Отзыв ведущей организации (1091467)

Просмтор этого файла доступен только зарегистрированным пользователям. Но у нас супер быстрая регистрация: достаточно только электронной почты!

Текст из файла

УТВЕРЖДАЮ Первый заместитель генерального директора— иректор и НИИ» АО «уН1пг овалев 2015 г. « ОТЗЫВ оппонирующей организации АО «НИИ «Платан» с заводом при НИИ» на диссертационную работу Ждановой Елены Владимировны «Излучатели на основе полупроводниковых наногетероструктур с накачкой электронным пучком», на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук по специальности 05.27.01 «Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано- электроника, приборы на квантовых эффектах». Использование электронного пучка для накачки полупроводниковых материалов и структур позволяет разработать излучатели с уникальным набором характеристик, что делает возможным их использование для це- лого ряда технических применений. При этом становится возможным раз- работки эффективных малогабаритных источников излучения, работающих на различных длинах волн в ИК, видимой и УФ областях спектра.

Диссертационная работа Ждановой Е.В. «Излучатели на основе полу- проводниковых наногетероструктур с накачкой электронным пучком» посвящена изучению характеристик квантоворазмерных гетероструктур с 1 накачкой электронным пучком и направлена на решение актуальной научной задачи — оптимизации конструкции таких структур с целью повышения эффективности их работы и снижения пороговой плотности тока и рабочей энергии электронного пучка.

Диссертация состоит из введения, восьми глав основного содержания, заключения и списка цитируемой литературы. Во введении обоснована актуальность выбранной темы, излагаются цели и задачи диссертационной работы, сформулированы основные положения, выносимые на защиту, показаны научная новизна и практическая значимость полученных результатов, представлена структура диссертации. Первая глава представляет собой литературный обзор, в котором рассматривается современное состояние теоретических и экспериментальных исследований светоизлучающих полупроводниковых гетероструктур, а также полупроводниковых лазеров с накачкой электронным пучком, проводимых в РФ и за рубежом. Во второй главе описывается теоретическая модель, на основе которой производились расчеты распределения неравновесных носителей в полупроводниковых многослойных гетероструктурах с учетом диффузии и дрейфа носителей за счет внутреннего поля многослойной структуры, а также расчеты зависимости пороговой плотности тока лазеров на основе различных полупроводниковых структур от энергии электронов накачки.

В третьей главе описываются используемые при расчетах пространственные распределения потерь энергии электронов в полупроводниковых материалах, применяемых в лазерах с электронно-лучевой накачкой. В главах с 4 по 7 приводятся результаты расчетов Улье — содержащих структур. В четвертой главе приводятся результаты исследования зависимости интенсивности катодолюминесценции от параметров структур и энергии электронов накачки. Результат сопоставления полученных расчетных и экспериментальных зависимостей свидетельствует о правильности модели, используемых распределений энергии потерь электронов накачки и выбранных параметров структур.

В пятой главе приведены описания и характеристики исследуемых полупроводниковых УпБе — содержащих структур, а также представлены результаты расчетов пространственного распределения концентрации неравновесных носителей заряда в различных типах структур. В шестой главе приводятся результаты расчетов зависимости эффективности сбора носителей в активной области структуры, пороговых значений плотности тока и мощности накачки лазеров на основе ХпЯесодержащих полупроводниковых структур с одиночной активной областью от энергии электронного пучка и качества границ слоев структуры.

В седьмой главе приводятся результаты расчетов зависимости излучательньгх характеристик Упыре-содержащих структур от положения квантовой ямы в пределах волновода, размера волновода, ширины внешнего и внутреннего ограничивающих волновод слоев. Представлены также результаты расчетов излучательных характеристик полупроводниковых структур с множественными квантовыми ямами. В восьмой главе приводятся результаты расчетов характеристик полупроводниковых структур для УФ и ИК-диапазонов. В заключении формулируются основные результаты работы. К наиболее важным и интересным результатам диссертационной работы можно отнести следующие: - расчеты пространственного распределения концентрации носителей в Улье-содержащих квантоворазмерных структурах при различных значе- ниях энергии электронов накачки.

