Выращивание кристаллов, страница 6

11.1.1.5. Метод горизонтально направленной кристаллизации (метод Багдасарова)

Метод горизонтально направленной кристаллизации, схематично показанный на рис. 11.1.7, заключается в следующем: в контейнер, имеющий форму лодочки, загружают шихту (в виде порошка, кристал­лического боя или керамики) расплавляют ее и путем перемещения контейнера сквозь зону нагрева, закристаллизовывают.

Р
ис. 11.1.7. Схема метода горизонтально направленной кристалли­зации 1- затравка; 2 - кристалл; 3 - расплав; 4 - контейнер; 5— нагреватель

Для получения строго ориентированного кристалла в вершину лодочки устанавливают затравку и визуально наблюдает как за моментом затравления, так и за формой фронта кристаллизации в процессе вы­ращивания монокристалла, так как в данном методе высота расплава много меньше среднего радиуса поверхности расплава, то возникают условия эффективного удаления примесей из расплава за счет испа­рения.

Для данного метода, характеризуемого изменяющейся величиной зеркала расплава, эффективный коэффициент распре­деления К с учетом испарения будет иметь вид

С=С₀K(1-x)^K-1 (1-δ₂ l₀ /h₀ x) φ/γ-1 (11.1.15)

где h₀ - первоначальная высота расплава в прямоугольной лодоч­ке; l₀ - первоначальная длина расплава.

Открытая поверхность расплава, однако, позволяет вводить в расплав активирующую примесь на любом этапе выращивания моно­кристалла. Этот метод также позволяет проводить многократную пе­рекристаллизацию вещества. Кроме того, имеется возможность выращивать монокристаллы различных геометрических форм и осущест­влять непрерывный процесс выращивания кристаллов путем направлен­ного перемещения серии контейнеров через зону кристаллизации. При реализации данного метода технически просто создать малоградиент­ное температурное поле, что обеспечивает выращивание ненапряжен­ных монокристаллов таких крупных размеров, которые другими спо­собами получить практически невозможно. В этом методе градиент температуры на фронте роста характеризуется тремя его составляю­щими: осевой G°, горизонтальной G^г и вертикальной G^в (рис. 11.1.8). На рис. 11.1.9 приведены результаты расчета осевого распределения температуры в контейнере, заполненном веществом.

Р
ис. 11.1.8 Схема составляющих градиентов температуры

Р
ис. 11.1.9 Распределение температуры: 2 - на нагревателе; 2 - в расплаве

Видно, что температура в расплаве и кристалле может иметь нелинейное распределение. Тепловые потоки у верхней поверхности могут суще­ственно отличаться от тепловых потоков у нижней поверхности, по­скольку платформа, на которую устанавливают контейнер, играет роль теплового экрана. На фронте кристаллизации тепловой, поток имеет максимальное значение за счет выделяемой теплоты кристал­лизации. Для понимания особенностей горизонтально направленной кристаллизации знания только осевого распределения температуры недостаточно. Необходимы сведения о горизонтальном и о вертикаль­ном распределениях, поскольку указанные распределения ответствен­ны за форму фронта кристаллизации. Особое значение имеет верти­кальное распределение, так как оно может приводить к неортогональ­ному расположению фронта кристаллизации относительно дна контей­нера (рис. 11.1.10). Причем случай "в" явно неблагоприятен, посколь­ку способствует накоплению примесей и продуктов термической диссоциации на фронте роста. В силу сравнительной малости высоты расплава при данном методе можно величину вертикальной состав­ляющей свести к минимуму. Это приводит к практически полному прекращению конвекции в расплаве. В том случае, когда требуется

Р
ис. 11.1.10. Возможные расположения фронта кристаллизации относительно дна контейнера: а - вертикальное; б, в - наклонное расположение

усиление конвекции, например, для более интенсивного перемешива­ния расплава, возможно увеличение" температурного градиента.

