Москатов Е.А. - Справочник по полупроводниковым приборам (1086444), страница 15
Текст из файла (страница 15)
А. Справочник по полупроводниковым приборам. http://moskatov.narod.ruТаблица 5.1.2. Транзисторы n-p-n малой мощности (Рк.макс ≤ 0,3 Вт) низкойчастоты (fгр ≤ 3 МГц) [39].Предельные значенияЗначения параметровпараметров при Tп = 25 °СТип прибоUкэR.макс, Uкбо. Рк.макс,раIк.макс, Iк.и.макс,{Uкэо.гр},макс, {Р макс},BмВтмАмА2Т127А-150–{25}25152Т127Б-150–{25}25ГТ112А20150{35}ГТ122Б20150ГТ122В20ГТ122ГBпри Tп = 25 °Сh21э,{h21Э}Uкб,Iэ,{Uкэ}, {Iк},BмА{15…60}{5}115{40…200}{5}35{150}{15…45}{20}20{150}150{20}2020150{20}М3А50100МП9А20МП1020МП10АUкэ.нас,BIкбо,fгр,{IкэR}, {fh21},РисунокмкАМГц0,510,1810,510,18{5}1–20{1}6{15…45}{5}1–20{1}6{150}{30…60}{5}1–20{2}620{150}{30…60}{5}1–20{2}6{15}1575{18…55}1100,5{20}12150{15}15{150}15…4551–30{1}6150{15}15{150}10…3051–30{1}620150{30}30{150}15…3051–{30}{1}6МП10Б20150{30}30{150}25…5051–{50}{1}6МП1120150{15}15{150}22…5551–30{2}6МП11А20150{15}15{150}45…10051–30{2}6МП35201501515{150}13…12551–30{0,5}6МП36А201501515{150}15…4551–30{1}6МП37201501515{150}15…3051–30{1}6МП37А201503030{150}15…3051–30{1}6МП37Б201503030{150}25…5051–30{1}6МП38201501515{150}25…5551–30{2}6МП38А201501515{150}45…10051–30{2}6МП10120100201515010…2551–{3}{0,5}6МП101Б20100201515015…4551–{3}{0,5}6МП103А201001010{150}10…3051–{3}{1}6МП111201002020{150}10…2551–3{0,5}6МП111А201001010{150}10…3051–1{0,5}6МП111Б201002020{150}15…45{5}1–3{0,5}6МП112201001010{150}15…4551–3{0,5}6МП113201001010{150}15…4551–3{1}6ТМ3А50100{15}1575{18…55}1100,5{20}15100Москатов Е.
А. Справочник по полупроводниковым приборам. http://moskatov.narod.ruТаблица 5.1.3. Транзисторы p-n-p малой мощности (Рк.макс ≤ 0,3 Вт) среднейчастоты (3 МГц < fгр ≤ 30 МГц) [39].Предельные значенияЗначения параметровпараметров при Tп = 25 °СТип прибоUкэR,Рк.макс,Uкбо.раIк.макс, Iк.и.макс,{Uкэо.макс}, макс,BB{Рк.и.макс},мАмА1Т101Б10–1515502Т203В10501515КТ207В1050{15}КТ208Б150300КТ209А300КТ209БмВтпри Tп = 25 °Сh21Э,{h21э}Uкб,Iэ,{Uкэ}, {Iк},Uкэ.нас,Iкбо,BмкАfгр,{fh21},РисунокBмАМГц{60…120}51–15{5}1150{60…200}51––1091515{30…200}510,50,05510202020040…1201300,4–511500151520020…601300,4–512300500151520040…1201300,4–512КТ209В300500151520080…2401300,4–512КТ209Г300500303020020…601300,4–512КТ209Д300500303020040…1201300,4–512КТ209Е300500303020080…2401300,4–512КТ209Ж300500454520020…601300,4–512КТ209И300500454520040…1201300,4–512КТ209К300500454520080…1601300,4–512КТ209Л300500606020020…601300,4–512КТ209М300500606020040…1201300,4–512П286–5530{33…100}50,5–3{5}6П4065–{6}630{20}61–6{10}13П4075–{6}630{20}61–6{20}13Как определить тип и буквы транзисторов серии КТ203 в пластиковом корпусе? Набоковой поверхности корпуса транзистора находится тёмно-красная точка.Буквенный индекс определяется по цвету точки на торце транзистора.
