62954 (588874), страница 4
Текст из файла (страница 4)
Ниже кратко описываются функции регистров, приведенных в таблице А1.
АСС - регистр аккумулятора. Команды, предназначенные для работы с аккумулятором, используют мнемонику "А", например, MOV A, P2. Мнемоника "АСС" используется, к примеру, при побитовой адресации аккумулятора. Так, символическое имя пятого бита аккумулятора при использовании ассемблера ASM51 будет следующим: АСС. 5.Регистр В. Используется во время операций умножения и деления. Для других инструкций регистр В может рассматриваться как дополнительный сверхоперативный регистр.Регистр состояния программы. Регистр PSW содержит информацию о состоянии программы.Указатель стека SP. 8-битовый регистр, содержимое которого инкрементируется перед записью данных в стек при выполнении команд PUSH и CALL. При начальном сбросе указатель стека устанавливается в 07Н, а область стека в ОЗУ данных начинается с адреса 08Н. При необходимости путем переопределения указателя стека область стека может быть расположена в любом месте внутреннего ОЗУ данных микроЭВМ. Указатель данных. Указатель данных (DPTR) состоит из старшего байта (DPH) и младшего байта (DPL). Содержит 16-битовый адрес при обращении к внешней памяти. Может использоваться как 16-битовый регистр или как два независимых восьмибитовых регистра.
Порт0-ПортЗ. Регистрами специальных функций Р0, Р1, P2, РЗ являются регистры-"защелки" соответственно портов Р0, Р1, P2, РЗ.
Буфер последовательного порта. SBUF представляет собой два отдельных регистра: буфер передатчика и буфер приемника. Когда данные записываются в SBUF, они поступают в буфер передатчика, причем запись байта в SBUF автоматически инициирует его передачу через последовательный порт. Когда данные читаются из SBUF, они выбираются из буфера приемника.
Регистры таймера. Регистровые пары (TH0,TL0) и (TH1.TL1) образуют 16-битовые регистры соответственно таймера/счетчика 0 и таймера/счетчика 1.
Регистры управления. Регистры специальных функций IP, IE, TMOD, TCON, SCON и PCON содержат биты управления и биты состояния системы прерываний, таймеров/счетчиков и последовательного порта.
ОМЭВМ при функционировании обеспечивает:
- минимальное время выполнения команд сложения - 1 мкс;
- аппаратное умножение и деление с минимальным временем выполнения команд умножения/деления - 4 мкс
В ОМЭВМ предусмотрена возможность задания частоты внутреннего генератора с помощью кварца, LC-цепочки или внешнего генератора.
Архитектура семейства МК51 несмотря на то, что она основана на архитектуре семейства МК48, все же не является полностью совместимой с ней. В новом семействе имеется ряд новых режимов адресации, дополнительные инструкции, расширенное адресное пространство и ряд других аппаратных отличий. Расширенная система команд обеспечивает побайтовую и побитовую адресацию, двоичную и двоично-десятичную арифметику, индикацию переполнения и определения четности/нечетности, возможность реализации логического процессора.
Важнейшей и отличительной чертой архитектуры семейства МК51 является то, что АЛУ может наряду с выполнением операций над 8-разрядными типами данных манипулировать одноразрядными данными. Отдельные программно-доступные биты могут быть установлены, сброшены или заменены их дополнением, могут пересылаться, проверяться и использоваться в логических вычислениях.
Тогда как поддержка простых типов данных (при существующей тенденции к увеличению длины слова) может с первого взгляда показаться шагом назад, это качество делает микроЭВМ семейства МК51 особенно удобными для применений, в которых используются контроллеры. Алгоритмы работы последних по своей сути предполагают наличие входных и выходных булевых переменных, которые сложно реализовать при помощи стандартных микропроцессоров. Все эти свойства в целом называются булевым процессором семейства МК51.
Благодаря такому мощному АЛУ набор инструкций микроЭВМ семейства МК51 одинаково хорошо подходит как для применений управления в реальном масштабе времени, так и для алгоритмов с большим объемом данных.