Д
ля реализации метода горизонтально направленной кристалли­зации разработана специальная кристаллизационная установка "Сапфир-1-М" 111 , а ее принципиальная схема дана на рис. 11.1.11.

Рис. 11.1.11. Блок-схема установки "Сапфир-lM":1 - нагреватель; 2 - вакуумная камера; 3 - приемник кристаллов; 4 - механизм перемещения; 5 - механизм подъема колпака вакуумной камеры; 6 - диффузионный насос; 7 - блок электрического питания; 8 - контейнер с кристаллизуемым ве­ществом; 9 - система молибденовых экранов

Н
агревательный элемент представляет собой прямоугольную спи­раль, изготовленную из четырех витков пруткового вольфрама, диа­метром 8 мм (рис.11.1.12). Витки этой спирали расположены перпен­дикулярно к направлению движения контейнера с веществом. Спираль подвешена на 6 опорах, которые приварены к нагревателю. Для изоляции нагревателя от системы экранов использованы керамические пластины из окиси алюминия, которые подложены под опоры.

Рис. 11.1.12 Нагревательный элемент

Тепло­изоляция создается многослойными экранами 9, состоящими из на­ружного и внутреннего слоев. Экраны выполнены в виде отдельных блоков, что обеспечивает их разборку для свободного доступа к на­гревательному элементу и быструю смену вышедших из строя экра­нов. На рис. 11.1.13 приведена схема экранов. Их особенность заклю­чается в том, что они формируют две зоны: зону плавления А и зо­ну отжига В. Обе зоны прямоугольной формы, ширина 190 мм, вы­сота 126 мм, длина 114 мм и ширина 125 мм, высота 75 мм, длина 160 мм. Ближайший от нагревателя экран набирается из от­дельных вольфрамовых стержней, диаметром 5 мм, укладываемых плотно друг к другу. Он и формирует зоны А и В, что позволяет, используя только один нагреватель, осуществлять и плавление веще­ства и отжиг кристалла в процессе его выращивания.

Молибденовый контейнер с исходным веществом устанавливается на платформу, выполненную из пруткового вольфрама, которая по специальным роликам с помощью механизма перемещения движется вдоль кристаллизационной камеры. Этот механизм имеет ступенчатое переключение скоростей. Принцип работы блока управления и стабилизации основан на сравнении электрического напряжения на нагревателе с высокостабильным опорным напряжением. Сигнал рассогласованья через усилитель постоянного тока подается на блоки импульса, где вырабатываются импульсы запуска -тиристоров регулируемо­го выпрямителя системы электропитания нагревателя кристаллизаци­онной установки.

Р
ис. 11.1.13. Система тепловых экранов: А - зоны плавления; В - зоны отжига

Путем изменения величины анодного напряжения с помощью программного устройства добиваются соответствующего программированного изменения температуры.

В число основных операций выращивания высококачественных мо­нокристаллов входят: 1) подготовка исходной шихты, 2) изготовле­ние молибденового контейнера и очистка его от оксидных пленок, 3) установка затравочного кристалла и наполнение контейнера исход­ной шихтой, 4) установка контейнера на платформу кристаллизацион­ной установки, 5) соединение приемной и кристаллизационной камер, 6) введение контейнера в зону нагревателя с помощью ручного пе­ремещения, 7) создание вакуума в кристаллизационной камере, 8) подъем температуры и расплавление вещества, 9) затравление путем визуального наблюдения через верхнее окно кристаллизацион­ной камеры и включение механизма перемещения контейнера, 10) сни­жение температуры нагревателя после завершения кристаллизации, 11) отделение и поворот приемной камеры с помощью каретки, из­влечение контейнера с кристаллом.