Тёмнокрасная точка – КТ203АМ; жёлтая – КТ203БМ; тёмно-зелёная – КТ203ВМ.Как определить тип и буквы транзисторов серии КТ209 в пластиковом корпусе? Набоковой поверхности корпуса транзистора находится серая точка. Буквенныйиндекс определяется по цвету точки на торце транзистора. Тёмно-красная точка –КТ209АМ; жёлтая – КТ209БМ; тёмно-зелёная – КТ209ВМ; голубая – КТ209ГМ;синяя – КТ209ДМ; белая – КТ209ЕМ; коричневая – КТ209ЖМ; серебристая –КТ209ИМ; оранжевая – КТ209КМ; светло-табачная – КТ209ЛМ; серая – КТ209ММ.101Москатов Е. А. Справочник по полупроводниковым приборам.
http://moskatov.narod.ruТаблица 5.1.4. Транзисторы n-p-n малой мощности (Рк.макс ≤ 0,3 Вт) среднейчастоты (3 МГц < fгр ≤ 30 МГц) [39].Предельные значенияЗначения параметровпараметров при Tп = 25 °СТип прибоUкбо.раIк.макс, Iк.и.макс, UкэR.макс,Рк.макс,макс,h21эUкб,Iэ,Uкэ.нас,Iкбо,fгр,BмАBмкАМГцРисунокмАмАBП30730120808025016…502010–32016П307А30120808025030…902010–32016П307Б15120808025050…1502010–32016П307В30120606025050…1502010–32016П307Г15120808025016…502010–32016П3083012012012025030…902010–32016П3093012012012025016…502010–32016BмВтпри Tп = 25 °С102Москатов Е. А. Справочник по полупроводниковым приборам. http://moskatov.narod.ruТаблица 5.1.5.
Транзисторы p-n-p малой мощности (Рк.макс ≤ 0,3 Вт) высокойчастоты (30 МГц < fгр ≤ 300 МГц) [39], [18, стр. 148 – 149].Тип прибораПредельные значенияЗначения параметровпараметров при Tп = 25 °Спри Tп = 25 °СIк.Iк.и.макс,макс,мАмА1Т305А401001Т305Б401Т305ВUкэR.макс,{Uкэо.гр},Uкбо. Uэбо.Рк.макс,h21Э,мВт{h21э}1,575151,5{12}15100{12}401001ТМ305В401Т308Амакс,макс,BB{12}15100{12}401001ТМ305А401ТМ305Б[Uкэо.макс],Uкб,Iэ,Uкэ.{Uкэ}, {Iк}, нас,Iкбо,мкАfгр,{fмакс},дБBмАB25…801100,56140–147560…1801100,56160–141,575{40…120}550,56160–14151,57525…801100,56140–2{12}151,57560…1801100,56160–2100{12}151,575{40…120}550,56160–250120{15}20315025…751101,55100–151Т308Б50120{15}20315050…1201101,25120–151Т308В50120{15}20315080…1501101,251208151Т308Г50120{15}203150100…300110–51206151Т335В150250{10}20320040…703501,510300–161Т335Г150250{10}20320060…1003501,510300–161Т335Д150250{10}20320050…1003501,510300–162Т326А50–1520425020…701100,30,5250–172Т360А-12075202551025…705100,351300–182Т392А-21020[40]4041540…18052,5–0,53005192Т3129А91002004050520030…120520,20,5200–202Т3129Б91002004050520080…250520,20,5200–202Т3129В9100200{20}30520080…250520,20,5200–202Т3129Г9100200{20}305200200…500520,20,5200–202Т3129Д910020020205200200…500520,20,5200–202N2906600–50605400{25}101–0,02200–172N2906A600–50605400{40}101–0,01200–172N2907600–50605400{50}101–0,02200–172N2907A600–50605400{100}101–0,01200–17ГТ305А40100{12}151,57525…801100,56140–14ГТ305Б40100{12}151,57560…1801100,56160–14ГТ305В40100{12}151,575{40…120}550,56160–14ГТ308А50120{15}20315025…751101,55100–15ГТ308Б50120{15}20315050…1201101,25120–15ГТ308В50120{15}20315080…1501101,25120815ГТ308Г50120{15}20315090…2001101,25120–15ГТ309А10–10––5020…70{5}5–5120–21ГТ309Б10–10––5060…180{5}5–5120621ГТ309В10–10––5020…70{5}5–580–21BМГцКш,Рисунок103Москатов Е.