Сравнительные данные микросхем приведены в таблице 1.3.2.2
Сравнительные данные ОМЭВМ семейства МК51
Микросхема | Объем внутренней памяти программ, Кбайт | Тип памяти | Объем внутренней памяти данных, байт | Максимальная частота тактовых сигналов, МГц | Потребляемый ток, мА |
КР1816ВЕ31 | - | Внеш. | 128 | 12 | 150 |
КР1816ВЕ51 | 4 | ПЗУ | 128 | 12 | 150 |
КР1816ВЕ751 | 4 | ППЗУ | 128 | 12 | 220 |
КР1830ВЕ31 | - | Внеш | 128 | 12 | 18 |
КР1830ВЕ51 | 4 | ПХУ | 128 | 12 | 18 |
В качестве диодов VD1 ÷ VD4, VD5 ÷ VD8 выберу диод типа КД202В, имеющий параметры: Uобр max (диода) = 70 В, Iср. пр (диода) = 5 А, Iпр max (диода) = 5 А, Uпр (диода) = 0,9 В.
Выберу конденсаторы из ряда Е24:
С1, С2 – К-50-31- 40 В- 4700 мкФ ±20%.
С3 – К-50-31- 40 В- 4700 мкФ ±20%.
С4 – К-50-31- 40 В- 4700 мкФ ±20%.
C5, C6 – КТ4-21-100 В – 20 пФ±20%;
C7 - К-50-31- 40 В- 10 мкФ ±20%;
C8 – К-53-1- 30 В- 0.1 мкФ ±20%;
C9 - К-53-25- 40 В- 2.2 мкФ ±20%;
C10 – К-53-25- 40 В- 4.7 мкФ ±20%.
В качестве трансформатора выберу трансформатор ТПП321 – 200,0 на стержневом сердечнике ПЛМ 27х40х58, имеющий параметры Sн = 200 ВА; U1 = 127/220 В; I1 = 2.03/1.15 А; I2 = 4 А; f = 50 Гц.
В качестве обмоточных проводов выберу провода ПЭВТВ-2 с диаметрами 0.8 мм и 0.21 мм.
В качестве транзисторов VT3 и VT6 выберу транзисторы КТ827А(n-p-n). Параметры транзистора: Iк max=20 А, Uкэ max=90 В, Рк maxт=125 Вт, h21Э=750, IКБО≤1mА, Тпер max=150 ˚С, Тпер max=125 ˚С
В качестве транзисторов VT1 – VT2 выберу транзистор КТ315Д (n-p-n).
Параметры транзистора: Iк max=100 mА, Uкэ max=40 В, Рк max=0.15 Вт, h21Э ≥ 20, IКБО ≤ 1 mА, Тпер max=120 ˚С, IЭБО < 30 мкА
Из ряда Е24 выберу резисторы:
R1 – МЛТ - 0.125- 47 кОм ±5%;
R2 – СП-2-2а - 0.5 - 10 кОм ±10%;
R3 – МЛТ- 0.125 - 5.1 кОм ±5%;
R4 – МЛТ- 0.125 - 10 кОм ±5%;
R5 - МЛТ - 0.125- 91 кОм ±5%;
R6 – МЛТ- 0.125 - 10 кОм ±5%.
R8, R13– МЛТ - 0.125- 910 Ом ±5%
R9, R14– МЛТ - 0.125- 20 кОм ±5%.
R10, R15– МЛТ - 0.125-4.3 кОм ±5%.
R11, R16 – МЛТ - 0.125-360 Ом ±5%.
R12, R17– МЛТ - 0.125 - 20 Ом ±5%.
R18 – МЛТ - 0.125- 47 кОм ±5%;
R19 – СП-2-2а - 0.5 - 10 кОм ±10%;
R20 – МЛТ- 0.125 - 5.1 кОм ±5%;
R21 – МЛТ- 0.125 - 10 кОм ±5%;
R22 - МЛТ - 0.125- 91 кОм ±5%;
R23 – МЛТ- 0.125 - 10 кОм ±5%.
R24 – МЛТ - 0.125- 47 кОм ±5%;
R25 – СП-2-2а - 0.5 - 10 кОм ±10%;
R26 – МЛТ- 0.125 - 5.1 кОм ±5%;
R27 – МЛТ- 0.125 - 10 кОм ±5%;
R28 - МЛТ - 0.125- 91 кОм ±5%;
R29 – МЛТ- 0.125 - 10 кОм ±5%.
R30 – МЛТ - 0.125- 8.2 кОм ±5%;
R31, R32, R33, R34 – МЛТ – 0.125- 4.3 кОм ±5%.
R35, R36, R37 – МЛТ – 0.125- 220 Ом ±5%.
