Заключение кафедры (1091461), страница 2
Текст из файла (страница 2)
4. Результаты расчетов зависимости пороговой плотности тока электронного пучка— источника накачки лазеров от параметров квантоворазмерных полупроводниковых структур. 5. Экспериментальное достижение режима генерации лазеров на основе ХпЯесодержащих квантоворазмерных структур, а также структур ОаА1Аз(1пОаАз(ОаАз при рекордно низких (менее 4 кэВ) значениях энергии электронов накачки при температуре Т=300 К; 6.
Рекомендации по дальнейшему снижению рабочей энергии электронов накачки в лазерах на основе квантоворазмерных полупроводниковых структур Личный вклад автора. Автор принимала участие в разработке и отладке программ, используемых для расчетов распределений концентраций неравновесных носителей заряда, распределения поля в резонаторе, зависимостей пороговой плотности тока от энергии электронов. Автором проведены расчеты пространственного распределения неравновесных носителей в различных гетероструктурах при их накачке электронным пучком, зависимостей пороговых характеристик излучателей от энергии электронов накачки и параметров структур.
При непосредственном участии автора проведены экспериментальные исследования зависимостей пороговой плотности тока от энергии электронов для излучателей зеленого и ИК-диапазонов. Апробация работы. Материалы диссертационной работы докладывались и обсуждались на следующих российских и международных конференциях. 1. 1псегпаг|опа1 СопГегепсе "?.азег Ор11сз'*. -2006, -2008, -2010, -2012, -2014.- 81.
Ре1егзЬпг8, КиЫа. 2. 141Ь 1п|егпайопа1 СопГегепсе оп П-У1 Сошроппоз. -Апйпз1 23-28, 2009. -81. РегегзЬиг8, Каза|а. 3. 1п1егпайопа! Вутроз|шп "Ь|апозггисШгегс РЬуз|сз анси ТесЬпо1ойу". -2006, -2009, -2011. 4. Ве1агпз|ап — Кпзз|ап %огкзйор "Яеппсопдпс1ог Еазегз апс| Яуз1ешз". -2007, -2009, -2011, -2013, -2015.
-М|пЖ, Ве1агпз. 5. ХП Международная научно-техническая конференция «Высокие технологии в промышленности России».- 7-9 сентября 2006. -Москва, ОАО ЦНИТИ «ТЕХНОМАГП». 6. ИП, 1Х Российская конференция по физике полупроводников -2007, -2009. 7. 17Й |п1егпабопа1 СопГегепсе оп П-У1 СотроппсЬ агк1 Ке1агес| Магепа!з. -2015, -Рапз, Ггапсе. 8. 10гЬ 1п1егпабопа1 СопХегепсе оп 1.азег апс1 Г1Ьег-Орг1са1 Хегъог1сз Мойе1ш8 (1.ГХМ'2010).-2010,- Яечаз1оро1, Сгппеа, [Лсгаше. 9.
4-й Всероссийский симпозиум с международным участием «Полупроводниковые лазеры: физика и технология». - 2014 . - Санкт-Петербург, Россия. 1О. 12ГЬ 1пГегпа11опа1 СопГегепсе оп Г1Ьег-ОР11са1 Хе1ъчог1сз Мос1е1шя 1.ГХМ'2013. 2013.- Япс1а1г., Пкгаша. 11. Всероссийская конференция «Нитриды галлия, индия и алюминия — структуры и приборы».- 2013.-Москва. Публикации по теме диссертации. По материалам диссертации опубликовано 33 работы, из которых 12 в реферируемых журналах (10 в журналах из списка ВАК) и 21 в сборниках трудов конференций.
Специальность, которой соответствует диссертации. Представленная диссертация соответствует специальности 05.27.01 «Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано- электроника, приборы на квантовых эффектах». Учитывая вышеизложенное, кафедра считает, что диссертация Е.В. Ждановой представляет собой завершенную научно-исследовательскую работу на актуальную тему. В ней получен ряд новых и полезных результатов. Выводы и рекомендации работы достаточно обоснованы. Диссертационная работа по своему научному уровню и достоверности полученных результатов полностью соответствует требованиям ВАК РФ, предъявляемым к кандидатским диссертациям. Автореферат диссертации полностью соответствует ее содержанию.
Кафедра физики МИРЭА рекомендует диссертационную работу Е.В. Ждановой «Излучатели на основе полупроводниковых наногетероструктур с накачкой электронным пучком» к защите на соискание, ученой степени кандидата физико-математических наук по специальности 05.27.01- «Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах» в диссертационном Совете Д212.131.02.
Заключение принято единогласно. Заведующий кафедрой физики профессор А.А. Задерновский .
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
