Диссертация (1097990), страница 52
Текст из файла (страница 52)
437-442.253. Iye Y., Tanuma S. Superconductivity of graphite intercalation compounds stage and pressure dependence of anisotropy // Synth. Metals. 1983. V. 5. N. 3.P. 257-276.254. Culik J.S., Chung D.D.L. Calorimetric study of the order-disorder transforma-- 357 tions in graphite-halogens // Materials science and engineering. 1979. V. 37.P. 213-221.255. Каримов Ю.С., Новиков Ю.Н. Фазовые переходы в двумерном ферромагнетике с анизотропией "легкая плоскость" // Письма в ЖЭТФ. 1974.Т.
19. № 5. С. 268-271.256. Харьков Е.И., Колесниченко Л.Л., Мацуй Л.Ю. Электропроводность игальваномагнитные свойства графита, интеркалированного SbСl5 // ФТТ.1983. Т. 25. № 2. С. 594-596.257. Займан Дж. Принципы теории твердого тела. – М.: Мир, 1966. – 478 с.258. Лепешкин С.В. Первопринципное исследование динамики решетки иплавления легких щелочных металлов при высоких давлениях: рукопись дис.на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук: 01.04.02 / Лепешкин Сергей Владимирович.
– М: Физический институт им. П.Н. Лебедева., 2013. –102 с.259. Громов Д.Г., Гаврилов С.А. Проявление гетерогенного механизма приплавлении малоразмерных систем // ФТТ. 2009. Т. 51. № 10. С. 2012-2021.260. Abe T., Mizutani Ya., Shinoda N., Asano M., Harada T., Murakami M.Debye-Waller factors of ICl-graphite intercalation compounds prepared from natural graphite flakes and graphitized polyimide films // J. Phys. Chem. Solids. 1996.V. 57. N. 6-8. P. 783-786.261. Кульбачинский В.А. Электронные свойства и сверхпроводимость низкоразмерных углеродных структур // ФНТ.
2004. Т. 30. № 11. С. 1105-1114.262. McRae E., Metrot A., Willmann P., Herold A. Evolution of electrical resistivity for graphite-H2SO4 and graphite oleum compounds // Phisica B. 1980. V. 99.P. 541-546.263. Кульбачинский В.А. Энергетический спектр и локализация электронов всистемах пониженной размерности: дис. на соискание ученой степени доктора физ.-мат. наук: 01.04.07 / Кульбачинский Владимир Анатольевич.
– М.,1991. – 338 с.- 358 264. Baiker A., Habegger E., Sharma V.K., Richars W. Order-disorder transformations of graphite-aluminium chloride intercalation compounds // Carbon. 1981. V.19. N. 4. P. 327-328.265. Елесин В.Ф. Явления абсолютной отрицательной проводимости в неравновесных трехмерных полупроводниках // УФН. 2012. Т.182. № 4. С. 197-201.266. Рыжий В.И.
Абсолютная отрицательная проводимость, индуцированнаямикроволновым излучением, и состояния с нулевым сопротивлением в двумерных электронных системах: история и современное состояние // УФН.2012. Т. 182. № 4. С. 205-213.267. Гантмахер В.Ф., Зверев В.Н. Магнитопримесные резонансы как индикатор инверсной функции распределения фотоэлектронов в полупроводниках //УФН.
2005. Т. 175. № 2. С. 201-205.268. Mayorov A.S., Gorbachev R.V., Morozov S.V., Britnell L., Jalil R., Ponomarenko L.A., Blake P., Novoselov K.S., Watanabe K., Taniguchi T., Geim A.K.Micrometer-scale ballistic transport in encapsulated grapheme at room temperature// Nano Lett. 2011. V. 11. P. 2396-2399.269. Морозов С.В. Новые эффекты в графене с высокой подвижностью носителей // УФН. 2012. Т. 182. № 4.
