62362 (597558), страница 11

Просмтор этого файла доступен только зарегистрированным пользователям. Но у нас супер быстрая регистрация: достаточно только электронной почты!

Текст из файла (страница 11)

Електронні пристрої на напівпровідникових ІМС можуть мати щільність монтажу до 500 елементів у 1 см³ і цей параметр з року в рік зростає.

Контрольні запитання:

1. Які основні конструктивні елементи гібридних ІМС?

2. Які переваги та недоліки гібридних ІМС на відміну від напівпровідникових ІМС?

Інструкційна картка №13 для самостійного опрацювання навчального матеріалу з дисципліни «Основи електроніки та мікропроцесорної техніки»

І. Тема: 2 Електронні прилади

2.5 Гібридні інтегральні мікросхеми

Мета: Формування потреби безперервного, самостійного поповнення знань; розвиток творчих здібностей та активізації розумової діяльності.

ІІ. Студент повинен знати:

• Типи безкорпусних напівпровідникових приладів;

• Способи їх під’єднання.

ІІІ. Студент повинен уміти:

• Класифікувати безкорпусні напівпровідникові прилади.

ІV. Дидактичні посібники: Методичні вказівки до опрацювання.

V. Література: [2, с. 162-163].

VІ. Запитання для самостійного опрацювання:

1. Активні елементи – безкорпусні напівпровідникові прилади

VІІ. Методичні вказівки до опрацювання: Теоретична частина.

VІІІ. Контрольні питання для перевірки якості засвоєння знань:

1. Як класифікуються безкорпусні напівпровідникові прилади?

2. Які існують способи під’єднання виводів до контактних майданчиків?

3. В чому недолік конструкції безкорпусних напівпровідникових приладів?

ІХ. Підсумки опрацювання:

Підготував викладач: Бондаренко І.В.

Теоретична частина: Гібридні інтегральні мікросхеми

План:

1. Активні елементи – без корпусні напівпровідникові прилади

Література

1. Активні елементи – без корпусні напівпровідникові прилади

У гібридних інтегральних мікросхемах як активні елементи застосовують дискретні напівпровідникові прилади. За способом герметизації вони діляться на безкорпусні і корпусні. Оскільки безкорпусні прилади мають малі габарити і масу, застосування їх в гібридних інтегральних мікросхемах слід вважати найбільш доцільним і перспективним.

За способом монтажу в мікросхему безкорпусні напівпровідникові прилади можна розділити на дві групи: прилади з гнучкими виводами і прилади з жорсткими об'ємними виводами.

На мал. 8.4 показана одна з типових конструкцій безкорпусного приладу (діодної матриці) з гнучкими виводами. Діаметр дротяних виводів складає зазвичай 30-40 мкм. Виводи до контактних майданчиків під'єднуються різними методами, головними з яких є термокомпресійний і ультразвуковий. Метод термокомпресії заснований на одночасній дії тепла і тиску на область контакту. Метод ультразвукової зварки заснований на одночасній дії коливань ультразвукової частоти, збуджених в зварюваних деталях, і тиску в області зварки. Вібрації високої частоти, руйнуючи плівку оксиду на поверхні розділу металів в області зварки, сприяють підвищенню якості зварного з'єднання.

Мал. 8.4. Діодна матриця з гнучкими виводами

Мал. 8.5. Схема установки транзистора з жорсткими сферичними виводами: 1 – вивід бази; 2 – вивідна колекторі; 3- вивід емітера

Недолік конструкції безкорпусних напівпровідникових приладів з гнучкими виводами полягає в трудності автоматизації процесів установки приладів в мікросхему. Тому при збірці активних елементів широко використовуються прилади з жорсткими виводами. Для них характерна відсутність сполучних провідників, що дозволяє автоматизувати процес зварки мікросхем і підвищити надійність з'єднань. На мал. 8.5. схематично показана структура установки транзистора з жорсткими сферичними (кульковими) виводами. Як матеріал виводів застосовують мідь і срібло. Для запобігання дії зовнішніх чинників кристали напівпровідника в безкорпусних приладах покривають спеціальними захисними покриттями (лаки, емалі, смоли, компаунди і ін.).

Контрольні запитання:

1. Як класифікуються безкорпусні напівпровідникові прилади?

2. Які існують способи під’єднання виводів до контактних майданчиків?

3. В чому недолік конструкції безкорпусних напівпровідникових приладів?

Інструкційна картка №14 для самостійного опрацювання навчального матеріалу з дисципліни «Основи електроніки та мікропроцесорної техніки»

І. Тема: 2 Електронні прилади

2.6 Напівпровідникові інтегральні мікросхеми

Мета: Формування потреби безперервного, самостійного поповнення знань; розвиток творчих здібностей та активізації розумової діяльності.

