Для студентов МГТУ им. Н.Э.Баумана по предмету ЭлектроникаИсследование полупроводникового диода, где получение характеристик диода для расчета его модели средствами сопровождения программ схемотехнического анИсследование полупроводникового диода, где получение характеристик диода для расчета его модели средствами сопровождения программ схемотехнического ан
4,90547905
2021-03-122021-03-12СтудИзба
Исследование полупроводникового диода, где получение характеристик диода для расчета его модели средствами сопровождения программ схемотехнического анализа MODEL
-82%
Описание
Исследование полупроводникового диода, где получение характеристик диода для расчета его модели средствами сопровождения программ схемотехнического анализа MODEL осуществляется на удаленном стенде.
Цель работы: На удаленном лабораторном стенде получить ВАХ полупроводникового диода для прямой и обратной ветви – как исходные данные в расчете модели диода в программе MODEL: и рассчитать параметры модели, сформировав модель в формате PSPICE и внести ее в программу Microcap.
![]()
![]()
![]()
![]()
Цель работы: На удаленном лабораторном стенде получить ВАХ полупроводникового диода для прямой и обратной ветви – как исходные данные в расчете модели диода в программе MODEL: и рассчитать параметры модели, сформировав модель в формате PSPICE и внести ее в программу Microcap.
Характеристики лабораторной работы
Предмет
Учебное заведение
МГТУ им. Н.Э.БауманаНомер задания
Вариант
Просмотров
150
Размер
750,59 Kb
Список файлов
ОТЧЕТ лаб №5.pdf
![Картинка-подпись](https://s.studizba.com/z.php?f=/uploads/fotos/podpt_77101_43091.jpg&w=1632&h=400&t=1")
Друзья, спасибо за доверие! Если вам понравилась работа – поставьте 5⭐ и напишите отзыв. Это поможет другим студентам, а мне даст силы делать ещё больше качественных материалов для вас 🔥
anhyeuem
12 марта 2021 в 18:37
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
