Билет №20-2 (943746), страница 2
Текст из файла (страница 2)
Влияние температуры на удельное сопротивление
Концентрация n электронов проводимости в металлических проводниках от температуры не зависит, однако от температуры зависит их подвижность а. С увеличением температуры возрастают тепловые колебания узлов кристаллической решетки и создаются большие препятствия на пути дрейфа электронов, что приводит к снижению их подвижности а; в результате удельная электропроводность γ уменьшается (см. формулу (12.5)).
Величина, на которую изменится удельное сопротивление проводника при изменении его температуры на 1 К, называется температурным коэффициентом удельного сопротивления ТКρ (αρ). Дифференциальное выражение ТКр, К-1, имеет вид
ТКр=1/ρ dρ /dT. (12.7)
На практике пользуются средним значением ТКр, К~', для определенного интервала температур:
TKρ = 1/ρ1 (ρ2-ρ1) / (T2-T1)
где ρ1 и ρ2 — удельные сопротивления проводника при температурах T1, и Т2 соответственно, при этом Т2 > Т1. У многих металлов ТКρ имеет примерно одну и ту же величину, равную
ТКр ≈ 1/273 ≈ 0,004 К-1.
Исключение составляют металлы: Fe, Co, Ni, Na, К, Сг и др., У которых ТКρ больше или меньше 0,004 примерно в 1,5—2 раза (см. табл. 12.1).
Как отмечалось выше (см. гл. 10.3.2), у сплавов, образующих
твердые растворы, ТКρ имеет минимальное значение, и в ряде слу-
аев практически равен нулю, что объясняется сильной деформи-
рованностью кристаллической решетки, которая при нагревании
практически дополнительно не деформируется или деформируется очень мало. Поэтому λ и следовательно ρ, изменяются незначц, тельно или не изменяются вовсе. Это свойство используется для получения термически высокостабильных образцовых проволочных резисторов на основе сплавов Cu-Ni, Cu-Ni-Mn, Ni-Cr-Fe и др образующих твердые растворы. Благодаря тому, что у чистых металлов относительно высокий ТКр, их (Си, Ni, Pt,W) используют в качестве термосопротивлений, в системах измерения и регулирования температуры.
Типичная зависимость удельного сопротивления металлических проводников от температуры в широком интервале представлена сплошной линией на рис. 12.5. У идеального металлического проводника при понижении температуры и приближении к 0 К удельное сопротивление стремится к нулю (ветвь а). У технически чистого металлического проводника на небольшом участке 1, составляющем несколько Кельвинов, наблюдается «остаточное» сопротивление рост, величина которого не зависит от температуры, но сильно зависит от наличия примесей. Чем чище металл, тем меньше рост и уже участок 1. На участке1 некоторые металлы могут перейти в состояние сверхпроводимости и удельное сопротивление их становится равным нулю (ветвь б). На участке II для многих металлов при нагревании происходит быстрое увеличение удельного сопротивления р ~Т5, где n с ростом температуры плавно изменяется от 5 до 1. Рост удельного сопротивления с температурой на участке II объясняется тем, что при нагревании включаются все новые частоты тепловых колебаний (фононов) кристаллической решетки, на которых рассеиваются носители заряда. При температуре, примерно равной Tθ, спектр колебаний возбуждается полностью. Для большинства металлов температура Tθ лежит в пределах 100—400 К. При дальнейшем повышении температуры (участок III) удельное сопротивление растет практически прямо пропорционально увеличению температуры. На этом участке ρ возрастает, так как при нагревании прямо пропорционально увеличиваются амплитуды тепловых колебаний узлов кристаллической решетки. Для многих металлов, у которых зависимость ρ(T) соответствует сплошной линии на рис. 12.5, на участке III наблюдается слабое отклонение ρ(T) от линейной зависимости. На участке IV начинающемся при Тпл, удельное сопротивление изменяется скачкообразно вверх или вниз. У большинства металлов, объем которых в расплавленном состоянии больше, чем в твердом, удельное сопротивление при плавлении скачкообразно возрастает (ветвь в; табл. 12.2).
У металлов, объем которых при плавлении уменьшается, удельное сопротивление уменьшается также скачкообразно (ветвь г; табл-12.2). У большинства металлов в расплавленном состоянии ТКр положительный (ветви д, е) и лишь у немногих ТКр отрицательный (ветвь ж).
Влияние частоты напряжения на сопротивление металлически проводников
Вихревые токи (токи Фуко), возникающие в металлических про„ водниках, по которым течет переменный ток, направлены таким образом, что ослабевают ток внутри проводника и усиливают его вблизи поверхности. В результате высокочастотный ток оказывается распределенным по сечению проводника неравномерно — большая его часть сосредоточивается у поверхности проводника. Это явление называют скин-эффектом. Из-за скин-эффекта внутренняя часть проводников в высокочастотных цепях оказывается бесполезной. Поэтому в высокочастотных цепях проводники могут быть полыми.
Скин-эффект характеризуется глубиной проникновения электромагнитного поля в металлический проводник: чем выше частота поля, тем на меньшую глубину оно проникает в проводник. С увеличением глубины проникновения поля плотность тока уменьшается по экспоненте. Глубину, на которой амплитуда электромагнитной волны затухает в е раз (до -37%), называют глубиной проникновения поля ∆. Величина ∆ зависит от частоты напряжения ω, удельной электропроводности γ и магнитной проницаемости μ:
∆
= 1/a = √ 2/ωγμoμ = 1/ √ƒπγμoμ, (12.10)
где а — коэффициент затухания электромагнитной волны; μo — магнитная постоянная.
Сопротивление проводника, вызванное скин-эффектом, можно оценить сопротивлением квадрата его поверхности Rs, Ом, аналогично рассчитываемому R□ по формуле (12.9), заменив δ на ∆:
Rs = 1/γ∆ . (12.11)
Из выражения (12.11) следует, что сопротивление Rs плоского проводника при скин-эффекте равно сопротивлению плоского проводника толщиной ∆ при постоянном токе.
Зависимость Rs и ∆от частоты поля для. некоторых важнейших металлов и сплавов высокой проводимости приведены на рис. 12.7.
Рис. 12.7. Зависимость сопротивления при скин-эффекте Rs и глубины проникновения поля ∆ от частоты для плоских проводников. Значения Rs и ∆ по нижней шкале частоты отсчитываются непосредственно; по верхней шкале частоты значение Rs умножается на 10—2 , а ∆ - 10—2