62273 (694945), страница 4

Просмтор этого файла доступен только зарегистрированным пользователям. Но у нас супер быстрая регистрация: достаточно только электронной почты!

Текст из файла (страница 4)

Уменьшение ВПР электронной аппаратуры.

Эта проблема возникает при проектировании электронной аппаратуры, предназначенной для работы в условиях кратковременного воздейст­вия мощного ионизирующего импульса, приводя­щего к сбою работы устройства или нарушению его нормального режима. При этом происходит существенное отклонение выходного напряже­ния интегрального операционного усилителя от нуля U_вых, амплитудой которого определяется уровень бессбойной работы аппаратуры, а време­ни спада U_вых до уровня, когда восстанавлива­ется нормальная работа усилителя, устанавлива­ется время восстановления работоспособности.

Как показывают исследования, продолжи­тельность ВПР в значительной степени определяется передаточной функцией усилителя: она уменьша­ется с увеличением глубины ОС F и с уменьшением коэффициентов передачи b_2кор и b_1кор. Поэтому и в данном случае коррекция инте­грирующим конденсатором С_кор приводящую к увеличению b_2кор=b_2ис(1+С_кор/С_ис) в (1+С_кор/С_ис) раз, а b_1кор=b_1ис+С_корR_кор._эк на величину С_корR_кор._эк сопровождается ухудшением показате­лей усилителя, характеризующих его радиацион­ную стойкость: происходит существенное увели­чение ВПР и некоторое возрастание уровня бессбойной работы, определяемое увеличением амплиту­ды U_вых.

Заметное сокращение времени восстановления работоспо­собности и увеличение уровня бессбойной работы происходит опять же при коррекции RC-цепью в канале обратной связи.

Т.е. по всем характеристикам в условиях ионизирующих спецвоздействий более целесообразным является использование ИОУ с коррекцией резистивно-емкостными связями в канале после­довательной ОС.

Список литературы.

1. Агаханян Т.М., Аствацатурьян Е.Р., Скоробогатов П.К. Радиационные эффекты в интегральных микросхемах/Под ред. Т.М. Агаханяна. М.: Энергопромиздат, 1989.

2. Агаханян Т.М. Проектирование радиационно-стойких электронных усилителей на ИОУ

3. Оболенский С.В. Физико-топологическое моделирование характеристик субмикронных полевых транзисторов на арсениде галлия с учетом радиационных эффектов // Труды 3-го совещания по проекту НАТО SfP–973799 Semiconductors.// Нижний Новгород, 2003

4. Бойченко Д. В. , Никифоров А. Ю. Исследование влияния технологии на радиационную стойкость ОУ.// Радиационная стойкость электронных систем. Научно-технический сборник. 2000 / СПЭЛС

5. Агаханян Т.М. Схемотехнические способы повышения радиационной стойкости электронных усилителей на аналоговых микросхемах.// Микроэлектроника, 2004, том33, №3.

6. Агаханян Т.М., Никифоров А.Т. Прогнозирование эффектов воздействия импульсного ионизирующего излучения на операционные усилители.// Микроэлектроника, 2002, том 31, №31

7. Goddard Space Flight Center. TOTAL DOSE CHARACTERIZATION TESTS// http://radhome.gsfc.nasa.gov/radhome/papers/TIDPart.html

8. Агаханян Т.М. Синтез аналоговых устройств : Учебное пособие// М.: МИФИ, 1989
   
   

Характеристики

Список файлов реферата