150907 (732846), страница 2

Просмтор этого файла доступен только зарегистрированным пользователям. Но у нас супер быстрая регистрация: достаточно только электронной почты!

Текст из файла (страница 2)

4. В системі VO₂ВФСCuSnO₂ одержано об’ємні склокерамічні матеріали, які здатні працювати при струмі до десятка ампер, не проявляють суттєвої деградації електрофізичних параметрів після 10⁴ термоциклів через температуру ФПМН і можуть служити основою для створення порогових перемикачів та критичних терморезисторів зі стрибком опору близько 10² в межах температури 343 K. Розроблено схеми та рекомендації з вибору оптимальних параметрів таких терморезисторів для ефективного захисту процесора комп’ютера від перегріву і освітлювальних ламп розжарювання від струму увімкнення.

Достовірність. Основні положення і висновки дисертації базуються на значному експериментальному матеріалі, одержаному із застосуванням комплексу взаємодоповнюючих, апробованих сучасних методів дослідження, широкому колі складів склокерамічних матеріалів на основі VO₂, які досліджувались, відтворюванні і статистичній обробці результатів вимірів, співставленні результатів моделювання і розрахунку з експериментальними даними, а також на порівнянні результатів, отриманих в роботі, з даними інших дослідників.

Сукупність отриманих в роботі даних і розвинутих моделей складає основу для розвитку нового, перспективного напрямку фізики твердого тіла, а саме: розробка наукових засад синтезу та модифікування нового класу матеріалів – склокераміки на основі компонента з фазовим переходом метал-напівпровідник.

Особистий внесок здобувача. Експериментальні і теоретичні дослідження за темою дисертації, написання наукових статей, патентів, підготовка доповідей та їх тез виконані автором особисто або за його безпосередньою участю. Авторові особисто належать основні ідеї, покладені в основу дисертації, загальна постановка задачі, розробка та реалізація способів одержання об’єктів та методів їх досліджень, аналіз та інтерпретація результатів, розробка теоретичних моделей, формулювання наукових положень та висновків. Зокрема автором персонально: з’ясовано механізм електрокристалізації VO₂ в розплавах V₂O₅ і ванадієво-фосфатних стекол і побудовано модель цього явища [1, 5, 8, 29]; методом ДТА досліджені ВФС різних складів після їх кристалізації і побудована фазова діаграма системи V₂O₅-VOPO₄ [2-4]; запропоновано механізм розчинення VO₂ в розплавах V₂O₅ і ВФС та побудована модель цього процесу [6]; запропоновано способи синтезу VO₂ шляхом відновлення V₂O₅ вуглецем [18, 27] та одержання склокераміки на базі VO₂ і ВФС [7, 28, 30], розроблено методику визначення вмісту VO₂ в гетерогенних матеріалах [19]; на підставі даних рентгенофазового аналізу, СЕМ та рентгенівського мікроаналізу запропоновано механізм формування мікроструктури і фазового складу склокераміки на основі VO₂ при синтезі [24]; досліджені температурні залежності електропровідності склокераміки різних складів і побудовано моделі для опису електропровідності [11, 13, 15, 16, 23, 33, 37]; досліджені ВАХ склокераміки на основі компонента з ФПМН і виконано їх теоретичний опис [14, 34]; відкриті явища гістерезису і розмірного ефекту ВАХ і запропоновано механізми цих явищ [20, 26, 36]; виконані дослідження впливу термоциклювання на електропровідність та ВАХ склокераміки на базі VO₂ і ВФС, з’ясовано механізм такого впливу, запропоновано модель деградації склокераміки і шляхи боротьби з нею [9, 10, 12, 22, 31, 35]; досліджені можливості практичного використання склокерамічних матеріалів на основі VO₂ для захисту процесора комп’ютера від перегріву і освітлювальних ламп розжарювання від струму увімкнення [21, 25, 38].

