Москатов Е.А. - Справочник по полупроводниковым приборам (1086444), страница 19
Текст из файла (страница 19)
А. Справочник по полупроводниковым приборам. http://moskatov.narod.ruПредельные значенияЗначения параметровпараметров при Tп = 25 °Спри Tп = 25 °СUкэо.гр,Uкбо.макс,[UкэR.макс],{Uкбо.{Uкэо.макс},и.макс},BB25{30}{50}801625{60}{100}ТК135-25-1,51625{90}ТК135-25-21625ТК135-25-2,516ТК135-25-3Тип прибораIк.Iк.и.макс,макс,AAТК135-25-0,516ТК135-25-1Рк.макс,Uкэ,{Рк.ср.макс},h21ЭIк,Uкэ.Iкбо,{Uкб}, {Iэ}, нас, {IкэR},Втfгр,РисунокМГцBABмА10…100512,52106548010…100512,5210654{150}8010…100512,5210654{120}{200}8010…100512,521065425{150}{250}808512,52106542025{180}{300}808512,5210654ТК135-25-3,52025{210}{350}808512,5210654ТК135-25-42025{240}{400}808512,5210654ТК235-32-0,52032{30}{50}11010…100516210466ТК235-32-12032{60}{100}11010…100516210466ТК235-32-1,52032{90}{150}11010…100516210466Ниже показаны типовая входная и выходные характеристики транзисторов типовКТ812А, КТ812Б [27].Iк, АIэ, АUкб=07006005001044008300320061002412012АIб=30м3 Uэб, В0Рисунок 1.
Типовая входная характеристикатранзисторов типа КТ812А, КТ812Б (всхеме с общей базой).1234 Uкэ, ВРисунок 2. Выходные характеристикитранзисторов типа КТ812А, КТ812Б (всхеме с общем эмиттером).Транзистор KUY12 выпускается в корпусе TO-3 и имеет аналог КТ812В.Транзистор KU612 выпускается в корпусе SOT-9 и имеет аналог КТ801А.Транзистор КТ805Б имеет аналог BDY12, выпускаемый в корпусе MD-17.128Москатов Е. А. Справочник по полупроводниковым приборам.
http://moskatov.narod.ruТаблица 5.1.17. Транзисторы p-n-p составные большой мощности (Рк.макс > 1,5 Вт)средней частоты (3 МГц < fгр ≤ 30 МГц) [39].Тип прибораПредельные значенияЗначения параметровпараметров при Tп = 25 °Спри Tп = 25 °СIк.Iк.и.Uкэо.гр,Uкбо. Uэбо.макс,макс,{UкэR.макс},макс,макс,ААBBB2Т825А204080–5160750…180002Т825Б204060–51602Т825В204045–52Т825А-21540801002Т825Б-21540602Т825В-21540КТ825Г20КТ825ДКТ825ЕРк.макс,ВтUкб,h21Э{Uкэ},Iк,Uкэ.нас, Iкбо,fгр,РисунокАBмАМГц10102–454750…1800010102–454160750…1800010102–454530750…1800010102–45580530750…1800010102–4554560530750…1800010102–4553070–512575010102–454203045–512575010102–454203025–512575010102–454КТ852А2,5–{100}100550500{4}{2}2,51775КТ852Б2,5–{80}80550500{4}{2}2,51775КТ852В2,5–{60}60550500{4}{2}2,51775КТ852Г2,5–{45}45550500{4}{2}2,51775КТ853А8–{100}100560750{3}{3}20,2775КТ853Б8–{80}80560750{3}{3}20,2775КТ853В8–{60}60560750{3}{3}20,2775КТ853Г8–{45}45560750{3}{3}20,2775B129Москатов Е.