А. Справочник по полупроводниковым приборам. http://moskatov.narod.ruТип прибораПредельные значенияЗначения параметровпараметров при Tп = 25 °Спри Tп = 25 °СIк.Iк.и.макс,макс,мАмАГТ309Д10–ГТ309Е10ГТ310АUкэR.макс,{Uкэо.гр},Uкбо. Uэбо.Рк.макс,h21Э,мВт{h21э}–50––1012–1010–ГТ310Г10ГТ310Дмакс,макс,BB10––1010–ГТ310Б10ГТ310В[Uкэо.макс],Uкб,Iэ,Uкэ.{Uкэ}, {Iк}, нас,Iкбо,мкАfгр,{fмакс},дБBмАB20…70{5}5–540–215060…180{5}5–540–21–20{20…70}51––1603412–20{60…120}51––160341012–20{20…70}51––12044–1012–20{60…120}51––1204410–1012–20{20…70}51––10044ГТ310Е10–1012–20{60…120}51––10044ГТ320В150300920320080…250110210200–22ГТ322А10301025–50{30…100}{5}{1}–480423ГТ322Б10–625–5050…120{5}{1}–480423ГТ322В10301025–50{20…120}{5}{1}–450423ГТ322Г5–1515–50{50…120}{5}1–450–23ГТ322Д5–1515–50{20…70}{5}1–450–23ГТ322Е5–1515–50{50…120}{5}1–450–23ГТ328Б10–15150,255040…20053–10300724ГТ328В10–15150,255010…5053–10300724КТ313А35–56530030…1201010,50,5200–17КТ313Б35–56530080…3001010,50,5200–17КТ326АМ50–1520520020…702100,30,5250–25КТ326БМ50–1520520045…1602100,30,5250–25КТ343А5015017204150300,3100,31300–17КТ343Б5015017204150500,3100,31300–17КТ343В501509–4150300,3100,31300–17КТ343Г5015017–415020115011300–17КТ349А10401520420020…801101,2130017КТ349Б10401520420040…1601101,2130017КТ349В104015204200120…3301101,2130017КТ350А606001520530020…2001500–1100–26КТ351А504001520530020…8013000,61200–26КТ351Б504001520530050…20013000,61200–26КТ352А502001520530025…12012000,61200–26КТ352Б502001520530070…30012000,61200–26КТ357А4080[6]63,510020…1000,5{10}0,35300–27КТ357Б4080[6]63,510060…3000,5{10}0,35300–27КТ357В4080[20]203,510020…1000,5{10}0,35300–27КТ357Г4080[20]203,510060…3000,5{10}0,35300–27КТ360А-12075202551020…705100,351300–18BМГцКш,Рисунок104Москатов Е.