ІІ. Студент повинен знати:

• Правила маркування електровакуумних та іонних приладів;

• Область застосування приладів.

ІІІ. Студент повинен уміти:

• Розшифровувати умовні позначення ламп.

ІV. Дидактичні посібники: Методичні вказівки до опрацювання.

V. Література: [4, с. 214-215].

VІ. Запитання для самостійного опрацювання:

1. Маркування напівпровідникових інтегральних мікросхем.

VІІ. Методичні вказівки до опрацювання: Теоретична частина.

VІІІ. Контрольні питання для перевірки якості засвоєння знань:

1. Що позначає кожен елемент в маркуванні електровакуумних та іонних приладів?

ІХ. Підсумки опрацювання:

Підготував викладач: Бондаренко І.В.

Теоретична частина: Напівпровідникові інтегральні мікросхеми

План:

1. Маркування напівпровідникових інтегральних мікросхем.

Література

1. Маркування напівпровідникових інтегральних мікросхем

Система умовних позначень сучасних типів інтегральних мікросхем встановлена ОСТ 11073915-80. У основу системи позначень покладений буквено-цифровий код.

Перший елемент - цифра, що позначає групу інтегральної мікросхеми по конструктивно-технологічному виконанню:

1,5,6,7 - напівпровідникові ІМС; 2,4,8 - гібридні; 3 - інші (плівкові, вакуумні, керамічні).

Другий елемент - дві або три цифри (від 01 до 99 або від 001 до 999), вказують на порядковий номер розробки даної серії ІМС.

Перший і другий елемент утворюють серію мікросхем.

Третій елемент - дві букви, що позначають функціональну підгрупу і вид мікросхеми.

1. Обчислювальні пристрої:

ВЕ - МІКРО-ЕВМ; ВМ - мікропроцесори; ВС - мікропроцесорні секції; ВУ - пристрої мікропрограмного управління; ВР - функціональні розширювачі; ВБ - пристрої синхронізації; ВН - пристрої управління перериванням; ВВ - пристрої управління вводом-виводом; ВТ - пристрої управління пам'яттю; ВФ - функціональні перетворювачі інформації; ВА - пристрої сполучення з магістраллю; ВІ - часозадаючі пристрої; ВХ - мікрокалькулятори; ВГ - контроллери; ВК - комбіновані пристрої; ВЖ - спеціалізовані пристрої; ВП - інші.

2.Генератори сигналів:

ГС - гармонійних; ГГ - прямокутної форми; ГЛ - лінійно - що змінюються; ГМ - шуму; ГФ - спеціальної форми; ГП - інші.

3.Детекторы:

ТАК - амплітудні; ДІ - імпульсні; ДС - частотні; ДФ - фазові; ДП - інші.

4.Пристрої, що запам'ятовують:

РМ - матриці ОЗУ; РУ - ОЗУ; РВ - матриці ПЗП; РЕ - ПЗП; РТ - ПЗП з можливістю одноразового програмування; РР - ПЗП з можливістю багатократного електричного перепрограмування; РФ - ПЗП з ультрафіолетовим стиранням і електричним записом інформації; РА - асоціативні пристрої, що запам'ятовують; РЦ - пристрої, що запам'ятовують, на ЦМД; РП - інші.

5.Джерела вторинного живлення:

ЕМ - перетворювачі; ЕВ - випрямлячі; ЕН - стабілізатори напруги безперервні; ЕТ - стабілізатори струму; ЕК - стабілізатори напруги імпульсні; ЕУ - пристрої управління імпульсними стабілізаторами напруги; ЕС - джерела вторинного живлення; ЕП - інші;

6. Комутатори і ключі:

КТ - струму; КН - напруга; КП - інші;

7.Логічні елементи:

ЛИ - И; ЛЛ - ИЛИ; ЛН - НЕ; ЛС - И-ИЛИ; ЛА - И-НЕ; ЛЕ - ИЛИ-НЕ; ЛР - И-ИЛИ-НЕ; ЛК - И-ИЛИ-НЕ (И-ИЛИ); ЛМ - ИЛИ-НЕ (ИЛИ); ЛБ - И-НЕ / ИЛИ-НЕ; ЛД.

8.Багатофункціональні пристрої:

ХА - аналогові; ХЛ - цифрові; ХК -комбіновані; ГМ - цифрові матриці; ХИ - аналогові матриці ХТ - комбіновані матриці; ХИ - інші.

9.Модуляторы:

МА - амплітудні; MИ - імпульсні; MС - частотні; MФ - фазові; МП - інші.

