Москатов Е.А. - Справочник по полупроводниковым приборам (1086444), страница 20
Текст из файла (страница 20)
А. Справочник по полупроводниковым приборам. http://moskatov.narod.ru5.2 Однопереходные транзисторыТаблица 5.2.1. Транзисторы однопереходные с n – базой малой мощности (Рк.макс.≤ 0,3 Вт) [39], [30, стр. 688].ТипПредельные значенияЗначения параметровпараметров при Tп = 25 °Спри Tп = 25 °СIэ.Iэ.и.Uб1б2.Uб2э.макс,макс,макс,мАмакс,мАВВ2Т117А50100030303000,5…0,7102Т117Б50100030303000,65…0,852Т117В50100030303002Т117Г5010003030300КТ117А5010003030КТ117Б5010003030КТ117В50100030КТ117Г50100030прибораРмакс,мВтηUб1б2,ВUкэ.нас.,Iвкл,Рису-Iвыкл, Rб1б2, tвкл,fмакс,нокмкАмАкОммкскГц52014…7,5220091, 921052014…7,5320091, 920,5…0,71052016…9320091, 920,65…0,851052016…9320091, 923000,5…0,71052014…9320091, 923000,65…0,91052014…9320091, 92303000,5…0,71052018…12320091, 92303000,65…0,91052018…12320091, 92B137Москатов Е. А. Справочник по полупроводниковым приборам.
http://moskatov.narod.ru5.3 Двухэмиттерные транзисторыКТ118А, КТ118Б, КТ118ВТранзисторы кремниевые двухэмиттерные планарно – эпитаксиальные p-n-p типа.Предназначены для работы в схемах модуляторов [29, стр. 242, 243], [30, стр. 667,688]. Выпускаются в металлическом герметичном корпусе и имеют гибкие выводы.Масса не более 0,7 г.Габаритные размеры и цоколёвка транзистора показаны на рисунке 116.Электрические параметры.Падение напряжения на открытом ключе при Iб = 0,5 мА, Iэ = 1,5 мА:для КТ118А, КТ118Б не более0,2 мВдля КТ118В не более0,15 мВСопротивление отпертого ключа при Iб = 2 мА, Iэ = 2 мА:для КТ118А, КТ118Б не более100 Омдля КТ118В не более120 Омпри Iб = 40 мА, Iэ = 20 мА:для КТ118А, КТ118Б не более20 Омдля КТ118В не более40 ОмТок запертого ключа:при Rкб = 10 кОм, Uэ1э2 = 30 В для КТ118А не более0,1 мкАпри Rкб = 10 кОм, Uэ1э2 = 15 В для КТ118Б, КТ118В не более0,1 мкАНапряжение на управляющих коллекторных переходахпри Iб = 20 мА не более1,3 ВОбратный ток коллектор – база при Uк = 15 В не более0,1 мкАОтносительная ассиметрия сопротивления отпертого ключапри Iб = 40 мА, Iэ = 20 мА не более20 %Предельные эксплуатационные данные.Запирающее напряжение управления коллектор – база 1 иликоллектор – база 2 при Rкб не более 10 кОмНапряжение на запертом ключе эмиттер 1 – эмиттер 2при напряжении на управляющих переходах, равном нулю:для КТ118Адля КТ118Б, КТ118ВНапряжение на эмиттер – база (эмиттер 1 – база 1 илиэмиттер 2 – база 2):для КТ118Адля КТ118Б, КТ118ВТок коллектораТок эмиттера (одного)15 В30 В15 В31 В16 В50 мА25 мА138Москатов Е.
А. Справочник по полупроводниковым приборам. http://moskatov.narod.ruТок базы (одной)25 мА1Рассеиваемая мощность на коллекторе100 мВтТепловое сопротивление межде переходом и окружающей средой0,4 ºC / мВтДиапазон рабочей температуры окружающей средыот -60 до +125 ºC1. При температуре окружающей среды от -60 до +110 ºC. При повышениитемпературы до +125 ºC значение мощности рассчитывается по формуле.150 −Т ºCPк.макс=, мВт0,4139Москатов Е.
А. Справочник по полупроводниковым приборам. http://moskatov.narod.ru5.4 ФототранзисторыТаблица 5.4.1. Фототранзисторы.ТипприбораРабочее напря- Темновой ток, Долговечность,жение, Uа, ВIт, мкАчГабариты, ммДлинаДиаметрФТ-1К53200010,03,90ФТ-2К51200010,03,90ФТГ-3550100006,38,70При отключённом от цепей фототранзисторе его нельзя держать на свету!140Москатов Е. А.
