annot_22.04.01_tippm (1087748), страница 8
Текст из файла (страница 8)
Первый раздел включает всебя рассмотрение объектов исследования, понятие структуры, особенностидифракционных методов, взаимодействие рентгеновских лучей с веществом, основытеории дифракции рентгеновских лучей, дифрактометрия поликристаллических образцови области применения методов порошковой дифрактометрии, методы исследованиямонокристаллов и области применения монокристальной дифрактометрии; методыизучения паракристаллических, некристаллических веществ, апериодических структур,жидкостей и газов; основы электронографии, нейтронографии, синхротронного излученияи области их применения.
Второй раздел представлен рассмотрением классификациидефектов кристаллической структуры и их особенностей, основ динамической теории иобластей применения кинематической и динамической теорий., экспериментальныхметодов для изучения дефектов кристаллической структуры.Студенты на практике знакомятся с техникой дифракционногополикристаллического эксперимента, осваивают расчет дифрактограмм, проведениекачественного и количественного фазового анализа, определения и уточнение параметровячейки, а также определения общего структурного совершенства кристаллов. Изучаютпрограммы обработки и расчета экспериментальных данных, визуализациикристаллической структуры.3. Общая трудоемкость дисциплины составляет 2 зачетные единицы (72 часа)Аннотацияк рабочей программе дисциплины«Кристаллофизика»по направлению подготовки 22.04.01«Материаловедение и технологии материалов», магистерскаяпрограмма «Теоретическое и прикладное полимерноематериаловедение»1.
Цель освоения дисциплиныДисциплина «Кристаллофизика» имеет своей целью способствоватьформированию у обучающихся профессиональной компетенции ПК-3 всоответствии с требованиями ФГОС ВО по направлению подготовкимагистров 22.04.01 «Материаловедение и технологии материалов»магистерская программа «Теоретическое и прикладное полимерноематериаловедение».2. Место дисциплины в структуре ОПОП магистратурыДисциплина «Кристаллофизика» является выборной дисциплинойвариативной части блока дисциплин учебного плана направления подготовкимагистров 22.04.01 «Материаловедение и технологии материалов»магистерская программа «Теоретическое и прикладное полимерноематериаловедение».В дисциплине рассматриваются основные линейные, билинейные иквадратичные кристаллофизические эффекты, используемые в твердотельнойэлектронике.
Решаются соответствующие задачи.3. Общая трудоемкость дисциплиныОбщий объем дисциплины составляет 2 зачетных единицы, формойпромежуточной аттестации является зачет. Дисциплина изучается в 2-мсеместре магистратуры.4. Требования к результатам освоения дисциплиныПроцесс изучения дисциплины «Кристаллофизика» направлен наформирование у обучающихся элементов следующих компетенций:ПК-3 – способность понимать физические и химические процессы,протекающие в материалах при их получении, обработке и модификации;использовать в исследованиях и расчетах знания о методах исследования,анализа, диагностики и моделирования свойств веществ (материалов),проводить комплексные исследования, применяя стандартные исертификационные испытания.В результате изучения данной дисциплины обучающийся должен:Знать:- понятиелинейных,билинейныхиквадратичныхкристаллофизических эффектов, применение тензоров для описаниякристаллофизических эффектов, влияние термодинамических законов исимметрии кристаллов на соотношения между координатами тензоровкристаллофизических эффектов.Уметь:- устанавливать возможность проявленияэффектов в кристаллах различной симметрии.кристаллофизическихВладеть:- способностью решения практических задач при использовании материалов,благодаря наличию у них тех или иных кристаллофизических свойств, дляизготовления приборов твердотельной электроники.Аннотацияк рабочей программе дисциплины «Математическое моделированиеполупроводниковых систем»по направлению подготовки 22.04.01 «Материаловедение и технологииматериалов», магистерская программа «Теоретическое и прикладноеполимерное материаловедение»1.
