Москатов Е.А. - Справочник по полупроводниковым приборам (1086444), страница 16
Текст из файла (страница 16)
Буквенный индекс определяется поцвету точки на торце транзистора. Розовая точка – А; жёлтая – Б; синяя – В; бежевая– Г; оранжевая – Д; электрик – Е; салатная – Ж; зелёная – И; красная – К; серая – Л.Как определить тип и буквы транзисторов типов КТ326АМ и КТ326БМ? Этитранзисторы маркируются розовой и жёлтой точкой соответственно.Транзисторы типа КТ350А в пластиковом корпусе маркируются точками серого ирозового цветов.Транзисторы типа КТ351А в пластиковом корпусе маркируются точками жёлтого ирозового цветов, а транзисторы типа КТ351Б маркируются двумя жёлтыми точками.106Москатов Е. А.
Справочник по полупроводниковым приборам. http://moskatov.narod.ruТранзисторы типа КТ352А в пластиковом корпусе маркируются точками зелёногои розового цветов, а транзисторы типа КТ352Б маркируются точками зелёного ижёлтого цветов.Транзисторы 2N2906, 2N2906A, 2N2907, 2N2907A имеют корпус TO-18. Длинавыводов может быть 12,7 мм, а диаметр выводов – Ø0,48 мм.
Ближайшиеотечественные аналоги 2N2906, 2N2906A – КТ313А, а 2N2907, 2N2907A – КТ313Б.107Москатов Е. А. Справочник по полупроводниковым приборам. http://moskatov.narod.ruТаблица 5.1.6. Транзисторы n-p-n малой мощности (Рк.макс ≤ 0,3 Вт) высокойчастоты (30 МГц < fгр ≤ 300 МГц) [39, стр.
70 – 79], [18, стр. 134 – 135].Тип прибораПредельные значенияЗначения параметровпараметров при Tп = 25 °Спри Tп = 25 °СIк.Iк.и.UкэR.макс,Uкбо. Uэбо. Рк.макс,макс,макс,мАмАBBBмВт2Т3117А40080060604{300}2Т3117Б400800757542Т3130В9100–20302Т3130Г9100–152Т3130Д9100–2Т3130Е91002N2222{Uкэо.макс}, макс,макс, {Pмакс},h21Э,{h21э}Uкб,Iэ,{Uкэ}, {Iк},Uкэ.Iкбо,fгр,нас, {IкэR}, {fh21},РисуКш, нокдБBмАBмкАМГц40…20052000,55200–17300100…300{5}2000,610250–175200200…5005{2}0,20,1––20205200400…10005{2}0,20,1––2020305200200…5005{2}0,20,1–420–15205200400…10005{2}0,20,1––20800–50605500100…30010150–0,01250–17SF136D200–20205300112…280110–0,13007,817SF136E200–20205300224…560110–0,13007,817SF136F200–20205300450…1120110–0,13007,817SF137D200–40405300112…280110–0,13006,817SF137E200–40405300224…560110–0,13006,817SF137F200–40405300450…1120110–0,13006,817ГТ311А50–12–215015…1803150,35––34ГТ311Б50–12–215030…1803150,35––34КТ312Б306035–4{225}25…1002200,810––35КТ315А100–25–615020…90{10}10,41250–28КТ315Б100–20–615050…350{10}{1}0,41250–28КТ315В100–40–615020…90{10}{1}0,41250–28КТ315Г100–35–615050…350{10}{1}0,41250–28КТ315Д100–40–615020…90{10}{1}11250–28КТ315Е100–35–615050…350{10}{1}11250–28КТ315Ж50–15–610030…250{10}{1}0,51150–28КТ315И50–60–610030{10}{1}–1250–28КТ339А25–{25}40426025107–1300–117КТ339АМ25–{25}40426025107–1300–118КТ339Б25–{12}25426015107–1250–117КТ339Г25–{25}40426040107–1250–117КТ339Д25–{25}40426015107–1250–117КТ340А50200{15}–5{150}100…150{1}{10}0,21––9КТ340В50200{15}–5{150}35{2}{200}0,41––9КТ340Г75500{15}155{150}16{2}{500}0,61300–9КТ340Д50200{15}–5{150}40{1}{10}0,31300–9КТ342Б5020025–5150200…600510,10,05300–17КТ342В5030010––250100…1000{5}10,10,05––17КТ342Г5030060––250{50…125}{5}{1}0,20,05300–17108Москатов Е.