С. 437-442.270. Uher C., Hockey R.L., Ben-Jacob E. Pressure dependence of the c-axis resistivity of graphite // Phys. Rev. B. 1987. V. 35. N. 9. P. 4483-4488.271. Беленький Г.Л., Салаев Э.Ю., Сулейманов Р.А. Деформационные явления в слоистых кристаллах // УФН. 1988. Т. 155. № 1. С. 89-127.272. Аншукова Н.В., Булычев Б.М., Головашкин А.И., Иванова Л.И., Крынецкий И.Б., Минаков А.А., Русаков А.П. Аномальное поведение тепловыххарактеристик MgB2 при низких температурах // ЖЭТФ. 2003. Т.
124. № 1(7).С. 80-88.273. Головашкин А.И., Русаков А.П. Об аномальном тепловом расширениивысоко-температурных сверхпроводников при низких температурах // ФТТ.2007. Т. 49. № 8. С. 1363-1368.- 359 274. Крынецкий И.Б., Кульбачинский В.А., Шабанова Н.П., Цикунов А.В.,Коваленко В.И., Родин В.В., Гаврилкин С.Ю. Аномальное тепловое расширение слоистого полупроводника InSe в области низких температур // ЖЭТФ.2013. Т. 143. № 5. С. 1005-1008.275. Nelson J.B., Riley D.P. The thermal expansion of graphite from 15°C to800°C: part I.
Experimental // Proceedings of the Physical Society. 1945. V. 57.N. 6. P. 477-486.276. Riley D.P. The thermal expansion of graphite: part II. Theoretical // Proceedings of the Physical Society. 1945. V. 57. N. 6. P. 486-495.277. Брандт Н.Б., Кувшинников С.В., Попов В.П., Хамамда С., Хоткевич В.И.Тепловое расширение соединения внедрения в графит первой ступени в интервале температур 4-300 К // ФНТ. 1984.
Т. 9. № 10. С. 1113-1117.278. Попов В.П., Перваков В.А. Прецизионное изменение малых разностейтемпературных коэффициентов линейного расширения в интервале 4-80 К //Измерен. техн. 1978. Т. 12. С. 48-49.279. Брандт Н. Б., Чудинов С. М. Электроны и фононы в металлах: Учеб. пособие. – 2-е изд., перераб. и доп. – М.: Изд. МГУ, 1990. – 335 с.280. Лифшиц И.М. О тепловых свойствах цепных и слоистых структур принизких температурах // ЖЭТФ.
1952. Т. 22. № 4. С. 475-483.281. Suleimanov R.A., Abdullaev N.A. The nature of negative linear expansion ofgraphite crystals // Carbon. 1993. V. 31. N. 7. P. 1011-1013.282. Абдуллаев Н.А., Мамедов Т.Г., Сулейманов Р.А. Тепловое расширениеслоистых монокристаллов TlGaSe2 и TlInS2 // ФНТ. 2001. Т. 27. № 8.С. 915-920.283. Абдуллаев Н.А. Особенности упругих свойств слоистых кристаллов //ФТТ.
2006. Т. 48. № 4. С. 623-629.284. Головашкин А.И., Русаков А.П. Об аномальном тепловом расширениивысокотемпературных сверхпроводников при низких температурах // ФТТ.2007. Т. 49. № 8. С. 1363-1368.- 360 285. Аншукова Н.В., Булычев Б.М., Головашкин А.И., Иванова Л.И., Крынецкий И.Б., Минаков А.А., Русаков А.П. Аномальное поведение тепловыххарактеристик MgB2 при низких температурах // ЖЭТФ. 2003. Т. 124. № 1(7).С. 80-88.286. Крынецкий И.Б., Кульбачинский В.А., Шабанова Н.П., Цикунов А.В.,Коваленко В.И., Родин В.В., Гаврилкин С.Ю. Аномальное тепловое расширение слоистого полупроводника InSe в области низких температур // ЖЭТФ.2013.
Т. 143. № 5. С. 1005-1008.287. Tsuji T., Yamanaka K. Observasion by atomic force microscopy of reversibledisplacement of subsurface dislocations in highly oriented pyrolitic graphite // Nanotechnology. 2001. V. 12. P. 301-307.288. Mooij J.H. Electrical conduction in concentrated disordered transition metalalloys // Phys. Stat. Sol. 1973. V. 17. P.
