151101 (594624), страница 3

Просмтор этого файла доступен только зарегистрированным пользователям. Но у нас супер быстрая регистрация: достаточно только электронной почты!

Текст из файла (страница 3)

Рис. 3.1. Область гомогенності PbS [2]

Температурну залежність ефективної маси густини станів для електронів і легких дірок визначали за формулою

де ; g_c = g_v = 4

Вважали, що ефективна маса важких дірок не залежить від температури.

Значення параметрів, які використовувались при розрахунках наведені в таблиці 3.2.

Константу рівноваги реакції збудження власної провідності одержимо з виразу

де E_g ширина забороненої зони.

Таблиця 3.3

Константи рівноваги К = К₀ exp (–/kT) утворення атомних дефектів у халькогенідах свинцю PbS

№ п/п			Ka					Kb					Ki					KF										При-мітка
			K0, см-3			H, еВ		K0, см-3			H, еВ		K0, см-6			H, еВ		K0, см-6			H, еВ		K0, см-6,Па-1/2			H, еВ
PbS
1	1,41021			0,14		1,41021			0,14		4,81041			1,0		2,11042			2,5		1,51016			0,50		[6]
2	1,51020			0,12		1,51020			0,12		2,31040			0,83		5,81040			1,80		4,31016			0,20		*

*) – легкі дірки;

**) – важкі дірки.

На відміну від більшості напівпровідників в халькогенідів свинцю ширина забороненої зони в області низьких температур лінійно зростає, а при температурах вищих 500 К лінійність температурної залежності порушується і ширина забороненої зони прямує до сталого значення (таблиця 3.2).

Отримавши таким чином константи K_a, K_b, K_i, значення констант К_F, знайшли апроксимуючи експериментальні залежності границь області гомогенності від температури (рис. 3.1) виразами (3.1). Результати оцінки наведені в таблиці 3.3.

4. Залежність властивостей плівок від термодинамічних

параметрів

Модель

Таблиця 4.1.

№	Реакція	Константа рівноваги
I
II
III
IV
V
VI

Рис.4.1 Ізотерми концентрації носів заряду в плівках ,

Рис.4.2. Ізобари концентрації носів заряду в плівках ,

Рис.4.3. Залежність тиску інверсії від температури

Рис.4.4. Залежність температури інверсії від тиску

Рис.4.5. P-Т- проекція системи Pb-S

Модель

Таблиця 4.2.

№	Реакція		Константа рівноваги
I
II
III
IV
V
VI
VII

Рис.4.6. Ізотерми концентрації носів заряду в плівках ,

Рис.4.7. Залежність тиску інверсії від температури

Рис.4.8. Залежність температури інверсії від тиску

Рис.4.9. P-Т- проекція системи Pb-S

Модель

Таблиця 4.3.

№	Реакція		Константа рівноваги
I
II
III
IV
V
VI
VII

Рис.4.10. Ізотерми концентрації носів заряду в плівках ,

Рис.4.11. Залежність тиску інверсії від температури

Рис.4.12. Залежність температури інверсії від тиску

Рис.4.13. P-Т - проекція системи Pb-S

Модель

Таблиця 4.4.

№	Реакція	Константа рівноваги
I
II
III
IV
V
VI
VII
VIII

Рис.4.14. Ізотерми концентрації носів заряду в плівках ,

Рис.4.15. Ізобари концентрації носів заряду в плівках ,

Рис.4.16. Залежність тиску інверсії від температури

Рис.4.17. Залежність температури інверсії від тиску

Рис.4.18. P-Т - проекція системи Pb-S

Модель

Таблиця 4.5.

№	Реакція	Константа рівноваги
I
II
III
IV
V
VI
VII
VIII

Рис.4.19. Ізотерми концентрації носів заряду в плівках ,

Рис.4.20. Ізобари концентрації носів заряду в плівках ,

Рис.4.21. Залежність тиску інверсії від температури

Рис.4.22. Залежність температури інверсії від тиску

Рис.4.23. P-Т - проекція системи Pb-S

Таблиця 4.6.

2. Література:

4. Ю.М.Равич, Б.А.Ефимова, Н.А.Смирнов, Методы исследования полупроводников в применении к халькогенидам свинца PbTe, PbSe, PbS, Наука, М. (1968)

5. Н.Х.Абрикосов, Л.Е.Шалимова. Полупроводниковые материалы на основе соединений А^IVВ^VI. Наука, М. (1975).

6. И.М.Раренко, Д.М. Фреик. Полупроводниковые материалы и приборы инфракрасной техники. ЧДУ, Черновцы (1980).

7. Ф.Ф.Сизов. Твердые растворы халькогенидов свинца и олова и фотоприемники на их основе // Зарубеж. электрон. техника, 24, сс.3-48 (1977).

8. H.Holloway. Thin Films IV-VI semiconductor photodiodes // Phys. Thin Films, 11, pp.105-203 (1980).

9. Ф.Крегер, Химия несовершенных кристаллов, Мир, М. (1969).

10. В.П.Зломанов, О.В.Матвеев, А.В.Новоселова. Физико-химическое исследование селенида свинца // Вестник МГУ. Химия, 5, cc.81-89 (1967).

11. В.П.Зломанов, О.В.Матвеев, А.В.Новоселова. Определение констант равновесий дефектов в селениде свинца // Вестник МГУ. Химия, 6, cc.67-71 (1968).

12. А.В.Новоселова, В.П.Зломанов. Физико-химическое исследование селенида свинца // Неорган. материалы, 3(8), cc.1323-1329 (1967).

13. А.М.Гаськов, О.В.Матвеев, В.П.Зломанов, А.В.Новоселова. Исследование теллурида свинца // Неорган. материалы. 4(11), cc. 1889-1894 (1969)

14. А.М.Гаськов, В.П.Зломанов, А.В.Новоселова. Область гомогенности теллурида свинца // Неорган. материалы. 15(8), cc.1476-1478 (1979)

15. В.П.Зломанов, А.М.Гаськов. Собственные и примесные дефекты в соединениях группы A^IVB^VI // Рост полупроводниковых кристаллов и плёнок: новые методики, критерии функциональной пригодности материалов, Новосибирск, сс.116-133 (1984).

16. В.П.Зломанов. P-T-x-диаграммы двухкомпонентных систем. МГУ, М. (1980).

17. В.П.Зломанов, А.В.Новоселова. Р-Т-х-диаграммы состояния системы металл-халькоген. Наука, М. (1987).

18. Е.Д. Девяткова, В.А.Саакян. Температурная зависимость ширины запрещенной зоны твердых растворов PbTe_xSe_1-x // ФТТ. 10(5), сс. 1563–1565 (1968).

np

Характеристики

Список файлов ВКР