62273 (694945), страница 4
Текст из файла (страница 4)
Уменьшение ВПР электронной аппаратуры.
Эта проблема возникает при проектировании электронной аппаратуры, предназначенной для работы в условиях кратковременного воздействия мощного ионизирующего импульса, приводящего к сбою работы устройства или нарушению его нормального режима. При этом происходит существенное отклонение выходного напряжения интегрального операционного усилителя от нуля Uвых, амплитудой которого определяется уровень бессбойной работы аппаратуры, а времени спада Uвых до уровня, когда восстанавливается нормальная работа усилителя, устанавливается время восстановления работоспособности.
Как показывают исследования, продолжительность ВПР в значительной степени определяется передаточной функцией усилителя: она уменьшается с увеличением глубины ОС F и с уменьшением коэффициентов передачи b2кор и b1кор. Поэтому и в данном случае коррекция интегрирующим конденсатором Скор приводящую к увеличению b2кор=b2ис(1+Скор/Сис) в (1+Скор/Сис) раз, а b1кор=b1ис+СкорRкор.эк на величину СкорRкор.эк сопровождается ухудшением показателей усилителя, характеризующих его радиационную стойкость: происходит существенное увеличение ВПР и некоторое возрастание уровня бессбойной работы, определяемое увеличением амплитуды Uвых.
Заметное сокращение времени восстановления работоспособности и увеличение уровня бессбойной работы происходит опять же при коррекции RC-цепью в канале обратной связи.
Т.е. по всем характеристикам в условиях ионизирующих спецвоздействий более целесообразным является использование ИОУ с коррекцией резистивно-емкостными связями в канале последовательной ОС.
Список литературы.
-
Агаханян Т.М., Аствацатурьян Е.Р., Скоробогатов П.К. Радиационные эффекты в интегральных микросхемах/Под ред. Т.М. Агаханяна. М.: Энергопромиздат, 1989.
-
Агаханян Т.М. Проектирование радиационно-стойких электронных усилителей на ИОУ
-
Оболенский С.В. Физико-топологическое моделирование характеристик субмикронных полевых транзисторов на арсениде галлия с учетом радиационных эффектов // Труды 3-го совещания по проекту НАТО SfP–973799 Semiconductors.// Нижний Новгород, 2003
-
Бойченко Д. В. , Никифоров А. Ю. Исследование влияния технологии на радиационную стойкость ОУ.// Радиационная стойкость электронных систем. Научно-технический сборник. 2000 / СПЭЛС
-
Агаханян Т.М. Схемотехнические способы повышения радиационной стойкости электронных усилителей на аналоговых микросхемах.// Микроэлектроника, 2004, том33, №3.
-
Агаханян Т.М., Никифоров А.Т. Прогнозирование эффектов воздействия импульсного ионизирующего излучения на операционные усилители.// Микроэлектроника, 2002, том 31, №31
-
Goddard Space Flight Center. TOTAL DOSE CHARACTERIZATION TESTS// http://radhome.gsfc.nasa.gov/radhome/papers/TIDPart.html
-
Агаханян Т.М. Синтез аналоговых устройств : Учебное пособие// М.: МИФИ, 1989