RPZ_4 (779658), страница 4
Текст из файла (страница 4)
Выходной параметр – давление на выходе (Па).
4.2.3 Построение математической модели
Метод – полный факторный эксперимент (ПФЭ).
Вид модели:
где 
– значение функции отклика в центре плана; 
и 
характеризуют степени влияния соответствующих факторов на функцию отклика; 
характеризует влияние взаимодействия факторов.
Число опытов:
где 
– число уровней каждого фактора (должно быть на единицу больше порядка полинома), 
– число исследуемых факторов.
Матрица планирования:
Таблица 3
| № опыта |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
| 1 | + | - | - | + | 14 | 15 | 16 | 15 | 1 | 15 |
| 2 | + | + | - | - | 9 | 10 | 11 | 10 | 1 | 10 |
| 3 | + | - | + | - | 58 | 59 | 60 | 59 | 1 | 59 |
| 4 | + | + | + | + | 24 | 25 | 26 | 25 | 1 | 25 |
Проверка воспроизводимости экспериментов по критерию Кохрена:
Критическое значение критерия Кохрена 
(
; 
; 
)
.
, следовательно, эксперимент является воспроизводимым.
Вычислим коэффициенты полинома по формуле:
Таблица 4
|
|
|
|
|
| 27,25 | -9,75 | 14,75 | -7,25 |
Оценка значимости коэффициентов по критерию Стьюдента:
где дисперсия ошибки определения коэффициента равна
где дисперсия воспроизводимости
Таблица 5
|
|
|
|
|
| 94,42 | 33,78 | 51,11 | 25,12 |
Критическое значение критерия Стьюдента 
следовательно, все коэффициенты являются значимыми.
Проверка адекватности уравнения. Оценим отклонение предсказанного моделью значения выходного параметра (функции отклика) 
от результатов эксперимента в каждой точке факторного пространства. Для оценки этого отклонения служит дисперсия адекватности:
где 
– число значимых коэффициентов в аппроксимирующем полиноме.
Так как 
, то проведем дополнительный опыт в центре плана.
Таблица 6
| № опыта |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
| 5 | + | 0 | 0 | 0 | 25 | 26 | 27 | 26 | 1 | 27,25 |
Дисперсия адекватности больше дисперсии воспроизводимости, следовательно, проверка гипотезы об адекватности проводится с помощью критерия Фишера при числах степеней свободы 
и 
:
Критическое значение критерия Фишера 
. 
, следовательно, модель признаем адекватной.
Итак, полученная математическая модель имеет вид:
4.3 Вывод
Проанализировав полученную математическую модель процесса, мы установили, что наиболее значимым фактором оказался 
– давление на входе, а наименее значимым – взаимодействие фактора 
– управляющий ток с фактором .
Заключение
В результате выполнения курсового проекта были рассмотрены и проанализированы изделия современной микроэлектроники, а также методы современной микролитографии, с помощью которых можно изготовить эти изделия.
Подробно рассмотрен процесс рентгенолитографии. Разработана схема процесса и технология рентгенолитографии.
Проведен технологический анализ изделия. Разработан маршрут изготовления изделия. Предложены технические средства, позволяющие реализовать требуемые параметры основной операции – рентгеновского экспонирования. Предложено устройство прецизионного перемещения подложки в установке рентгеновской литографии.
Список используемых источников информации
-
http://3ys.ru/osnovy-mikroelektroniki/fotolitografiya.html
-
https://ru.wikipedia.org/wiki/%D2%F0%E0%ED%E7%E8%F1%F2%EE%F0
-
http://chernykh.net/content/view/63/118
-
https://ru.wikipedia.org/wiki/%D1%E8%ED%F5%F0%EE%F2%F0%EE%ED%ED%EE%E5_%E8%E7%EB%F3%F7%E5%ED%E8%E5
-
Лапшинов Б.А. Л 24 Технология литографических процессов. Учебное пособие –Московский государственный институт электроники и математики. М., 2011.–95 с.
-
http://3ys.ru/osnovy-mikroelektroniki/ionnaya-litografiya.html
-
М.И. Мазурицкий “Рентгеноспектральная оптика”
-
http://profbeckman.narod.ru/RR0.files/L8_4_2_1.pdf
-
Глава 11. “Литография высокого разрешения на пучках синхротронного излучения” (материал представлен Н.А. Тимченко)
42
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
