Диссертация (1149967), страница 13
Текст из файла (страница 13)
Агекян В.Ф., Борисов Е.В., Воробьев Л.Е., Мелентьев Г.А. и др.Оптические и электрические свойства микроструктур на основе GaN:Si сшироким диапазоном уровней легирования // Физика твёрдого тела. 2015.Том 57. № 4. С. 768-774А2. Агекян В.Ф., Борисов Е.В., Серов А.Ю., Философов Н.Г.
Оптическиесвойства объемных монокристаллов нитрида галлия, выращенных методомхлорид-гидридной газофазной эпитаксии // Физика твёрдого тела. 2017. Том59. № 12. С. 2392-2395А3. Кудряшов Д.А., Гудовских А.С., Бабичев А.В., Филимонов А.В.,Можаров А.М., Агекян В.Ф., Борисов Е.В., Серов А.Ю., Философов Н.Г.Наноразмерные пленки Cu2O: формирование методом ВЧ-магнетронногораспыления, исследование структурных и оптических свойств // Физика итехника полупроводников.
2017. Том 51. №1. С. 111-115112Список цитированной литературы1. Строшио М., Дутта М. Фононы в наноструктурах // ФИЗМАТЛИТ.Москва. 2006. С. 3202. Kittel C. Introduction to Solid State Physics - 5th edition // John Wiley &Sons. New York. 1976. P. 5993. Schumm M. ZnO-based semiconductors studied by Raman spectroscopy:semimagnetic alloying, doping, and nanostructures // Julius–Maximilians–Universitat. 2008. P.
1934. Loudon R. The Raman effect in crystals // Advances in Physics. 1965. Vol.13. P. 423-4825. Hayes W., Loudon R. Scattering of Light by Crystals // John Wiley & Sons.New York. 1978. P. 3686. Cardona M., Gilntherodt G. Light Scattering in Solids I // Springer-Verlag.New York. 1975. P. 3337. Cardona M., Gilntherodt G. Light Scattering in Solids IV // Springer-Verlag.New York.
1975. P. 5448. Cardona M., Gilntherodt G. Light Scattering in Solids V // Springer-Verlag.New York. 1975. P. 3539. Blakemore J. S. Solid State Physics 2nd edition // Cambridge UniversityPress. Cambridge. 1985. P. 52010. Bougrov V., Levinshtein M.E., Rumyantsev S.L., Zubrilov A.
Properties ofAdvanced Semiconductor Materials: GaN, AlN, InN, BN, SiC, SiGe // JohnWiley & Sons. New York. 2001. P. 21611. Siegle H., Kaczmarczyk G., Filippidis L., Litvinchuk L., Hoffmann A.,Thornsen C. Zone-boundary phonons in hexagonal and cubic GaN // PhysicalReview B. 1997. Vol. 55. №11.
P. 7000-700412. Harima H. Properties of GaN and related compounds studied by means ofRaman scattering // Journal of Physics: Condensed Matter. 2002. Vol. 14. P.967-99311313. Irmer G., Roder C., Himcinschi C., Kortus J. Raman tensor elements andFaust-Henry coefficients of wurtzite-type a-GaN: How to overcome thedilemma of the sign of Faust-Henry coefficients in a-GaN? // Journal ofApplied Physics. 2014. Vol.
116. P. 1-1314. Borisov E., Shelukhin L. Optical properties of GaN epitaxial layers dopedby Si // Book of abstracts of the International Student Conference ― Scienceand Progress. 2012. P. 6915. Киттель Ч. Квантовая теория твердых тел // Наука. Москва. 1967. С.49216. Agekyan V.F., Borisov E.V., Vorobjev L.E., Melentyev G.A.
et. al. Opticaland Electrical Properties of GaN: Si-Based Microstructures with a Wide Rangeof Doping Levels // Physics of the Solid State. 2015. Vol. 57. №4. P. 787-79317. Уханов Ю. Оптические свойства полупроводников // Наука. Москва.1977. С. 36818. Wetzel C., Walukiewicz W., Haller E. E., Ager J. Carrier localization of asgrown n-type gallium nitride under large hydrostatic pressure // PhysicalReview B.
1996. Vol. 53. №3. P. 1322-132619. Emtsev V.V., Davydov V.Yu., Kozlovskii V.V., Lundin V.V. Point defectsin γ-irradiated n-GaN // Semiconductor Science and Technology. 2000. Vol. 15.№1. P. 73-7820. Jaeger R.C. Introduction to Microelectronic Fabrication (2nd ed.) // PrenticeHall. Upper Saddle River. 2002. P. 31621. Scheel H., Fukuda T. Crystal growth technology // John Wiley & Sons.New York. 2003. P.
66822. Voronenkov V., Bochkareva N., Gorbunov R., Latyshev P. et. al. Nature ofV-Shaped Defects in GaN // Japanese Journal of Applied Physics. 2013.Vol.52. №8S. P. 1-423. Voronenkov V.V., Bochkareva N.I., Gorbunov R.I., Latyshev P.E. et. al.Two modes of HVPE growth of GaN and related macrodefects // Physica StatusSolidi C.