А. Справочник по полупроводниковым приборам. http://moskatov.narod.ruТип прибораПредельные значенияЗначения параметровпараметров при Tп = 25 °Спри Tп = 25 °СIк.Iк.и.макс,макс,мАмАКТ361А50–КТ361Б50КТ361ВUкэR.макс,{Uкэо.гр},Uкбо. Uэбо.Рк.макс,h21Э,мВт{h21э}41502044040–3550–КТ361Е50КТ380Амакс,макс,BB2525–2050–КТ361Г50КТ361Д[Uкэо.макс],Uкб,Iэ,Uкэ.{Uкэ}, {Iк}, нас,Iкбо,мкАfгр,{fмакс},дБBмАB20…90101–1250–2815050…350101–1250–28415040…160101–1250–2835415050…350101–1250–284040415020…90101–1250–28–3535415050…350101–1250–2810–17–41530…90{0,3}100,31300–29КТ380Б10–17–41550…150{0,3}100,31300–29КТ380В10259–41530…90{0,3}100,31300–29КТ3104А10–[30]303,51515…90{1}211200818КТ3104Б10–[30]303,51550…150{1}211200818КТ3104В10–[30]303,51570…280{1}211200818КТ3104Г10–[15]153,51515…90{1}211200818КТ3104Д10–[15]153,51550…150{1}211200818КТ3104Е10–[15]153,51570…280{1}211200818КТ3107А100200[45]50530070…140520,50,12001026КТ3107Б100200[45]505300120…220520,50,12001026КТ3107В100200[25]30530070…140520,50,12001026КТ3107Г100200[25]305300120…220520,50,12001026КТ3107Д100200[25]305300180…460520,50,12001026КТ3107Е100200[20]255300120…220520,50,1200426КТ3107Ж100200[20]255300180…460520,50,1200426КТ3107И100200[45]505300180…460520,50,12001026КТ3107К100200[25]305300380…800520,50,12001026КТ3107Л100200[20]255300380…800520,50,1200426КТ3108А200–6060530050…1501100,250,2250617М4Д40100{12}151,57550…1201100,5680–30М4Е40100{12}151,57590…2001100,5680–30П40120–10–1100{16…300}55–10{30}–22П40220–10–1100{16…250}55–5{60}–22П40320–10–1100{30…100}55–5{120}–22П403А20–10–1100{16…200}55–5{120}–22П414103010101100{25…100}55–460–31П414А103010101100{60…120}55–460–31П414Б103010101100{100…200}55–4{60}–31П415103010101100{25…100}55–4{120}–31П415А103010101100{60…120}55–4{120}–31П415Б103010101100{100…200}55–4{120}–31BМГцКш,Рисунок105Москатов Е.
А. Справочник по полупроводниковым приборам. http://moskatov.narod.ruТип прибораПредельные значенияЗначения параметровпараметров при Tп = 25 °Спри Tп = 25 °СIк.Iк.и.макс,макс,мАмАП41625120П416А25П416БUкэR.макс,{Uкэо.гр},Uкбо. Uэбо.Рк.макс,h21Э,мВт{h21э}31001531215–{8}10–П418И10П418Кмакс,макс,BB12151201225120П41710П417А[Uкэо.макс],Uкб,Iэ,Uкэ.{Uкэ}, {Iк}, нас,Iкбо,мкАfгр,{fмакс},дБBмАB25…80552540–2210060…125551,7560–22310090…200551,7580–22–0,750{24…100}55–3200–32{8}–0,750{65…200}55–3200–32–{6,5}–0,35060…170110–3200–3310–{6,5}–0,35060…170110–3200–33П418Л10–{7}–0,3508…70110–3200–33П418М10–{7}–0,3508…70110–3200–33П42220–10––100{24…100}51–5501022П42320–10––100{24…100}51–51001022ТМ4А40100{12}151,57520…751100,5650–2BМГцКш,РисунокКак отличить транзисторы типов КТ315 от КТ361? У транзисторов серии КТ361буква заключена в тире, а у КТ315 свободно стоит у края корпуса.-E9208КТ361EВ2 84КТ315ВКак определить тип и буквы транзисторов серии КТ3107? На боковой поверхностикорпуса транзистора находится голубая точка.
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