Показано, что в Упыре-содержащих квантоворазмерных структурах различных типов концентрация носителей в ак- тивной области лазера может превышать концентрацию носителей в остальных слоях на 2-3 порядка; - модель расчета пороговой плотности тока полупроводниковых лазеров с поперечной накачкой электронным пучком, учитывающая пространственное распределение энергии накачки, дрейф и диффузию неравновесных носителей в структуре, а также пространственное распределение электромагнитного поля поперечных типов колебаний в лазерном резонаторе; - расчеты пороговых плотности тока и мощности накачки лазеров в зависимости от энергии электронов и параметров структур, что позволило сформулировать требования к оптимальной конструкции гетероструктур для низкопороговых и мощных излучателей с электронно — лучевой накачкой (состав, толщины слоев и т.д.).

Показано, что при малых значениях энергии электронов накачки (менее 10 кэВ) определяющее влияние на значение пороговой плотности тока оказывает толщина внешнего ограничивающего слоя структуры; - генерация лазеров в зеленой и ИК областях спектра при рекордно низких значениях энергии электронов накачки (менее 4 кэВ при Т=ЗООК) на основе оптимизированных полупроводниковых структур и намечены пути дальнейшего уменьшения энергии электронов; - генерация излучения в зеленой и инфракрасной областях спектра при использовании для накачки электронов с рекордно низкой энергией свидетельствуют о возможности разработки малогабаритных отпаянных приборов.

Результаты работы доложены и обсуждены на международных и российских научных конференциях. По материалам диссертации опубликовано 33 работы, из которых 12 в реферируемых журналах (10 в журналах из списка ВАК) и 21 в сборниках трудов конференций. По диссертационной работе Ждановой Е.В. необходимо сделать следующие замечания: 1. Одним из важных результатов работы является экспериментальное получение генерации при рекордно низких значениях энергии электронов накачки. Однако сам эксперимент описан весьма скупо, приводятся лишь параметры установки и измеренные зависимости пороговой плотности тока от энергии электронов; 2. В работе не приведены энергетические характеристики лазеров. При малых энергиях электронов накачки, и, соответственно, малых их значениях, за счет малой глубины проникновения электронов в образец нагрев образца за счет накачки даже на пороге может быть значительным.

В работе не анализируется, не будет ли импульсный нагрев структуры препятствовать получению генерации и достижению высоких уровней выходной мощности при низких значениях энергии электронов. 3. В четвертой главе сопоставление результатов проведенных расчетов по катодолюминесценции и экспериментальных данных проводится без учета спектральных характеристик излучения. Очень мало или нет вообще данных по спектрам генерации структур. 4. Расчетные и экспериментальные зависимости, приводимые в шестой, седьмой и восьмой главах, представлены на разных графиках. Для большей наглядности результаты следовало бы представить совместно. Данные замечания не снижают общий высокий уровень работы. Диссертация Ждановой Е.В.

«Излучатели на основе полупроводниковых наногетероструктур с накачкой электронным пучком» на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук, является научно- квалификационной работой и полностью соответствует требованиям ВАК Минобрнауки РФ пп.9-14 «Положения о порядке присуждения ученых 5 стеиеней, иостано1о1ение Правитсльстиа РоссиЙской ФСдерадии от 24 сеи- ткбрЯ 2013Г,„з сс звтОр ЖданоВз Елсна Владимировна засл~".4(йвзст Щэйс5окдсиня сй уисной стсисин кзидидзтз фиаико-матсмзтиисскик ИЗ5к ио сисиизльности О5.27,01 тГвсрдотсльнаЯ элсктроника, рздиоадсктроииь~с компонинпй, микро- и нано- элвктроника, Приборы на квйитовых эффск- 11ачадьиик лабо1тато1тии 1' адиО'жжк кроииык мл ройс1и каидидат фиаико" матсматиисскик на)~~ р :~,'Ф1 Муртааин А.М, о1 '1'сл.

8-903-205-5671 Е-та11, аашпа6а:~па11.го Адрес: 141190, Московскак область, г. Фркаиио, Заводской просзд д.2, А(1 «Научно-исслсдоватсльский инстит," т (<Платанэ с заводом Щж НИИ» .

Характеристики

Тип файла PDF

PDF-формат наиболее широко используется для просмотра любого типа файлов на любом устройстве. В него можно сохранить документ, таблицы, презентацию, текст, чертежи, вычисления, графики и всё остальное, что можно показать на экране любого устройства. Именно его лучше всего использовать для печати.

Например, если Вам нужно распечатать чертёж из автокада, Вы сохраните чертёж на флешку, но будет ли автокад в пункте печати? А если будет, то нужная версия с нужными библиотеками? Именно для этого и нужен формат PDF - в нём точно будет показано верно вне зависимости от того, в какой программе создали PDF-файл и есть ли нужная программа для его просмотра.

Список файлов диссертации