Апробація результатів дисертації. Основні результати дисертації доповідались і обговорювались на: VII-ой Всесоюзной конференции по стеклообразному состоянию (Ленинград, 1981); Всесоюзной конференции „Новые электронные приборы и устройства” (Москва, 1982); Всесоюзной конференции „Физические основы надежности и деградации полупроводниковых приборов” (Кишинев, 1982); Всесоюзной конференции „Новые процессы и оборудование для получения веществ реактивной квалификации” (Днепропетровск, 1982); I-ой Всесоюзной конференции по электрохимии (Москва, 1982); X National Scientific and Technical Conference with international participation „Glass and fine ceramics” (Varna, Bulgaria, 1990); International Conference on Electronic Ceramics & Applications (Aveiro, Portugal, 1996); International Conference of the European Ceramic Society „Euro Ceramics VI” (Brighton, UK, 1999); XIII-ой научно-технической конференции „Датчики и преобразователи информации систем измерения, контроля и управления «Датчик-2001»” (Судак, 2001); 1-й Українській науковій конференції з фізики напівпровідників УНКФН-1 (Одеса, 2002); IV-й Міжнародній школі-конференції “Актуальні проблеми фізики напівпровідників” (Дрогобич, 2003); V-й Міжнародній школі-конференції “Актуальні проблеми фізики напівпровідників” (Дрогобич, 2005); Всеукраїнському з’їзді „Фізика в Україні” (Одеса, 2005); 2-й Міжнародній науково-технічній конференції „Сенсорна електроніка та мікросистемні технології” (Одеса, 2006); I-й Міжнародній науково-практичній конференції „Електромагнітна сумісність на залізничному транспорті” (Дніпропетровськ, 2007).

Публікації. Основні результати роботи опубліковані в 38 працях, з них 26 статей у фахових вітчизняних та зарубіжних виданнях, 2 патенти, 10 публікацій у збірниках матеріалів конференцій і тезах доповідей на конференціях.

Структура і обсяг дисертації. Дисертація складається із вступу, восьми розділів, висновків і списку використаних джерел. Вона містить 357 сторінок, 146 рисунків, 40 таблиць, список використаних джерел із 225 найменувань.

ОСНОВНИЙ ЗМІСТ РОБОТИ

У вступі обгрунтовано актуальність теми дисертації, сформульовано мету і задачі досліджень, визначено наукову новизну і практичне значення одержаних результатів, особистий внесок здобувача, наведено відомості про апробацію результатів роботи та публікації, а також про структуру дисертації.

У першому розділі проаналізовано теоретичні моделі фазового переходу метал-напівпровідник, особливості ФПМН у діоксиді ванадію, ефекти, пов’язані з ФПМН, та їх практичне використання, відомі дані про деградацію матеріалів з ФПМН при термоциклюванні через температуру переходу, а також дані про керамічні та композиційні матеріали, які містять компонент з ФПМН.

Всі існуючі моделі ФПМН базуються на ідеях Мотта і Хаббард, які пов’язують такий перехід з електронно-електронною взаємодією і ідеях Пайерлса, в яких такий перехід пов’язується з електронно-фононною взаємодією. В моделях ФПМН, які базуються на електронно-електронній взаємодії, перебудова енергетичної структури матеріалу від металевої до напівпровідникової відбувається, коли енергія кулонівського відштовхування між електронами, розташованими на одному атомі, перевищує ширину дозволеної електронної зони. Моделі ФПМН, котрі базуються на електронно-фононній взаємодії, пов’язують перебудову енергетичної структури матеріалу при ФПМН зі змінами в кристалічній гратці, що призводять до додаткового розщеплення енергетичних рівнів електронів кристалічним полем. Слід зазначити, що завдяки тому, що обидва типи взаємодій завжди присутні в твердих тілах, часто при ФПМН спостерігаються ознаки, які характерні як для моделі Мотта-Хаббарда, так і для моделі Пайерлса. Так, наприклад, антиферомагнітний стан напівпровідникової фази в VO₂ і різка зміна в електронній підсистемі при переході у металевий стан є характерними ознаками моделі Мотта-Хаббарда, з іншого боку викривлення кристалічної гратки при ФПМН, яке супроводжується подвоєнням її періоду, є типовим для моделі Пайерлса. Тому питання про те, яка з взаємодій ініціює ФПМН в VO₂ до цього часу зостається дискусійним.