А. Справочник по полупроводниковым приборам. http://moskatov.narod.ruТип прибораПредельные значенияЗначения параметровпараметров при Tп = 25 °Спри Tп = 25 °СIк.Iк.и.UкэR.макс,Uкбо. Uэбо. Рк.макс,макс,макс,мАмАBBBмВтКТ358Б306030–4{100}КТ373А5020030–5КТ373В5020010–КТ373Г5020060КТ375Б100200КТ379А30КТ379Г{Uкэо.макс}, макс,макс, {Pмакс},h21Э,{h21э}Uкб,Iэ,{Uкэ}, {Iк},Uкэ.Iкбо,fгр,нас, {IкэR}, {fh21},РисуКш, нокдБBмАBмкАМГц25…100{5,5}200,810120–27150100…250510,10,05250–365150500…1000510,10,05––36–515050…125510,10,05250–363030520050…280{2}200,41250–3710030–525100…2505{1}0,10,05250–353010060–52550…1255{1}0,20,05––35КТ3102А100200{50}505{250}100…25052–0,05–1017КТ3102АМ200–50––250100…250–––0,05––37КТ3102Б100200{50}505{250}200…50052–0,05–1017КТ3102БМ200–50––250200…500–––0,05––37КТ3102В100200{30}305{250}200…50052–0,015–1017КТ3102ВМ200–30––250200…500–––0,015––37КТ3102Г10020020205{250}400…100052–0,015–1017КТ3102ГМ200–20––250400…1000–––0,015––37КТ3102Д100200{30}305{250}200…50052–0,015–417КТ3102ДМ200–30––250200…500–––0,015––37КТ3102Е100200{50}505{250}400…100052–0,015–417КТ3102ЕМ200–20––250400…1000–––0,015––37КТ3102Ж200–50––250100…250–––0,05––37КТ3102ЖМ200–50––250100…250–––0,05––37КТ3102И200–50––250200…500–––0,05––37КТ3102ИМ200–50––250200…500–––0,05––37КТ3102К200–30––250200…500–––0,015––37КТ3102КМ200–30––250200…500–––0,015––37КТ3117А4008005060430040…20052000,610200–17Как определить тип и буквы транзисторов серии КТ3102 в пластиковом корпусе?На боковой поверхности корпуса транзистора находится зелёная точка.
Буквенныйиндекс определяется по цвету точки на торце транзистора. Тёмно-красная точка –КТ3102АМ; жёлтая – КТ3102БМ; тёмно-зелёная – КТ3102ВМ; голубая –КТ3102ГМ; синяя – КТ3102ДМ; белая – КТ3102ЕМ.Как определить тип и буквы транзисторов серии КТ342 в пластиковом корпусе?Транзистор типа КТ342АМ имеет маркировку: прямоугольный треугольник и буква“А” или синяя метка на боковой поверхности и тёмно-красная на торце; КТ342БМимеет маркировку: треугольник и буква “Б” или синяя метка на боковойповерхности и жёлтая на торце; КТ342ВМ имеет маркировку: треугольник и буква“В” или синяя метка на боковой поверхности и тёмно-зелёная на торце.109Москатов Е.
А. Справочник по полупроводниковым приборам. http://moskatov.narod.ruТранзисторы 2N2222, SF136D, SF136E, SF136F, SF137D, SF137E, SF137F имеюткорпус TO-18. Длина выводов может быть 12,7 мм, а диаметр выводов – Ø0,48 мм.Ближайшие отечественные аналоги 2N2222 – КТ3117А, SF136D – КТ342А, SF136E– КТ342Б, SF136F – КТ342В, SF137D – КТ342А, SF137E – КТ342Б, SF137F –КТ342В.Ниже показаны типовые входные характеристики транзисторов КТ315А, КТ315Б,КТ315В, КТ315Г и типовые выходные характеристики транзистора КТ315Г [27].Iк, мАIэ, мА1,820oC-40oC1,21,00,80,35350,3300,25250,6200,40,2150,20,150,110Ток базы 0,05 мА500,20,40,60,550,50,450,440Температура1,40,645100 oC1,6500,8 Uэб, В0Рисунок 1.
Типовые входныехарактеристики транзисторов типаКТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г приразличной температуре окружающейсреды (в схеме с общем эмиттером).5 10 15 20 25 30 35 40 Uкэ, ВРисунок 2. Выходные характеристикитранзистора типа КТ315Г (в схеме собщем эмиттером и при температуреокружающей среды 20 ºC).110Москатов Е. А. Справочник по полупроводниковым приборам.