Справочник по полупроводниковым приборам. http://moskatov.narod.ru5.5 Полевые транзисторыТаблица 5.5.1. Транзисторы полевые малой мощности (P ≤ 0,3 Вт) с p-n переходоми каналом p – типа [39, стр. 188 – 190].Предельные значения параметровТипPприборамакс,мВтПри T = 25 ºCT,Uси.Uзс.Uзи.Iс.ºC макс, макс, макс, макс,ВВВмАTмакс,ºCЗначения параметров при Т = 25 ºCUзи.отс,g22и,ВмкСмIз.ут,нАРиC11и, C12и, Кш,су-Uзи,S,Uси,Iс.нач,ВмА / ВВмАпФпФдБнок2П101А*50–101010–1255190 т1050,350,3…1122,5 т5932П101Б*50–101010–125550 т1050,350,7…2,2122,5 т5932П101В*50–101010–125812 т1050,550,5…5122,7 т10932П103А12025101510–850,5…2,2401050,7…2,1100,55…1,21783942П103АР12025101510–850,5…2,2401050,7…2,1100,55…1,21783942П103Б12025101510–850,8…3501050,8…2,6101…2,11783942П103БР12025101510–850,8…3501050,8…2,6101…2,11783942П103В12025101510–851,4…4801051,4…5,5101,7…3,81783942П103ВР12025101510–851,4…4801051,4…5,5101,7…3,81783942П103Г12025101710–852…61301051,8…5,8103…6,61783942П103ГР12025101710–852…61301051,8…5,8103…6,61783942П103Д12025101710–852,8…71601052…4,4105,4…121783942П103ДР12025101710–852,8…71601052…4,4105,4…12178394КП101Г*50–1010102855–1050,1550,312–593КП101Д*50–10101058510–5050,350,312–1093КП101Е*50–10101058510–5050,350,312––93КП102Е––151510–702,8–1,5100,25…0,710–105–94, 95КП102Ж––151510–704–1,5100,3…0,910–105–94, 95КП102И––151510–705,5–1,5100,35…110–105–94, 95КП102К––151510–707,5–1,5100,45…1,210–105–94, 95КП102Л––151510–7010–1,5100,65…1,310–105–94, 95КП103Е7851015––850,4…1,5520100,4…2,4100,3…2,5208394, 96КП103ЕР7851015––850,4…1,5520100,4…2,4100,3…2,5208394, 96КП103Ж12851015––850,5…2,21020100,5…3,8100,35…3,8208394, 96КП103ЖР12851015––850,5…2,21020100,5…3,8100,35…3,8208394, 96КП103И21851215––850,8…31520100,8…2,6100,8…1,8208394, 96КП103ИР21851215––850,8…31520100,8…2,6100,8…1,8208394, 96КП103К38851015––851,4…42020101…3101,0…5,5208394, 96КП103КР38851015––851,4…42020101…3101…5,5208394, 96КП103Л66851217––852…64020101,8…3,8101,8…6,6208394, 96КП103ЛР66851217––852…64020101,8…3,8101,8…6,6208394, 96КП103М120851017––852,8…77020101,3…4,4103…12208394, 96КП103МР120851017––852,8…77020101,3…4,4103…12208394, 96* При Т = 25 ºC C22и = 0,4 пФ.141Москатов Е.
А. Справочник по полупроводниковым приборам. http://moskatov.narod.ruТаблица 5.5.2. Транзисторы полевые малой мощности (P ≤ 0,3 Вт) с p-n переходоми каналом n – типа [39, стр. 192 – 197].Предельные значения параметровRси.При T = 25 ºCТипPприборамакс,мВтT,Uси.Uзс.Uзи.Значения параметров при Т = 25 ºCIс.ºC макс, макс, макс, макс,ВВВмАTмакс,ºCUзи.отс,Вотк,Iз.Ом,ут,{g22и,нАEш,Uзи,S,Uси,Iс.нач,ВмА / ВВмАC11и, C12и, нВ/√Гц,пФпФ{Кш,РисунокдБ}мкСм}2П302А30025202010241251…3,5–10105…1273…24208{3}972П302А-130025202010241251…3,5–10105…1273…24208{3}982П302Б *30025202010431252,5…4,515010107…14718…43208–972П302Б-1 *30025202010431252,5…4,515010107…14718…43208–982П302В **30025202012–1253…61001010––33…66208–972П302В-1 **30025202012–1253…61001010––33…66208–982П303А20025253030201250,5…3–1101…4100,5…2,56230992П303Б20025253030201250,5…3–1101…4100,5…2,56220992П303В20025253030201251…4–1102…5101,5…56220992П303Г20025253030201258–0,1103…7103…1262–992П303Д20025253030201258–1102,6103…962{4}992П303Е20025253030201258–1104105…2062{4}992П303И20025253030201251…3–0,1102…6101,5…562{4}992П307А25025253030301250,5…3–1104…9103…951,520992П307Б25025253030301251…5–1105…10105…1551,52,5992П307В25025253030301251…5–1105…10105…1551,5{6}992П307Г25025253030301251,5…6{200}1106…12108…2451,52,5992П307Д25025253030301251,5…6–1106…12108…2451,5{6}992П333А25025504545–1251…815000,2104…5,810–6–20932П333Б25025404035–1250,6…41500100352…510–6–2093КП302А30025202010241005–1010573…24208–97КП302АМ30025202010241001…5–10105…1273…24208{3}93КП302Б3002520201043100715010107718…43208–97КП302БМ30025202010431002,5…715010107…14718…43148–93КП302В30025202010–100101001010–––208–97КП302ВМ30025202010–1003…101001010––66168–93КП302Г30025202010–1002…715010107…14715…65148–97КП302ГМ30025202010–1002…715010107…14715…65148–93КП303А2002525303020850,5…3–1101…4100,5…2,5623099КП303Б2002525303020850,5…3–1101…4100,5…2,5622099КП303В2002525303020851…4–1102…5101,5…5622099КП303Г2002525303020858–0,1103…7103…1262–99КП303Д2002525303020858–1102,6103…962{4}99КП303Е2002525303020858–1104105…2062{4}99КП303Ж2002525303020850,3…3–5101…4100,3…36210099КП303И2002525303020850,5…2–5102…6101,5…56210099КП307А2502525252727850,5…3–1104…9103…951,52099КП307Б2502525252727851…5–1105…10105…1551,52,599142Москатов Е.
А. Справочник по полупроводниковым приборам. http://moskatov.narod.ruПредельные значения параметровПри T = 25 ºCТипPприборамакс,мВтT,Uси.Uзс.Uзи.Значения параметров при Т = 25 ºCRси.Iс.ºC макс, макс, макс, макс,ВВВмАTмакс,ºCUзи.отс,Вотк,Iз.Ом,ут,{g22и,нАEш,Uзи,S,Uси,Iс.нач,ВмА / ВВмАC11и, C12и, нВ/√Гц,пФпФ{Кш,РисунокдБ}мкСм}КП307В2502525252727851…5–1105…10105…1551,5{6}99КП307Г2502525252727851,5…6–1106…12108…2451,52,599КП307Д2502525252727851,5…6–1106…12108…2451,5{6}99КП307Е2502525252727852,5–1103…8101,5…551,52099КП307Ж2502525252727857–0,1104103…2551,5–99КП314А20035353030–85––––4102,5…2062–93* – При Т = 25 ºC C22и = 10 пФ.** – При Т = 25 ºC C22и = 14 пФ.143Москатов Е.
А. Справочник по полупроводниковым приборам. http://moskatov.narod.ruТаблица 5.5.3. Транзисторы полевые малой мощности (P ≤ 0,3 Вт) с изолированнымзатвором и каналом n – типа [39, стр. 198 – 199].Предельные значения параметровТипPприбора макс,мВтПри T = 25 ºCT,Uси.Uзс.Uзи.Iс.ºC макс, макс, макс, макс,ВВВмАЗначения параметров при Т = 25 ºCTUзи.макс, отс,ºCВРиg22и,Iз.ут, Uзи,C11и, C12и, Кш,Uси,IС,Iс.нач,нАВмА / ВВмАмАпФпФдБМГц нок6,52501002П305А150401530301512561501306…10105–50,8f,су-S,мкСм2П305Б150401530301512561500,001306…10105–50,8–2501002П305В150401530301512561501306…10105–50,86,52501002П305Г150401530301512561501306…10105–50,8–2501002П310А80258101020125––3103…6550,03…52,50,561000 1012П310Б80258101020125––3103…6550,03…52,50,571000 1012П313А1203515151015856–10305…10105–6,80,8––1022П313Б1203515151015856–10305…10105–6,80,8––1022П313В1203515151015856–10305…10105–6,80,8––102КП305Д150251515151512561501305,2…10,5105–50,87,5250100КП305Е150251515151512561505304…8105–50,8–250100КП305Ж150251515151512561501305,2…10,5105–50,87,5250100КП305И150251515151512561501304…10,5105–50,8–250100КП313А752515151015856–10104,5…10,5105–70,97,5250102КП313Б752515151015856–10104,5…10,5105–70,97,5250102КП313В752515151015856–10104,5…10,5105–70,97,5250102144Москатов Е.
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