R38 – МЛТ - 0.125- 1.6 кОм ±5%;
R39 – СП-2-2а - 0.5 - 22 кОм ±10%;
В качестве диодов VD9 ÷ VD12 выберу диоды типа КД213А имеющие параметры: Uобр max (диода) =200 В, Iср. пр (диода) =1.5 А, Iпр max (диода) =10 А, Uпр (диода)= 1В, частотный рабочий диапазон равен 50 кГц.
Исходя из параметров в качестве ключей выберу двухконтактное реле РЭС-22 типа РФ 4.500.130
В качестве транзисторов VT7 – VT8 выберу транзисторы типа КТ502А с параметрами: Iк max=150 мА; Uкэ max= 25 В; Uкэ нас = 0,6 В; Pк max = 350 мВт; β= 120.
-
Описание принципа действия
Разработанное устройство поддерживает два режима работы:
1) нормальный режим работы – нагрузка получает питание непосредственно от сети 220В;
2) аварийный режим работы - нагрузка получает питание от источника
бесперебойного питания в случае, если напряжение сети отсутствует или менее значения нижнего предела напряжения сети.
Нормальный режим работы системы резервного электропитания:
В нормальном режиме напряжение на выходе выпрямителя больше, чем напряжение с выхода аккумулятора, поэтому напряжение на выходе компаратора 1 равно +5В, что соответствует высокому уровню сигнала (лог.1) для блока управления.
В качестве блока управления используется однокристальный микроконтроллера семейства МК51 (К1816ВЕ751). Состояние лог.1 соответствует нормальному режиму работы системы резервного электропитания, а значит, блок управления формирует управляющие сигналы для ключ 1 и 2 при которых ключ 1 – замкнут), напряжение сети подается на нагрузку), а ключ 2 – разомкнут (аккумулятор отключен от инвертора).
В этом режиме происходит заряд аккумулятора, а питание микросхем устройства осуществляется от стабилизатора подключенного к аккумулятору.
Состояние сигналов на выходе компаратора 2 и 3 равно +5 В и 0 В и в данном случае блоком управления не обрабатывается.
Аварийный режим работы системы резервного электропитания:
В аварийном режиме напряжение на выходе выпрямителя меньше, чем напряжение с выхода аккумулятора, поэтому напряжение на выходе компаратора 1 равно 0 В, что соответствует низкому уровню сигнала (лог.0) для блока управления.
Состояние лог.0 соответствует аварийному режиму работы системы резервного электропитания, а значит, блок управления формирует управляющие сигналы для ключ 1 и 2 при которых ключ 1 – разомкнут (сеть отключена от нагрузки), а ключ 2 – замкнут (аккумулятор подключен к инвертору).
Так же блок управления формирует управляющие импульсные сигналы длительностью 45 мкс для ключей инвертора и включает индикатор “Аварийный режим”.
В этом режиме напряжение аккумулятора преобразуется инвертором в переменное напряжение 220 В, а питание микросхем устройства осуществляется от стабилизатора подключенного к аккумулятору.
Состояние выходов компараторов 2 и 3 отслеживается блоком управления.
В случае, если напряжение на аккумуляторе становится меньше, чем заданное опорное Uоп2, то на выходе компаратора 2 формируется лог.0 (0 В), который соответствует режиму разряженного аккумулятора (напряжение аккумулятора меньше допустимого значения) и блок управления включает индикатор “Аккумулятор разряжен”.
При появлении напряжения на выходе инвертора его пониженное значение сравнивается с фиксированным значением Uоп3. При соответствии выходного напряжения системы резервного электропитания значению 220 В на выходе компаратора 3 устанавливается лог.1 (+5В). В случае если напряжение на выходе инвертора становится меньше - вырабатывается управляющий сигнал (лог.0), который соответствует режиму при котором система резервного электропитания не обеспечивает заданное значение на выходе источника (напряжение источника меньше допустимого значения) и блок управления включает индикатор “Смените источник питания”.
При восстановлении напряжения сети системы резервного электропитания опять переходит в режим нормальной работы.
2. Конструкторско-технологический раздел
2.1 Разработка печатной платы
Печатные платы представляют собой диэлектрическую пластину с нанесенным на нее токопроводящим рисунком (печатным монтажом) и отверстиями для монтажа элементов.
При конструировании РЭА на печатных платах используют следующие методы: