Заключение кафедры (1091461)
Текст из файла
«Утверждаю» аучной работе И.В.Соловьев оз 2015 ВЫПИСКА из протокола№ 5 заседания кафедры физики федерального государственного бюджетного образовательного учреждения высшего образования «Московский государственный университет информационных технологий, радиотехники и электроники» от « 28 » ~авг ста 2015 года ПРИСУТСТВОВАЛИ: доцент И.А.
Анищенко„доцент А.М. Бищаев, доцент Г.Э. Бугров, профессор В.А. Давыдов, доцент Ю.Н. Епифанов, старший преподаватель Е.В. Жданова, заведующий кафедрой А.А. Задерновский, профессор М.М. Зверев, доцент М.В. Козинцева, доцент Е.В. Козис, доцент Ю.В. Коробкин, доцент Т.Ю. Любезнова, доцент А.М. Попов, доцент А.Ю. Пыркин, старший преподаватель В.А.
Росляков, доцент В.И. Рябенков, доцент А.А. Сафронов, доцент В.Б. Студенов, доцент Ю.И. Туснов, старший преподаватель В.В. Филимонов, старший преподаватель А.В. Чайкин, доцент Ф.А. Шаталов, доцент Н.А. Экономов. обсуждение диссертации старшего преподавателя Е.В. Ждановой «Излучатели на основе полупроводниковых наногетероструктур с накачкой электронным пучком» на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук.
СЛУШАЛИ: 1. Выступление заведующего кафедрой физики профессора А.А. Задерновского о месте выполнения диссертационной работы и соискателе. 2. Доклад старшего преподавателя Ждановой Елены Владимировны по теме диссертации «Излучатели на основе полупроводниковых наногетероструктур с накачкой электронным пучком» на соискание учйной степени кандидата физико-математических наук. ПОСТАНОВИЛИ: рек омендовать диссертацию старшего преподавателя Е.В.
Ждановой «Излучатели на основе полупроводниковых наногетероструктур с накачкой электронным пучком», к защите на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук по специальности 05.27.01 «Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано- электроника, приборы на квантовых эффектах» и утвердить следующее заключение. ЗАКЛ1ОЧ ЕНИЕ Диссертационная работа «Излучатели на основе полупроводниковых наногетероструктур с накачкой электронным пучком» была выполнена старшим преподавателем Ждановой Еленой Владимировной на кафедре физики МИРЭА. В своем выступлении Е.В.
Жданова изложила основные положения диссертационного исследования. Была сформулирована актуальность темы и цель работы, подробно отражены научная новизна и практическая значимость полученных результатов. Актуальность проблемы. Диссертационная работа посвящена изучению характеристик квантоворазмерных гетероструктур с поперечной накачкой электронным пучком и направлена на решение актуальной научной задачи — оптимизацию конструкции таких структур с целью повышения эффективности работы излучателей и снижения пороговой плотности тока и рабочей энергии электронного пучка — источника накачки лазеров на основе таких структур. Использование электронного пучка является перспективным методом накачки полупроводниковых структур, поскольку позволяет создать полупроводниковые излучатели в широком спектральном диапазоне от ближнего ИК- до УФ-диапазона.
При этом, в таких излучателях не требуется создания р-п переходов н омических контактов, что, с одной стороны, позволяет существенно уменьшить технологические трудности их изготовления, а с другой стороны, позволяет разрабатывать излучатели на основе структур ОаМ/А10аХ в дальней УФ-области спектра, в которой создание материалов р-типа проводимости является весьма проблематичным. Цель диссертационной работы.
Целью работы является оптимизация параметров квантоворазмерных гетероструктур, направленная на улучшение их излучательных характеристик при электронно-лучевой накачке, а также исследование путей снижения рабочей энергии электронного пучка и пороговой плотности тока излучателей на основе исследуемых структур. Для достижения поставленной цели решались следующие задачи. 1.
Проведены расчеты пространственного распределения концентрации носителей в структурах различных типов при различных значениях энергии электронов источников накачки. 2. Исследованы зависимости пороговой плотности тока от рабочей энергии электронов для лазеров различных спектральных диапазонов с поперечной накачкой электронным пучком на основе квантоворазмерных полупроводниковых структур.
3. Выработаны рекомендации по оптимизации конструкций ХпЯе-содержащих гетероструктур для полупроводниковых лазеров сине-зеленого диапазона с поперечной накачкой электронным пучком, позволяющих работать при низких ускоряющих напряжениях. 4. Экспериментально продемонстрированы возможности уменьшения рабочей энергии электронного пучка — источника накачки лазеров на основе ХпЯе-содержащих гетеро структур.
5, Выполнена оптимизация конструкций многослойных ХпЯе-содержащих гетероструктур для полупроводниковых излучателей с поперечной накачкой электронным пучком, позволяющих получать высокие выходные мощности излучения. 6. Проведены расчеты конструкций структур на основе А1ОаАзЛпйаАз для излучателей ИК-диапазона. 7. Экспериментально продемонстрированы возможности уменьшения рабочей энергии электронного пучка — источника накачки лазеров ИК-диапазона. 8. Проведены расчеты конструкций структур АЮаХ для УФ излучателей, что позволило оптимизировать структуру уменьшить рабочую энергию электронного пучка. Научная новизна работы. При выполнении работы впервые получены следующие научные результаты.
1. Впервые проведены расчеты пространственного распределения концентрации носителей в ХпЯе-содержащих квантоворазмерных структурах при различных значениях энергии электронов накачки. 2. Впервые предложена модель расчета пороговой плотности тока полупроводниковых лазеров с поперечной накачкой электронным пучком, учитывающая пространственное распределение энергии накачки, дрейф и диффузию неравновесных носителей в структуре, а также пространственное распределение электромагнитного поля поперечных типов колебаний в лазерном резонаторе. 3.
Впервые проведены расчеты пороговых плотности тока и мощности накачки лазеров в зависимости от энергии электронов и параметров структур„что позволило сформулировать требования к оптимальной конструкции гетероструктур для низкопороговых и мощных излучателей с электронно — лучевой накачкой (состав, толщины слоев и т.д.); 4. На основе оптимизированных полупроводниковьгх структур впервые получена генерация лазеров в зеленой и ИК областях спектра при рекордно низких значениях энергии электронов накачки (менее 4 кэВ при температуре 7'=300 К) и намечены пути дальнейшего уменьшения энергии электронов.
Практическая значимость. Полученные в данной работе теоретические результаты и экспериментально продемонстрированная возможность значительного (до значений менее 4 кэВ) уменьшения рабочей энергии электронного пучка за счет использования оптимизированных квантоворазмерных гетероструктур позволяют осуществить разработку малогабаритных отпаянных приборов — излучателей с электронно-лучевой накачкой, которые могут найти применение в медицине и различных областях техники для диагностики быстропротекающих процессов, для систем посадки летательных аппаратов и проводки судов, для систем наблюдений в условиях плохой видимости, оптической локации и т.д.
Перечисленные научные результаты получены при проведении исследований в МИРЭА в рамках отечественных и международных грантов, хоздоговоров, целевых программ Минобрнауки в 2007-2015 г. Основные положения, выносимые на защиту. 1. Результаты расчетов пространственного распределения концентрации носителей в 7пЯе-содержагцих квантоворазмерных структурах, в структурах ОаА1Аз71пОаАз!ОаАз, в структурах баМ'1п Бай/А1ОаХ при различных значениях энергии электронов накачки.
2. Результаты расчетов зависимости интенсивности катодолюминесценции 7лЯесодержащих структур от энергии электронов накачки и их сравнение с экспериментальными данными. 3. Методика и результаты расчетов зависимости пороговой плотности тока электронного пучка от энергии электронов накачки для источников света на основе квантоворазмерных полупроводниковых структур, позволяющих получать излучение в ИК-, сине-зеленом и УФ- диапазонах спектра.
Характеристики
Тип файла PDF
PDF-формат наиболее широко используется для просмотра любого типа файлов на любом устройстве. В него можно сохранить документ, таблицы, презентацию, текст, чертежи, вычисления, графики и всё остальное, что можно показать на экране любого устройства. Именно его лучше всего использовать для печати.
Например, если Вам нужно распечатать чертёж из автокада, Вы сохраните чертёж на флешку, но будет ли автокад в пункте печати? А если будет, то нужная версия с нужными библиотеками? Именно для этого и нужен формат PDF - в нём точно будет показано верно вне зависимости от того, в какой программе создали PDF-файл и есть ли нужная программа для его просмотра.
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