Цель освоения дисциплиныДисциплина «Математическое моделирование полупроводниковыхсистем» имеет своей целью способствовать формированию у обучающихсяпрофессиональных компетенций ПК-2, ОПК-3 в соответствии стребованиями ФГОС ВО по направлению подготовки магистров 22.04.01«Материаловедение и технологии материалов» с учетом специфики профиляподготовки – «Теоретическое и прикладное полимерное материаловедение».2. Место дисциплины в структуре ОПОП бакалавриата Дисциплина «Математическое моделирование полупроводниковыхсистем» является обязательной дисциплиной вариативной части блока«Дисциплины» учебного плана направления подготовки магистров 22.04.01«Материаловедение и технологии материалов» с профилем подготовки«Теоретическое и прикладное полимерное материаловедение».В дисциплине рассматриваются основы математического моделированияполупроводниковых систем.
Изучаются теоретические основымоделирования процессов направленной кристаллизации. Анализируютсяуравнения механики сплошной среды. Рассматриваются теория и уравнениядля расчета капиллярных явлений при моделировании процессовполупроводниковых технологий. Изучаются математические модели длярасчета фазовых равновесий в многокомпонентных полупроводниковыхсистемах A3B5.
Анализируется моделирование процесса выращиваниямонокристаллов кремния методом Чохральского, процесса выращиваниямонокристаллов In0.3Ga0.7As методом движущейся жидкой зоны, задачарасчета сегрегации P при бестигельной зонной плавки Si в магнитном поле ит.д.3. Общая трудоемкость дисциплины Общий объем дисциплины составляет 2 зачетных единицы, формой промежуточной аттестации является зачет. Дисциплина изучается в осеннем семестре 1 курса магистратуры. 4. Требования к результатам освоения дисциплины Процесс изучения дисциплины «Математическое моделированиеполупроводниковых систем» направлен на формирование у обучающихсяэлементов следующих компетенций:общепрофессиональных (ОПК):ОПК-3 - Способность самостоятельно развивать базовые знаниятеоретических и прикладных наук при моделировании, теоретическом иэкспериментальном исследовании материалов и процессов впрофессиональной деятельности.профессиональных (ПК):ПК-2 - Способность использовать методы моделирования иоптимизации, стандартизации и сертификации для оценки и прогнозированиясвойств материалов и эффективности технологических процессов.В результате изучения данной дисциплины обучающийся должен:Знать:- математические модели физических и химических процессов,протекающих в полупроводниковых структурах.Уметь:- составлять математические модели принципов исследования, анализа,диагностики и моделирования полупроводниковых структур.Владеть:- навыками построения математических моделей физических и химическихпроцессов, протекающих в полупроводниковых структурах.Аннотацияк рабочей программе дисциплины«Обратные кристаллические решетки»по направлению подготовки22.04.01 «Материаловедение и технологии материалов», магистерскаяпрограмма «Теоретическое и прикладное полимерноематериаловедение»1.
Цель освоения дисциплиныДисциплина «Обратные кристаллические решетки» имеет своей цельюспособствовать формированию у обучающихся профессиональнойкомпетенции ОПК-3 в соответствии с требованиями ФГОС ВО понаправлению подготовки магистров 22.04.01 «Материаловедение итехнологии материалов» магистерская программа «Теоретическое иприкладное полимерное материаловедение».2. Место дисциплины в структуре ОПОП магистратурыДисциплина «Обратные кристаллические решетки» является выборнойдисциплиной вариативной части блока дисциплин учебного плананаправления подготовки магистров 22.04.01 «Материаловедение итехнологии материалов» магистерская программа «Теоретическое иприкладное полимерное материаловедение».В дисциплине рассматриваются задачи, приводящие к необходимостииспользования понятия «Обратная решетка кристалла» в физическомматериаловедении.
На примерах показано, как с помощью единой основы –понятия «Обратная решетка кристалла» - можно добиться единогопонимания казалось бы разнородных процессов, имеющих значения дляфизического материаловедения, таких как колебания решетки кристаллов,распространения электронов и дырок, дифракция рентгеновского излучения.3. Общая трудоемкость дисциплиныОбщий объем дисциплины составляет 2 зачетных единицы, формойпромежуточной аттестации является зачет.
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