Різка зміна при ФПМН завдяки перебудові енергетичної структури електричних, оптичних магнітних та інших фізичних властивостей матеріалу має значний прикладний інтерес. Найбільш широко в науково-технічній літературі подано практичне використання діоксиду ванадію, який має температуру фазового переходу T_t 341 К. Нещодавні дослідження показали, що ФПМН у нанокристалах VO₂ відбувається за час менший, ніж 10^-13 с. Це відкриває нові перспективи для створення на базі VO₂ надшвидких оптичних і електричних перемикачів, використання яких, наприклад, в елементній базі обчислювальної техніки дозволить суттєво збільшити продуктивність комп’ютерів. Слід відмітити, що більшість відомих практичних використань пов’язано з плівками VO₂, які ведуть себе стабільно при термоциклюванні через температуру фазового переходу. Монокристали VO₂ руйнуються при термоциклюванні. Це пов’язано з тим, що перебудова кристалічної гратки при ФПМН викликає значні механічні напруження в області межі металевої і напівпровідникової фаз, завдяки яким і малій пластичності монокристалів, відбувається їх розтріскування і руйнування. Так, наприклад, руйнування монокристалів V₂O₃ і VO₂ на окремі фрагменти відбувається вже після декількох термоциклів через температуру ФПМН.

Аналіз літературних даних показує, що систематичні дослідження фізичних процесів, які відбуваються в матеріалі при термоциклюванні через температуру ФПМН, практично не проводились, хоча такі дослідження є актуальними, тому що дозволяють отримати інформацію важливу як для розуміння механізму впливу термоциклювання на фізичні властивості матеріалу, так і для вирішення проблеми деградації об’ємних матеріалів з ФПМН. Такі матеріали, на відміну від плівок, здатні працювати при сильних електричних струмах, що має значний практичний інтерес для створення елементів силової електроніки. Об’ємні композиційні і керамічні матеріали на основі компонента з ФПМН у науковій літературі подані значно менше, ніж плівки. Як правило, для таких матеріалів не наводяться відомості про деградацію їх фізичних параметрів при термоциклюванні, а саме ця особливість є принциповою для практичного використання.

Перспективними для вирішення проблеми деградації об’ємних матеріалів з ФПМН є склокерамічні матеріали на основі компонента з фазовим переходом метал-напівпровідник. Такі матеріали можна отримати за керамічною технологією. Важливою вимогою до них, окрім стабільної поведінки при термоциклюванні, є забезпечення домінуючого внеску компонента з ФПМН в фізичні властивості матеріалу, інакше важливі для практичного використання ефекти, пов’язані з ФПМН, будуть втрачені.

Другий розділ присвячено базовим компонентам склокераміки на основі VO₂. В ньому описані розроблені в роботі наукові засади технології одержання VO₂ методами електрокристалізації і відновлення V₂O₅ вуглецем, результати дослідження електропровідності VO₂ та ванадієво-фосфатних стекол, на підставі вивчення кристалізації ВФС побудована фазова діаграма системи V₂O₅-VOPO₄, наведені результати дослідження розчинення VO₂ в розплаві V₂O₅ і побудована модель розчинення VO₂ в розплавах V₂O₅ та стекол на його основі.

Електрокристалізацію VO₂ (температура плавлення 1818 К) здійснювали при температурах 980 К – 1100 К шляхом пропускання електричного струму через розплав V₂O₅ або ВФС. Кристали VO₂ виростали на платиновому катоді і відокремлювались травленням у 30 % розчині KOH. Механізм електролітичного вирощування кристалів VO₂ пов’язаний з реакцією термічної дисоціації V₂O₅ V₂O₄^q+ + O^q- і катодною електрохімічною реакцією V₂O₅ + qe V₂O₄ + O^q- (q = 1 чи 2). Пропускання струму за рахунок катодної реакції веде до збагачення прикатодної області розплаву V₂O₄ і, коли його вміст перевищує межу розчинності твердого діоксиду ванадію в розплаві, в прикатодній області створюються умови для росту кристалів VO₂ із розчину в розплаві. Швидкість росту кристалів VO₂ добре описується формулою, яка випливає з закону Фарадея:

. (1)

Характеристики

Список файлов реферата