521-530.289. Wiesmann H., Gurvitch M., Lutz H., Ghosh A., Schwarz B., Strongin M., Allen P.B., Halley J.W. Simple model for characterizing the electrical resistivity inA-15 superconductors // Phys. Rev. Lett. 1977. V. 38. N. 14. P. 782-785.290. McRae E., Polo V., Vangelisti R., Lelaurain M. Heterocomplex-based graphite lamellar compounds: C22CuAl2Cl8,5 and C10Cd0,2AlCl3,7 intercalation pathway, structure and transport // Carbon. 1996. V.
34. N. 4. P. 101-107.291. Амелинкс С. Методы прямого наблюдения дислокаций. – М.: Мир, 1968.– 440 с.292. Галиева Е.Г., Антонова О.В., Панфилов П.Е., Титов А.Н. Особенностидислокационной структуры слоистых дихалькогенидов титана ТiX2 (X = S,Se, Te) // ФТТ. 2011. Т. 53. № 5.
С. 984-992.293. Lenser, C., Z. Connel, A. Kovacs, R. Dunin-Borkowski, A. Kohl, R. Waser,and R. Dittmann. Identification of screw dislocations as fast-forming sites in Fedoped SrTiO3 // Applied Physics Letters. 2013. V. 102. P. 183504.294. Heyvaert I., Osquiguil E., Van Haesendonck C., Bruynseraede Y. Etching ofscrew dislocations in YBa2Cu3O7 films with a scanning tunneling microscope //- 361 Appl.
Phys. Lett. 1992. V. 61. N. 1. P. 111-113.295. Ran Y., Zhang Y., Vishwanath A. One-dimensional topologically protectedmodes in topological insulators with lattice dislocations // Nature Physics. 2009.V. 5. P. 298-303.296. Hennig G.R. Screw dislocations in graphite // Science. 1965. V. 147. N. 2.P. 733-734.297. Thompson A.H., Gamble F.R., Jr. Koehler R.F. Effects of intercalation onelectron transport in tantalum disulfide // Phys.
Rev. B. 1972. V. 5. № 8.P. 2811-2816.298. Clarke R., Uher C. High pressure properties of graphite and its intercalationcompounds // Adv. in Phys. 1984. V. 33. N. 5. P. 469-566.299. Hsu J.W.P., Manfra M.J., Molnar R.J., Heying B., Speck J.S.
Direct imagingof reverse-bias leakage through pure screw dislocations in GaN films grown bymolecular beam epitaxy on GaN templates // Appl. Phys. Lett. 2002. V. 81. N. 1.P. 79-81.300. Hsu J.W.P., Manfra M.J., Chu S.N.G., Chen C.H., Pfeiffer L.N., Molnar R.J.Effect of growth stoichiometry on the electrical activity of screw dislocations inGaN films grown by molecular-beam epitaxy // Applied Phys. Lett. 2001. V.
78.№ 25. P. 3980-3982.301. Song J., Xu F.J, Yan X.D., Lin F., Huang C.C., You L.P., Yu T.J., WangX.Q., Shen B., Wei K., Liu X.Y. High conductive gate leakage current channelsinduced by In segregation around screw- and mixed-type threading dislocations inlattice-matched InxAl1−xN/GaN heterostructures // Applied Phys. Lett. 2010.V. 97.P.
232106-232108.302. Гантмахер В.Ф. Электроны в неупорядоченных средах. – 3-е изд., испр.и доп. – М.: ФИЗМАТЛИТ, 2013. – 288 с.303. Leng Y., Gu J., Cao W., Zhang T.-Y. Influences of density and flake size onthe mechanical properties of flexible graphite // Carbon. 1998. V. 36. N. 7-8.P. 875-881.- 362 304. Dowell M.B., Howard R.A. Tensile and compressive properties of flexiblegraphite foils // Carbon.
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