http://moskatov.narod.ruТаблица 5.1.7. Транзисторы p-n-p малой мощности (Рк.макс ≤ 0,3 Вт) сверхвысокойчастоты (fгр > 300 МГц) [39, стр. 80 – 83].Тип прибораПредельные значенияЗначения параметровпараметров при Tп = 25 °Спри Tп = 25 °СIк.Iк.и.UкэR.макс,Uкбо. Uэбо.макс,макс,{Uкэо.гр},макс,макс,мАмАBBB1Т313А50–{7}120,710010…230{3}151Т313Б50–{7}120,710010…75{3}1Т313В50–{7}120,710030…2301Т376А10–{7}70,25351Т386А10–{15}150,32Т326Б50–15202Т360Б-12075152Т360В-120752Т363А30502Т363Б302Т389А-2Рк.макс,Uкб,РисуКш, нокIкбо,fгр,мкАГГцдБ0,750,3…1834150,750,45…1834{3}150,750,45…183410…15052–514244010…10053–100,45424425045…1602101,20,50,4–172041040…1202100,3510,4–18152041080…2402100,3510,4–181515415020…70550,350,51,2–17501215415040…120550,350,51,5–17300–{25}25430025…10012000,610,45–47ГТ313А30–15150,715020…200550,750,35…1834ГТ313Б30–15150,715020…200550,750,45…1834ГТ313В30–15150,715030…170550,750,35…1834ГТ328А10–{15}150,255020…20053–100,4734ГТ346А10–15200,35010…150102–100,7724ГТ346Б10–15200,35010…150102–100,55824ГТ346В10–15200,35015…150102–100,55724ГТ376А10–{7}70,253510…15052–51424КТ326А50–1520420020…702101,20,50,4–17КТ326Б50–1520420045…1602101,20,50,4–17КТ337А30–66415030…70{0,3}100,210,5–17КТ337Б30–66415050…75{0,3}100,210,6–17мВтh21Э{Uкэ},BIэ,Uкэ.мАнас,BКТ337В30–66415070…120{0,3}100,210,6–17КТ345А2003002020410020…60{1}1000,310,35–26КТ345Б2003002020410050…85{1}1000,310,35–26КТ345В2003002020410070…105{1}1000,310,35–26КТ347А501101515415030…4000,3100,310,5–17КТ347Б5011099415030…4000,3100,310,5–17КТ347В5011066415050…4000,3100,310,5–17КТ360Б-12075152041040…1402100,3510,4–18КТ360В-12075152041080…2402100,3510,4–18КТ363А30501515415020…70550,350,51,2–17КТ363АМ30501515415020…70550,350,51,2–26КТ363Б30501215415040…120550,350,51,5–17КТ363БМ30501215415040…120550,350,51,5–26111Москатов Е.
А. Справочник по полупроводниковым приборам. http://moskatov.narod.ruТип прибораПредельные значенияЗначения параметровпараметров при Tп = 25 °Спри Tп = 25 °СIк.Iк.и.UкэR.макс,Uкбо. Uэбо.макс,макс,{Uкэо.гр},макс,макс,мАмАBBBКТ389Б-2300–{25}25430025…1001200КТ3126А20–2020315025…1505КТ3126Б20–2020315060…180КТ3127А20–20203100КТ3128А20–20203П418Г10–{7}10П418Д10–{7}П418Е10–П418Ж10–Рк.макс,Uкб,РисуКш, нокIкбо,fгр,мкАГГцдБ0,610,45–4731,210,6–37531,210,6–3725…15053–10,652410015…15053–10,85240,3508…70110–30,4–33100,3508…70110–30,4–336,5100,35060…170110–30,4–336,5100,35060…170110–30,4–33мВтh21Э{Uкэ},BIэ,Uкэ.мАнас,B112Москатов Е.
А. Справочник по полупроводниковым приборам. http://moskatov.narod.ruТаблица 5.1.8. Транзисторы n-p-n малой мощности (Рк.макс ≤ 0,3 Вт) сверхвысокойчастоты (fгр > 300 МГц) [39].Тип прибораПредельные значенияЗначения параметровпараметров при Tп = 25 °Спри Tп = 25 °СIк.Iк.и.UкэR.макс,макс,макс,мАмАB1Т311А50–1Т311Б501Т311ГUкбо. Uэбо.{Uкэо.макс}, макс,Рк.макс,макс,{Рмакс},BBмВт12122{150}–1212250–12121Т311Д50–121Т311К50–1Т311Л502Т355АUкб,h21ЭIэ,Uкэ.{Uкэ}, {Iк}, нас,Iкбо,fгр,Кш,мкАГГцдБРисунокBмАB15…1803150,350,3834{150}30…1803150,350,3–342{150}30…803150,350,45–34122{150}60…1803150,350,6–3412122{150}60…1803150,350,45–34–12122{150}150…3003150,350,6–34306015154{225}80…3005{10}–0,51,5–382Т366В-14570{10}154,5{90}50…200{1}150,250,11–392Т368А306015154{225}50…3001{10}–0,50,9–242Т368Б306015154{225}50…3001{10}–0,50,93,3242Т396А-2404010153{30}40…2502{5}–0,52,1–40ГТ311В50–1212215015…503150,350,45–34ГТ311Г50–1212215030…803150,350,45–34ГТ311И50–10101,5{150}100…3003150,3100,45–34КТ306А305010154{150}20…60{1}100,30,50,3841КТ316А505010104{150}20…60{1}100,40,50,6–9КТ316Б505010104{150}40…120{1}100,40,50,8–9КТ316В505010104{150}40…120{1}100,40,50,8–9КТ316Г505010104{150}20…100{1}100,40,50,6–9КТ316Д505010104{150}60…300{1}100,40,50,8–9КТ325А306015154{225}30…905{10}–0,50,82,542КТ325Б306015154{225}70…2105{10}–0,50,8–42КТ325В306015154{225}160…4005{10}–0,51–42КТ366В4570{10}154,5{90}50…200{1}150,250,11–39КТ368А306015154{225}50…3001{10}–0,50,9–24КТ368Б306015154{225}50…3001{10}–0,50,93,324КТ396А-2404010153{30}40…2502{5}–0,52,1–40Транзисторы типа КТ396А-9 маркируются одной зелёной точкой.113Москатов Е.