В силу определенной специфики метода горизонтально направлен­ной кристаллизации, связанной с тем, что имеет место относительно большое зеркало расплава, требования к химической частоте ис­ходных материалов, по сравнению с другими методами, несколько снижены. Может быть использована шихта, приготовленная стандарт­ными способами и разнообразного гранулометрического состава. Для увеличения насыпного веса предварительно шихту спрессовывают в стальных пресс-формах при давлении 400 атм., а также обжигают при температуре, близкой к температуре плавления. В качестве примера рассмотрим синтез монокристаллов иттрий-алюминиевого граната. Сложность этого синтеза заключается в том, что на фазовой диаграмме Y₂O₃-Al₂O₃ вблизи искомого составa Y₃Al₅O₁₂ находится метастабильная фаза ортоалюмината иттрия YAlO₃. Любое, даже незначительное, нарушение стехиомет­рии исходной шихты при выращивании кристаллов приводит к образо­ванию этой посторонней фазы. Поэтому важным условием синтеза иттрий-алюминиевого граната является предотвращение образования ортоалюмината иттрия. Достигается это специальным нарушением стехиометрии состава шихты путем введения в него небольшого (1-2 вес.%) избытка Al₂O₃, компенсирующего потери ионов кислорода и алюминия при кристаллизации. Особое значение для выращивания совершенных кристаллов имеет изготовление молибденового контейнера. В установке "Сапфир-1М" контейнер имеет размер: 250 х 90 х 20 мм. Для его изготовления используется молибде­новый лист, толщиной 0,3-0,5 мм. Содержание в нем молибдена 99,9%. Изготовляется контейнер при температуре 473-873 К путем изгибания листа на специальной оправе. Узкая часть контейнера предназначена для затравочного кристалла (рис.11.1.14). С целью удаления оксидной пленки, образующейся при изготовлении контейне­ра, его подвергают либо химической, либо термической обработке.

Р
ис. 11.1.14. Молибденовый контейнер в форме лодочки

В первом случае стенки контейнера обезгаживают при температуре 418 К, травят в растворе КОН (700-800 г/л), КNО₃ (200-250 г/л) и NaNO₃ (50-70 г/л), промывают в горячей и холодной воде. На следующем этапе контейнер травят в смеси (три части) h₂SO₄ (одна часть) и NaСl (15-20 г/л) и снова промывают в проточной воде. Химическая очистка заканчивается обра­боткой раствором 50-80 г/л СrO₃ с последующей промывкой в горячей воде и сушкой при температуре 353—373 К. Во втором случае производится очистка в вакууме при нагреве контейнера до 873-1073 К. Затравочный кристалл изготавливается размером и формой, указанной на рис. 11.1.15. К нему предъявляются следующие требования:

Р
ис. 11.1.15. Затравочный кристалл

а)отсутствие трещин и инородных включений макроско­пических размеров, б) отсутствие мозаики и блочной структуры, в) поверхности должны быть механически отшлифованы, г) отклонение кристаллографической ориентации от требуемой не должно превышать 0,5°. После введения контейнера с исходным веществом в зону кри­сталлизации, подъем температуры и расплавление исходного вещест­ва осуществляется за 3,5-2 ч. Этот процесс заканчивается частич­ным расплавленном затравочного кристалла на 10-15 мм его длины. Наблюдение за положением фронта кристаллизации производят через верхнее смотровое окно, причем оптический контраст возникает бла­годаря различной степени прозрачности расплава и кристалла. Выращивание кристалла осуществляется путем перемещения контейнера с веществом через зону нагрева А. По мере перемещения образующий­ся кристалл попадает в зону отжига В в которой он постепенно ох­лаждается до комнатной температуры. Так как в процессе перемеще­ния контейнера с веществом температура в зоне нагрева из-за крае­вых эффектов постепенно уменьшается, то для компенсации этого эффекта осуществляют плавное повышение мощности нагрева. Обычно требуется постепенное увеличение мощности на 3—5% от номинально­го значения. Предел колебаний напряжения на нагревателе (не более 0,5%) относится к любой кристаллизации, в то время как изменение силы тока (не более 2,5%), связанное с постепенным износом нагревателя при длительной его эксплуатации, характеризует те пределы, за которыми нагревательный элемент становится непригод­ным для дальнейшей работы.

11.1.1.6. Meтод вертикально направленной кристаллизации