А. Справочник по полупроводниковым приборам. http://moskatov.narod.ruТаблица 5.1.18. Транзисторы n-p-n составные большой мощности (Рк.макс > 1,5 Вт)средней частоты (3 МГц < fгр ≤ 30 МГц) [39], [18, стр. 258 – 259].Тип прибораПредельные значенияЗначения параметровпараметров при Tп = 25 °Спри Tп = 25 °СIк.Iк.и.макс,макс,АА2Т827А20402Т827А-2202Т827А-5Uкэо.гр,Uкбо. Uэбо.Рк.макс,РисунокUкэ,Iк,Uкэ.нас,IкэR,fгр,BАBмАМГц750…1800031023454125750…18000310234805125750…1800031023481805125750…180003102345480805125750…18000310234804060605125750…1800031023454204060605125750…18000310234802Т834А1520400–8100150…300055234542Т834Б1520350–8100150…300055234542Т834В1520300–8100150…30005523454BD647812100100562,575033––7113КТ827А20401001005125750…1800031023454КТ827Б204080805125750…1800031023454КТ827В204060605125750…1800031023454КТ829А8121001005607503321,5482КТ829Б81280805607503321,5482КТ829В81260605607503321,5482КТ829Г81245455607503321,5482КТ834А1520400–8100150…30005523454КТ834Б1520350–8100150…30005523454КТ834В1520300–8100150…30005523454макс,макс,BB100100512540100100520401001002Т827Б2040802Т827Б-220402Т827В202Т827В-2BВтh21ЭТранзистор BD647 имеет корпус TO-220; ближайший аналог – КТ829А.130Москатов Е.
А. Справочник по полупроводниковым приборам. http://moskatov.narod.ruТаблица 5.1.19. Транзисторы составные p-n-p большой мощности (Рк.макс > 1,5 Вт)высокой частоты (30 МГц < fгр ≤ 300 МГц) [39].ТипприбораIк.Предельные значенияЗначения параметровпараметров при Tп = 25 °Спри Tп = 25 °СUкэR. Uкбо.
Uэбо.макс, макс, макс,Рк.Тп.макс, макс, макс,Тмакс,°САBBBВт°СКТ973А460605815085КТ973Б445455815085h21ЭUкэ.Uкб, Iэ,нас,IкэR, fгр,tрас,Ртп-к,мА МГцмкс°С / ВтРисунокВА750311,512000,215,648750311,512000,215,648BТранзисторы КТ973 серии содержат следующую схему:КоллекторБазаVT1VD1VT2R1ЭмиттерТаблица 5.1.20. Транзисторы составные n-p-n большой мощности (Рк.макс > 1,5 Вт)высокой частоты (30 МГц < fгр ≤ 300 МГц) [39].ТипприбораIк.Предельные значенияЗначения параметровпараметров при Tп = 25 °Спри Tп = 25 °СUкэR. Uкбо.
Uэбо.макс, макс, макс,Рк.Тп.макс, макс, макс,Тмакс,°САBBBВт°СКТ972А460605815085КТ972Б445455815085h21ЭUкб, Iэ,Uкэ.нас,IкэR, fгр,tрас,Ртп-к,мА МГцмкс°С / ВтРисунокВА7503–1,512000,215,6487503–1,512000,215,648B131Москатов Е. А. Справочник по полупроводниковым приборам. http://moskatov.narod.ruТаблица 5.1.21. Транзисторы p-n-p большой мощности (Рк.макс > 1,5 Вт) высокойчастоты (30 МГц < fгр ≤ 300 МГц) усилительные и генераторные [39].Тип прибораПредельные значенияЗначения параметровпараметров при Tп = 25 °Спри Tп = 25 °СIк.Iк.и.макс,макс,ААUкэо.макс,BUкбо.
Uэбо.макс,Рк.макс, макс,BBВтUкэ,Iк,BАUкэ.нас,BIкэR,fгр,Cк,мАМГцпФh21ЭРисунок2Т932Б2–60604,52031,51,51,55030030…120542Т933А0,5–80804,5530,41,50,57510015…80832Т933Б0,5–60604,5530,41,50,57510030…12083КТ932А2–80804,52031,51,51,5403005…8054КТ932Б2–60604,52031,51,51,56030030…12054КТ932В2–40404,52031,51,51,5–3004054КТ933А0,5–80804,5530,41,50,57510015…8084КТ933Б0,5–60604,5530,41,50,57510030…12084132Москатов Е.
