Аморфные полупроводниковые оксиды (1268262)

Просмтор этого файла доступен только зарегистрированным пользователям. Но у нас супер быстрая регистрация: достаточно только электронной почты!

Текст из файла

Аморфные полупроводниковые оксидыаспирантка 2 г/о Химического факультета Воробьева Н.А.Научный руководитель: доцент, д.х.н. Румянцева М.Н.Рецензент: доцент, к.ф.-м.н. Форш П.А.Уникальной особенностью аморфных материалов по сравнению с кристаллическимиявляется возможность получения равномерных тонких плѐнок на большой поверхностиподложки при низких температурах. Открытие и изучение аморфных полупроводниковначались в 1950-х годах, наибольший вклад в развитие электроники внесли исследованияаморфного гидрированного кремния (a-Si:H). a-Si:H был первым аморфным материалом, длякоторого была показана возможность контроля типа носителей заряда и их концентрации засчѐт допирования другими элементами, как и в случае кристаллического кремния, что привелок созданию «giant micro-electronics» - электроники, в которой используются схемы,занимающие большую площадь поверхности.История аморфных полупроводниковых оксидов началась в 1954 году с исследованияпроводящих стѐкол, содержащих большое количество V2O5, были исследованы системыразного состава из оксидов металлов и P2O5.

Однако для данных материалов подвижностьносителей заряда низкая и составляет около 10-4 см2(В·с)-1.В последнее время для развития электроники необходимо получение прозрачныхпроводящих плѐнок на гибких подложках («flexible electronics»). Было предложеноиспользовать органические полупроводники, но их применение ограничено низкимихимической стабильностью и подвижностью носителей заряда. Альтернативой органическимполупроводникам являются аморфные проводящие оксиды с электронной конфигурациейкатионов металлов (n-1)d10ns0, n ≥ 5.

Наиболее изучены аморфные системы на основе In-GaZn-O и Cd-Sn-O, Cd-Ge-O. Механизм транспорта носителей заряда сложный. Величиныподвижностидостигают50 см2(В·с)-1,чтовыше,чемдлямногихкоммерческихкристаллических прозрачных полупроводниковых оксидов. Была предложена модель(Х. Хосоно и др.), согласно которой высокая подвижность электронов в этих аморфныхпроводящих оксидах обусловлена перекрыванием s-орбиталей катионов металлов.В докладе будут рассмотрены современное состояние исследования аморфныхполупроводниковых оксидов, обсуждены имеющиеся модели этих систем, приведеныпримеры использования и основные характеристики изученных материалов..

Характеристики

Тип файла PDF

PDF-формат наиболее широко используется для просмотра любого типа файлов на любом устройстве. В него можно сохранить документ, таблицы, презентацию, текст, чертежи, вычисления, графики и всё остальное, что можно показать на экране любого устройства. Именно его лучше всего использовать для печати.

Например, если Вам нужно распечатать чертёж из автокада, Вы сохраните чертёж на флешку, но будет ли автокад в пункте печати? А если будет, то нужная версия с нужными библиотеками? Именно для этого и нужен формат PDF - в нём точно будет показано верно вне зависимости от того, в какой программе создали PDF-файл и есть ли нужная программа для его просмотра.

Список файлов семинаров