Курсовая работа: Проектирование широкополосного усилителя

СОДЕРЖАНИЕ

1 Общие сведения
1.1 Техническое задание............................................................. 3
1.2 Анализ технического задания…............................................. 3
2 Расчёт усилителя
2.1 Расчёт и обоснование структурной схемы.............................. 4

• Расчёт выходного каскада….................................................. 6

2.3 Расчёт промежуточного каскада…....................................... 10
2.4 Расчёт входного каскада…................................................... 14
2.5 Расчёт АЧХ каскадов…....................................................... 15
2.5.1 Расчёт АЧХ каскадов на ВЧ…...................................... 15
2.5.2 Расчёт АЧХ каскадов на НЧ…..................................... 17

• Расчёт АЧХ усилителя................................................. 19
• Расчёт частотных искажений........................................ 20

Заключение….................................................................................... 21
Список использованных источников…............................................... 22
Приложение А................................................................................... 23
Приложение Б................................................................................... 24

























1 Общие сведения

1.1 Техническое задание

ЭДС входного сигнала 𝐸 =2мВ
Активная нагрузка 𝑅_н =150 Ом
Частотные искажения на н.ч. 𝑀_н =2.2дБ
Частотные искажения на в.ч. 𝑀_в =2.4 дБ
Минимальная температура 𝑇_мин=10 ℃
Максимальная температура 𝑇_макс =45 ℃
Сопротивление источника 𝑅_ист =300 Ом
Нижняя граничная частота 𝑓_н =250 Гц
Верхняя граничная частота 𝑓_в =8 МГц
Нелинейные искажения 𝐾_г =4 %
Амплитуда выходного сигнала 𝐸_вых =3.5 В
Допустимая нестабильность коэффициента усиления в заданном диапазоне температур не должна превышать 10%



1.2 Анализ технического задания

При коэффициенте усиления 𝐸_вых /𝐸 =1750 усилитель имеет высокую граничную частоту (f_в= 8 МГц), что потребует применения высокочастотных усилительных секций на высокочастотных транзисторах.
При низкоомной нагрузке (R_н = 150 Ом), в