12. Printsipialnaya_skhema_protsessa_plazmo-khimiche (Ответы на экзаменационные вопросы)
Описание файла
Файл "12. Printsipialnaya_skhema_protsessa_plazmo-khimiche" внутри архива находится в папке "Ответы на экзаменационные вопросы". Документ из архива "Ответы на экзаменационные вопросы", который расположен в категории "". Всё это находится в предмете "технология и оборудование микро и наноэлектроники" из 5 семестр, которые можно найти в файловом архиве МГТУ им. Н.Э.Баумана. Не смотря на прямую связь этого архива с МГТУ им. Н.Э.Баумана, его также можно найти и в других разделах. Архив можно найти в разделе "к экзамену/зачёту", в предмете "технология и оборудование микро и наноэлектроники" в общих файлах.
Онлайн просмотр документа "12. Printsipialnaya_skhema_protsessa_plazmo-khimiche"
Текст из документа "12. Printsipialnaya_skhema_protsessa_plazmo-khimiche"
12. Принципиальная схема процесса плазмо-химического травления, достоинства и недостатки
Схема вакуумной камеры диодного типа
| для плазмохимического травления |
| непосредственно в плазме |
| 1 — подача рабочего газа |
| 2 — вакуумная камера |
| 3 — электрод |
| 4 — откачной патрубок |
| 5 — пластина (подложка) |
| 6 — подложкодержатель |
| 7 — изоляционное покрытие |
С
хема вакуумной камеры для радикального плазмохимического травления
1 — кварцевая камера; 2 — перфорированный цилиндр; 3 — кассета с пластинами (подложками);4 — ВЧ-индуктор; 5 — подача рабочего газа; 6 — откачной патрубок
Преимущества:
- минимальные размеры структуры – порядка 2 мкм. Зазоры между электродами – до 1 мкм;
- полная независимость от ориентации кристалла;
- глубокое травление с большим аспектным отношением ширины структуры к её толщине.
- высокая скорость по сравнению с ионным травлением
- травление проводится при существенно меньших температурах (100–300 °С) по сравнению с обычным газовым травлением
Недостатки:
- дорогое оборудование, требуется высококвалифицированный персонал;
- повышенные требования к чистоте процесса;
- медленный многооперационный метод, требующий отладки процесса.
- наличие боковой скорости травления
- ограниченное количество соединений для получения в плазме химически активных частиц,
обеспечивающих образование летучих веществ
- сложность химических реакций, протекающих в плазме и на обрабатываемой поверхности