2013. Vol. 10. №3. P. 468-47111424. Lagerstedt O., Monemar A. Variation of lattice parameters in GaN withstoichiometry and doping // Physical Review B. 1979. Vol. 19. №6. P. 3064307025. Monemar B. Fundamental energy gap of GaN from photoluminescenceexcitation spectra // Physical Review B. 1974. Vol. 10. №2.
P. 676-68126. Kornitzer K., Ebner T., Thonke K., Sauer R. Photoluminescence andreflectance spectroscopy of excitonic transitions in high-quality homoepitaxialGaN films // Physical Review B. 1999. Vol. 60. №3. P. 1471-147327. Stepniewski R., Korona K. P., Wysmole, A., Baranowski J. M. Polaritoneffects in reflectance and emission spectra of homoepitaxial GaN // PhysicalReview B. 1997. Vol. 56. №23. P. 15151-1515628.
Fritze S., Dadgar A., Witte H., Bugler M. et. al. High Si and Ge n-typedoping of GaN doping-Limits and impact on stress //Applied Physics Letters.2012. Vol. 100. №12. P. 1-429. Permogorov S.A. Excitons // North-Holland Publishing Company.Amsterdam. 1982. P. 17730. Вербин С.Ю., Клочихин А.А., Пермогоров С.А. Резницкий А.Н.Физика твёрдого тела. 1980. Том 22.
С. 209531. Гросс Е. Ф., Пермогоров С. А., Разбирин Б. С. Аннигиляция экситонови экситон-фононное взаимодействие // Успехи физических наук. 1971.Том 103. №3. С. 431-44632. Buyanova I.A., Bergman J.P., Monemar B., Amano H. Effects of defectscattering on the photoluminescence of exciton-polaritons in n-GaN // SolidState Communications. 1998. Vol. 105.
№8. P. 497-50133. Ткачман М.Г., Шубина Т.В., Жмерик И.Н., Иванов С.В. и др.Фононная люминесценция экситонов в слоях GaN, выращенных методамимолекулярно-пучковой и хлорид-гидридной газофазной эпитаксии //Физика и техника полупроводников. 2003. Том 37. №5.
С. 552-55634. Mott N.F., Twose W.D. The Theory of Impurity Conduction // Advances inPhysics. 1961. Vol. 10. №38. P. 107-16311535. LevanyukA.P.,OsipovV.V.Edgeluminescenceofdirect-gapsemiconductors // Physics-Uspekhi. 1981. Vol. 24. №3. P. 187-21536. Kim C., Robinson I.K., Myoung J., Shim K. et. al. Critical thickness of GaNthin films on sapphire (0001) //Applied Physics Letters. 1996. Vol. 69. №16.
P.2358-236037. WetzelC.,WalukiewiczW.,HallerE.E.,AmanoC.et.al.Photoluminescence studies of GaN and AlGaN layers under hydrostaticpressure // MRS Online Proceedings Library Archive. 1995. Vol. 378. P. 50938. Misra A., Bist H.D., Navati M.S., Thareja R.K. et. al. Thin film ofaluminum oxide through pulsed laser deposition: а micro-Raman study //Materials Science and Engineering: B. 2001. Vol. 79. №1. P. 49–5439. Kim J. G., Kimura A., Kamei Y., Hasuike N. et al. Observation oflongitudinal-optic-phonon-plasmon-coupled mode in n-typeAlGaN alloy films// Applied Physics Letters.
2011. Vol. 99. №25. P. 1-440. Bartolo B.D. Optical Interactions in Solids // John Wiley & Sons. NewYork. 1968. P. 61241. Melentyev G.A., Yaichnikov D.Yu., Shalygin V.A., Vinnichenko M.Ya.et.al. Plasmon phonon modes and optical resonances in n-GaN // Journal ofPhysics: Conference Series. 2016. Vol. 690. №1. P.
1-742. Reshchikov M., Morkoc H. Luminescence properties of defects in GaN //Journal of Applied Physics. 2005. Vol. 97. №6. P. 1-9643. Davydov V.Yu., Kitaev Yu.E., Goncharuk I.N., Smirnov A.N. et. al.Phonon dispersion and Raman scattering in hexagonal GaN and AlN // PhysicalReview B. 1998.
Vol. 58. №19. P. 12899-1290744. Look D. C. Recent advances in ZnO materials and devices // MaterialsScience and Engineering: B. 2001. Vol. 80. №1-3. P. 383-38745. Polyakov A.Y., Smirnov N.B., Govorkov A.V., Kozhukhova E.A. et. al.Proton implantation effects on electrical and recombination properties ofundoped ZnO // Journal of Applied Physics. 2003.
Vol. 94. №5. P. 2895-290011646. Kucheyev S.O., Williams J.S., Jagadish C., Zou J. et. al. Ion-beamproduced structural defects in ZnO // Physical Review B. 2003. Vol. 67. №9. P.1-1147. Kasuga M., Mochizuki M. Orientation relationships of zinc oxide onsapphire in heteroepitaxial chemical vapor deposition // Journal of CrystalGrowth. 1981. Vol. 54. №2. P. 185-19448. Srikant V., Sergo V., Clarke D.R.
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