10.Набори елементів:

НД - діодів; НТ - транзисторів; НР - резисторів; НЕ - конденсаторів; НК - комбіновані; НФ - функціональні; НП - інші.

11.Перетворювачі:

ПС - частоти; ПФ - фази; ПД - тривалість (імпульсів); ПН - напруга; ПМ - потужності; ПУ - рівня (узгоджувачі); ПЛ - синтезатори частоти; ПЕ - дільники частоти аналогові; ПЦ - дільники частоти цифрові; ПА - цифро - аналогові; ПВ - аналого - цифрові; ПР - код - код; ПП - інші.

12.Тригери:

ТЛ - Шмітта; ТД - динамічні; ТТ - Т - тригер; ТР - RS - тригер; ТМ - D - тригер; ТБ - JK - тригер; ТК - комбіновані; ТП - інші.

13.Підсилювачі:

УТ - постійного струму; УИ - імпульсні; УЕ- повторювачі; УВ - високої частоти; УР - проміжної частоти; УН - низької частоти; УК - широкосмугові; УЛ - прочитування і відтворення; УМ - індикації; УД - операційні; УС - диференціальні; УП - інші.

14.Пристрої затримки:

БМ - пасивні; БР - активні; БП - інші.

15.Пристрої селекції і порівняння:

CА - амплітудні; CВ - тимчасові; CС - частотні; CФ - фазові; CП - інші.

16.Фильтры:

ФВ - верхніх частот; ФН - нижніх частот; ФЕ - смугові; ФР - режекторні; ФП - інші.

17.Формувачі:

АГ - імпульсів прямокутної форми; АФ - імпульсів спеціальної форми; АА - адресних струмів; АР - розрядних струмів; АП - інші.

18.Фоточутливі пристрої із зарядовим зв'язком:

ЦМ - матричні; ЦЛ - лінійні; ЦП - інші.

19.Цифрові пристрої:

ИР - регістри; ИМ - суматори; ИЛ - напівсуматори; ИЕ - лічильники; ИД - дешифратори; ИК - комбіновані; ИВ - шифратори; ИА - арифметично - логічні пристрої; ИП - інші.

Четвертий елемент - число, що позначає порядковий номер розробки мікросхеми в серії.

У позначення також можуть бути введені додаткові символи (від А до Я), що визначають допуски на розкид параметрів мікросхем і т.п. Перед першим елементом позначення можуть стояти наступні букви: К - для апаратури широкого застосування; Э - на експорт (крок виводів 2,54 і 1,27 мм); Р - пластмасовий корпус другого типу; М - керамічний, металло- або склокерамічний корпус другого типу; Е - металополімерний корпус другого типу; А - пластмасовий корпус четвертого типу; И - склокерамічний корпус четвертого типа Н - кристалоносій.

Для безкорпусних інтегральних мікросхем перед номером серії може додаватися буква Б, а після неї, або після додаткового буквеного позначення через дефіс указується цифра, що характеризує модифікацію конструктивного виконання:

1 - з гнучкими виводами; 2 - із стрічковими виводами; 3 - з жорсткими виводами; 4 - на загальній пластині (неподілені); 5 - розділені без втрати орієнтування (наприклад, наклеєні на плівку); 6 - з контактними майданчиками без виводів(кристал).

Контрольні запитання:

1. Що позначає кожен елемент в маркуванні електровакуумних та іонних приладів?

Інструкційна картка №15 для самостійного опрацювання навчального матеріалу з дисципліни «Основи електроніки та мікропроцесорної техніки»

І. Тема: 2 Електронні прилади

2.7 Оптоелектронні прилади

Мета: Формування потреби безперервного, самостійного поповнення знань; розвиток творчих здібностей та активізації розумової діяльності.

ІІ. Студент повинен знати:

• Будову та призначення оптрона;

• Види оптоелектронних пар;

• Умовні позначення.

ІІІ. Студент повинен уміти:

• Використовувати оптоелектронні пристрої в схемних рішеннях.

ІV. Дидактичні посібники: Методичні вказівки до опрацювання.

V. Література: [2, с. 184-192].

VІ. Запитання для самостійного опрацювання:

1. Оптоелектронні інтегральні мікросхеми

VІІ. Методичні вказівки до опрацювання: Теоретична частина.

VІІІ. Контрольні питання для перевірки якості засвоєння знань:

1. Що таке оптоелектроніка?

2. На чому заснована оптоелектроніка?

3. Що собою являє оптоелектронна пара?

4. Які існують способи застосування оптоелектроніки?

ІХ. Підсумки опрацювання:

Характеристики

Список файлов книги