н.Э.Баумана, его также можно найти и в других разделах. Архив можно найти в разделе "к экзамену/зачёту", в предмете "технология и оборудование микро и наноэлектроники" в общих файлах.
Онлайн просмотр документа "13. Prichiny_obrazovania_pogreshnosti_razmer ov_mi"
Текст из документа "13. Prichiny_obrazovania_pogreshnosti_razmer ov_mi"
1 3. Причины образования погрешности размеров микроструктур при ионно-плазменном, ионно-химическом и плазмо-химическом методах травления
Погрешность травления, т.е. отклонение получаемых размеров от размеров маски, зависит от показателей изотропности травления. Строгая направленность обработки ускоренными частицами способствует уменьшению погрешности размеров благодаря преимущественному травлению перпендикулярно поверхности (Рис.27 а). Травление электрически нейтральными частицами, не имеющими преимущественного направления движения, вызывает появление погрешности размеров обработки за счет изотропного травления как перпендикулярно поверхности, т.е. в глубь материала, так и параллельно ей, т.е. под маску (Рис.27 б).
При ионном травлении погрешность размеров обработки может появиться при неправильно выбранной толщине маски. Если толщина маски намного больше толщины вытравливаемого слоя, то распыляемые атомы осаждаются на боковые стенки маски и изменяют ее размеры (длину, ширину или диаметр окна). При этом соответствующие размеры обрабатываемого слоя уменьшаются. Если толщина маски меньше или равна толщине обрабатываемого слоя, то материал маски может стравиться быстрее, чем материал слоя и его размеры могут стать больше требуемых.
К материалам маски при ионном травлении предъявляются следующие требования: высокая разрешающая способность; термостойкость; минимальная скорость травления по отношению к скорости травления слоя.