Моё ДЗ про Дила Гроува (Готовые ДЗ по Цветкову)
Описание файла
Файл "Моё ДЗ про Дила Гроува" внутри архива находится в папке "Готовые ДЗ по Цветкову". Документ из архива "Готовые ДЗ по Цветкову", который расположен в категории "". Всё это находится в предмете "технология и оборудование микро и наноэлектроники" из 5 семестр, которые можно найти в файловом архиве МГТУ им. Н.Э.Баумана. Не смотря на прямую связь этого архива с МГТУ им. Н.Э.Баумана, его также можно найти и в других разделах. Архив можно найти в разделе "курсовые/домашние работы", в предмете "технология и оборудование микро и наноэлектроники" в общих файлах.
Онлайн просмотр документа "Моё ДЗ про Дила Гроува"
Текст из документа "Моё ДЗ про Дила Гроува"
Модель роста оксида Дила-Гроува (Deal-Grove)
Выводы предыдущего раздела позволяют рассмотреть в процессе термического окисления три потока молекул кислорода (рис. ).
1. Поток молекул из газовой среды к внешней поверхности пластины, на которой в начальной стадии происходит реакция (кислорода с кремнием), а затем – адсорбция кислорода на формирующемся оксиде - поток F1
2. Поток молекул, диффундирующих через оксид SiO2 к кремнию Si - поток F2
3. Поток молекул O2, вступающих в реакцию с Si на границе раздела SiO2 /Si - поток F3
В равновесных условиях три рассмотренных потока равны между собой, при этом скорость формирования оксида определяется самым медленным из них.
Поток F1 определяется разностью между максимальной и реальной поверхностной концентраций окислителя:
F1=h(C*-C0), где
C0 - поверхностная концентрация окислителя,
h - коэффициент переноса.
C*- максимальная концентрация окислителя в газе для данного значения давления P
Значение концентрации окислителя C0 зависит от температуры, скорости газового потока и растворимости окислителя в SiO2.
Для того чтобы определить скорость роста окисла, рассмотрим потоки окислителя в объеме окисла (F2) и на его границе с кремнием (F3).
Согласно закону Фика, поток через объем окисла определяется градиентом концентрации окислителя:
F2=-D(dC/dz)=D(C0-Ci)/z0, ( 1 )
где Ci - концентрация окислителя в молекулах на кубический сантиметр при z=z0,
D - коэффициент диффузии при данной температуре,
z0 - толщина окисла.
Величина потока (F3) на границе окисла с полупроводником зависит от постоянной K скорости поверхностной реакции и определяется как:
F3=kCi ( 2 )
При стационарных условиях эти потоки равны, так что F3 = F2 = F1 = F. Следовательно, приравняв соотношения ( 1 ) и ( 2 ), можно выразить
величины Ci и C0 через C*: