Сведения об официальном оппоненте 3 (1090143)

Просмтор этого файла доступен только зарегистрированным пользователям. Но у нас супер быстрая регистрация: достаточно только электронной почты!

Текст из файла

Сведения об официальном оппоненте

Першенков Вячеслав Сергеевич, доктор технических наук, профессор.

Научная специальность: 05.27.01 - Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника на квантовых эффектах.

Место работы: Национальный исследовательский ядерный университет НИЯУ «МИФИ», заведующий кафедрой «Микро- и наноэлектроника».

Список публикаций за пять лет по теме диссертации Журавлевой Л.М. «Научно-методические и физико-технологические принципы создания оптоэлектронных устройств нового поколения на модифицированных наноструктурах»:

1) Першенков В.С. и др. Система задания и контроля температуры при экспериментах на циклотроне по исследованию одиночных сбоев в микросхемах РИНЦ. // Ядерная физика и инжиниринг, 2011, № 6.

2) Першенков В.С. и др. Расчетный метод оценки стойкости биполярных приборов к воздействию ионизирующих излучений низкой интенсивности и использование конверсионной модели РИНЦ. // Вопросы атомной науки и техники. Серия: Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру, 2011, № 4.

3) Першенков В.С. и др. Использование источников рентгеновского, ультрафиолетового излучения и коронного разряда в спектрометрии ионной подвижности РИНЦ. // Ядерная физика и инжиниринг, 2011, № 6.

4) Першенков В.С. и др. Экстракция подстроечных параметров конверсионной модели эффекта низкой интенсивности в биполярных приборах РИНЦ. // Микроэлектроника, 2012, № 6.

5) Першенков В.С. и др. Конструирование малогабаритного спектрометра ионной подвижности на основе технологии печатных плат РИНЦ. // Датчики и системы, 2012, № 11.

6) Pershenkov V.S. Extracting the fitting parameters for the conversion model of enhanced low dose rate sensitivity in bipolar devices Scopus. // Russian Microelectronics, 2013, № 1.

7) Pershenkov V.S. The hydrogenic-electron model of accumulation of surface states on the oxide-semiconductor interface under the effects of ionizing radiation Scopus. // Russian Microelectronics, т. 43, 2014, № 2.

8) Pershenkov V.S. Mechanism of anomalous recovery in advanced SiGe bipolar transistors after low dose rate irradiation for very high total doses Scopus. // Russian Microelectronics, т. 43, 2014, № 2.

9) Pershenkov V.S. Temperature control system for the study of single event effects in integrated circuits using a cyclotron accelerator Scopus. // Microelectronics Reliability, т.54, 2014, № 11.

Характеристики

Тип файла документ

Документы такого типа открываются такими программами, как Microsoft Office Word на компьютерах Windows, Apple Pages на компьютерах Mac, Open Office - бесплатная альтернатива на различных платформах, в том числе Linux. Наиболее простым и современным решением будут Google документы, так как открываются онлайн без скачивания прямо в браузере на любой платформе. Существуют российские качественные аналоги, например от Яндекса.

Будьте внимательны на мобильных устройствах, так как там используются упрощённый функционал даже в официальном приложении от Microsoft, поэтому для просмотра скачивайте PDF-версию. А если нужно редактировать файл, то используйте оригинальный файл.

Файлы такого типа обычно разбиты на страницы, а текст может быть форматированным (жирный, курсив, выбор шрифта, таблицы и т.п.), а также в него можно добавлять изображения. Формат идеально подходит для рефератов, докладов и РПЗ курсовых проектов, которые необходимо распечатать. Кстати перед печатью также сохраняйте файл в PDF, так как принтер может начудить со шрифтами.

Список файлов диссертации