Крысанова (Готовые ДЗ по Цветкову)
Описание файла
Файл "Крысанова" внутри архива находится в папке "Готовые ДЗ по Цветкову". Документ из архива "Готовые ДЗ по Цветкову", который расположен в категории "". Всё это находится в предмете "технология и оборудование микро и наноэлектроники" из 5 семестр, которые можно найти в файловом архиве МГТУ им. Н.Э.Баумана. Не смотря на прямую связь этого архива с МГТУ им. Н.Э.Баумана, его также можно найти и в других разделах. Архив можно найти в разделе "курсовые/домашние работы", в предмете "технология и оборудование микро и наноэлектроники" в общих файлах.
Онлайн просмотр документа "Крысанова"
Текст из документа "Крысанова"
Крысанова (Салахетдинова) Наталья Вадимовна, МТ11-51
Микро- и нанотехнологии
1 модуль 2 раздел
Вопрос №1
-
На основе описания технологического маршрута изготовления чувствительного элемента кремниевого микродатчика и с учетом используемых при этом фотошаблонов проработать сечения формирующихся при этом микроструктур.
На видах сверху прорисовать топологии формируемых на каждом этапе элементов, выделив их разными цветами в соответствии с сечениями.
Формирование проводников p+ типа к пьезорезисторам.
Пластина тщательно очищается, затем термическим оксидированием формируется плен-ка из SiO2.
Проводится фотолитография.
Схема показана в сечении А-А ( см. 1 файл CorelDraw ).
-
Наносится слой фоторезиста
-
Проводится экспонирование фоторезиста через фотошаблон №1 и проявление
-
Через защитную фоторези-стивную маску проводится травление оксида, а затем через оксидную маску – диффузионное легирование бором для формирования p+ дорожек к будущим пьезорезисторам.
Формирование области n+ типа для контакта к эпитаксиальному слою
Проводится термическое оксидирование
Далее проводится фотолитография
Схема показана в сечении А-А ( см. 2 файл CorelDraw ).
-
Нанесение фоторезиста
-
Вскрытие окон по форме шаблона №2 сначала в фоторезисте, а затем в оксиде.
-
Затем вся поверхность кристалла подвергается диффузии фосфора для формирования n+ проводящих областей.
Формирование пьезорезисторов.
Проводится термическое оксидирование подложек.
Далее проводится фотолитография
Схема показана в сечении А-А ( см. 3 файл CorelDraw ).
-
Нанесение фоторезиста
-
Вскрытие окон по форме шаблона №3, травление оксида.
-
Диффузия бора для формирования пьезорезисторов р-типа проводимости
Формирование контактных окон
Производится термическое оксидирование подложек.
Далее проводится фотолитография
Схема показана в сечении А-А ( см. 4 файл CorelDraw ).
-
Нанесение фоторезиста
-
Вскрытие окон в фоторезисте по форме шаблона №4 и травление оксида
Металлизация и формирование контактных площадок
На рабочую поверхность подложки наносится тонкий слой алюминия, который является материалом межсоединений пьезорезисторов.
Далее проводится фотолитография
Схема показана в сечении А-А ( см. 5 файл CorelDraw ).
-
Нанесение фоторезиста
-
Вскрытие в фоторезисте окон по форме шаблона №5 и травление Al.
Вопрос №2
-
Получить выражение (3) в тексте лекций, дифференцируя (1) самым простым и лаконичным способом, полагая, что ΔR≈dR.
Вопрос №3
-
При описании выражения (4) использованы типичные для технической литературы обозначения для значений относительной продольной (Longitudinal ) и относительной поперечной (Traverse) деформации. В самом выражении (4) приведен связывающий эти деформации коэффициент Пуассона. Однако, при удлинении тела (положительное приращение длины) его сечение уменьшается (отрицательное приращение площади). Поэтому встает вопрос о знаке (плюс – минус) в выражении (4). Учтите это обстоятельство при выводе выражения (5).
Вопрос №4
-
Бонус. Контактные площадки к пьезорезисторам выполнены в виде ячеистой структуры. Почему?