135808 (722649), страница 4

Просмтор этого файла доступен только зарегистрированным пользователям. Но у нас супер быстрая регистрация: достаточно только электронной почты!

Текст из файла (страница 4)

1.2.5. Установка начального состояния

микропроцессора 1821ВМ85.

После включения питания ЦП должен начинать выполнение программы каждый раз с команды, расположенной в ячейке с определенным адресом, а не с какой-либо произвольной ячейке. Для этого нужно выполнить начальную установку МП. Такая начальная установка осуществляется при первом включении МП, а также в любое время, когда потребуется вернуть МП к началу выполнения системной программы, всегда с одной и той же определенной ячейки памяти.

Чтобы выполнить функции начальной установки МП, к входу (№ 36) МП подключаются элементы, соединенные в соответствии со схемой, показанной на рисунке 3.

При подаче питания конденсатор заряжается до напряжения +5 В через R1. Когда напряжение достигает некоторого определенного значения (min 2.4 В), выполнение команды «сброс» завершится и система начнет выполнение программы с адреса 0000. После отключения питания произойдет разрядка конденсатора С1 и микропроцессор будет находиться в исходном состоянии до тех пор, пока напряжение на конденсаторе С1 не достигнет требуемого значения.

+5В

1821ВМ85

36

V D1 R1

C1

Рисунок 3.

1.2.6. Запоминающие устройства.

Постоянная тенденция к усложнению задач, решаемых с помощью микропроцессорной техники, требует увеличение объёма и ускорение процесса вычислений. Однако скорость решения любой задачи на ЭВМ ограничена временем ограничения к памяти, т.е. к ОЗУ. В таблице сравниваются характеристики ОЗУ, выполненной на разной элементно-технологической основе.

Полупроводниковые ЗУ по режиму занесения информации делятся на оперативные и постоянные, по режиму работы – статистические и динамические, по принципу выборки информации – на устройства с произвольной и последовательной выборкой, по технологии изготовления – на биполярные и униполярные.

1.2.7. Оперативные запоминающие устройства.

ОЗУ предназначены для записи, хранения и считывания двоичной информации. Структурная схема представлена на рисунке 4.

НК

DCX

А ₀ А_n

/

УЗ

RD

D _I

DCY

УС

D₀

С S

S

УУ

EX

S EY

НК – накопитель; DCX, DCY – дешифраторы строк и столбцов; УЗ – устройство записи, УС – устройство считывания, УУ – устройство управления.

Как уже отмечалось, ОЗУ можно разделить на 2 типа: статические и динамические. В накопителях статических ОЗУ применяются триггерные элементы памяти. В ОЗУ динамического типа запоминающим элементом служит конденсатор. Динамические ОЗУ имеют ряд преимуществ по сравнению со статистическими ОЗУ. Основные характеристики динамических ОЗУ:

	I	II	III	IV
Наибольшая ёмкость, бит/кристалл	4К	16К	64К	256К
Время выборки считывания, мс	200 400	200 300	100 200	150 200
Рпотр, мВт/бит	0,1 0,2	0,04 0,05	4 10-3 5 10-3	3 10-3 4 10-3

Преимуществом статистических ОЗУ перед динамическими является отсутствие схемы регенерации информации, что значительно упрощает статические ЗУ, как правило, имеют один номинал питающего напряжения.

Типовые характеристики СЗУ:

Наибольшим быстродействием обладают биполярные ОЗУ, построенные на основе элементов ЭСЛ, ТТЛШ. Перспективными являются ОЗУ, построенные на транзисторных структурах U²Л, позволяющих уменьшить площадь ЗЭ до 2000 100мкм² и снизить мощность потребления до нескольких микроватт на бит, при t_вкл=50 150 мс.

Статические ОЗУ на МОП транзисторах, несмотря на среднее быстродействие, получили широкое распространение, что объясняется существенно большей плотностью размещения ячеек на кристалле, чем у БП ОЗУ.

Для рМОП удалось уменьшить геометрические размеры ЗЭ и снизить напряжение питания до 15 В.

Для ОЗУ пМОП удалось ещё больше уменьшить геометрические размеры, получить в 2,5 раза большую скорость переключения. Единое напряжение питания +5В обеспечивает непосредственную совместимость таких ОЗУ по логическим уровням с микросхемами ТТЛ.

Элементы ОЗУ на кМОП VT используются для построения статических ОЗУ только при необходимости достижения min Р_потр. Также при переходе к режиму хранения Р_потр уменьшается на порядок.

Для статических ОЗУ достигнута ёмкость 64 Кбит при организации 16 разрядов и времени выборки до 6 мс. I_потр статических БП ОЗУ 100 200 мА. Широко применяются схемы на кМОП-VT, среди которых наибольшее распространение получила серия 537; I_потр 60 мА (режим обращения) и I_потр=0,001 5 мА (хранение). В большинстве схем предусмотрен режим хранения с пониженным U_пит=2 В. Это позволяет наиболее просто реализовать работу ОЗУ от резервных батарей.

Динамические ОЗУ представлены в основном серией КР565 с max ёмкостью 256х1 разряд и min времени выборки 150 мс. Но необходимо постоянное восстановление информации – регенерации, период которой составляет 1 8 мс. Для регенерации нужны дополнительные схемы, что усложняет схему в целом.

Дальнейшее рассмотрение будем вести на примере статического ОЗУ 2Кх8 с общим входом и выходом типа 537РУ10.\

1. t_выб 220 мс.

2. Р_потр: хранение U_п=5В – 5,25 мВт

U_п=2В – 0,6 мВт

обращение - 370 мВт

3) I_потр: хранение – 3 10^-4 мА

обращение – 70 мА

4) Диапазон рабочих

температур - 10 + С.

Усиление вх-вых сигналов до уровней ТТЛ осуществляется с помощью вых. формирователей. Т.к. ОЗУ организовано как 2Кх8, значит необходимо использовать АО А10 адресных линий и DO D7 линий шины данных.

Для управления функционированием схемы используется 3 вывода:

1. /RE - № 21

2. CE - № 18

3. OE - № 20

Микросхема 537РУ10 функционирует в 3 режимах:

• режим хранения данных

• режим считывания данных

• режим записи данных

Таблица истинности:

Запись и считывание производится по 8 бит. При считывании можно запретить вывод информации ( =1). В качестве управляющих сигналов можно использовать сигналы WR, RD, CSO (организация сигнала CSO будет рассмотрена ниже).

1.2.8. Постоянное запоминающее устройство.

Структурная схема ПЗУ аналогична структурной схеме ОЗУ, только отсутствует устройство записи, т.к. после программирования ПЗУ, информация из него только считывается.

Основные характеристики восьми типов ПЗУ приведены ниже:

Для потребителей выбор типа ПЗУ во многом определяется не только электрическими параметрами этой большой ИС, но и способами её программирования. ПЗУ могут программироваться, как у потребителя, так и на предприятии –изготовителе. Существуют ПЗУ однократного и многократного программирования.

Характеристики

Список файлов реферата