А. Справочник по полупроводниковым приборам. http://moskatov.narod.ruТаблица 5.1.22. Транзисторы n-p-n большой мощности (Рк.макс > 1,5 Вт) высокойчастоты (30 МГц < fгр ≤ 300 МГц) усилительные и генераторные [39].ТипприбораПредельные значенияЗначения параметровпараметров при Tп = 25 °Спри Tп = 25 °СUкэR.макс,Iк.Iк.и.(Uкэо.гр),Рк.Uкбо.
Uэбо.макс, макс, [Uкэх.и.макс], макс, макс,АА{Uкэо.макс},BBB2Т602Амакс,Uкэ,Iк,Uкэ.(Iэ),нас,BАB{Рк.ср. (Uкб),макс},ВтIкэR,(Iкбо),fгр,Cк,[Iкэк],МГцпФh21ЭРисунокмА0,0750,5(70)12052,8(10)(0,01)3(0,01)150420…80852Т602АМ 0,0750,5(70)12052,8(10)(0,01)3(0,01)150420…80480,0750,5(70)12052,8(10)(0,01)3(0,01)150450…200852Т602БМ 0,0750,5(70)12052,8(10)(0,01)3(0,01)150450…200482Т602Б2Т903А31060–43010222120–15…70862Т903Б31060–43010222120–40…80862Т912А20–70–530{10}5–5090–10…501102Т912Б20–70–530{10}5–5090–20…1001102Т921А3,5–65–4{12,5}101–1090–10…80872Т922В3960–4{40}50,50,620300–10…150882Т950Б7–[65]–4{60}105–3090–10…100892Т951А5–[60]–4{45}102–(20)150–15…100902Т951Б3–[60]–4{30}102–2090–10…10090КТ602А0,0750,5(70)12052,8(10)(0,01)3(0,07)150420…8085КТ602АМ 0,0750,5(70)12052,8(10)(0,01)3(0,07)150420…80480,0750,5(70)12052,8(10)(0,01)3(0,07)150450…22085КТ602БМ 0,0750,5(70)12052,8(10)(0,01)3(0,07)150450…22048КТ602БКТ602В0,0750,5708052,8(10)(0,01)3(0,07)150415…8085КТ602Г0,0750,5708052,8(10)(0,01)3(0,07)15045085КТ611А0,1–18015033(40)(0,02)8[0,1]60510…4050КТ611АМ0,1–1801204–(40)(0,02)80,160510…4048КТ611Б0,1–18015033(40)(0,02)8[0,1]60530…12050КТ611БМ0,1–1801204–(40)(0,02)80,160530…12048КТ611В0,1–15015033(40)(0,02)8[0,1]60510…4050КТ611Г0,1–15015033(40)(0,02)8[0,1]60530…12050КТ902А5–110 и–5301022(10)35–1569КТ902АМ5–110 и–5301022(10)35–1555КТ903А31060–4301022,510120–15…7069КТ903Б31060–4301022,511120–40…8069КТ912А20–70–5{35}105–5090–10…50110КТ912Б20–70–5{35}105–5090–20…100110КТ921А3,5–65–4{12,5}101–1090–10…8087КТ921Б3,5–65–4{12,5}101–1090–10…8087КТ922В3965–4{40}–––40300––88133Москатов Е.
А. Справочник по полупроводниковым приборам. http://moskatov.narod.ruТипприбораПредельные значенияЗначения параметровпараметров при Tп = 25 °Спри Tп = 25 °СUкэR.макс,Iк.Iк.и.(Uкэо.гр),Рк.Uкбо. Uэбо.макс, макс, [Uкэх.и.макс], макс, макс,АА{Uкэо.макс},BBBмакс,Uкэ,Iк,Uкэ.(Iэ),нас,BАB{Рк.ср. (Uкб),макс},ВтIкэR,(Iкбо),fгр,Cк,[Iкэк],МГцпФh21ЭРисунокмАКТ922Д3965–4{40}–––40250––88-5КТ940А0,10,3300300510100,031(5·10 )905,52548-5КТ940Б0,10,3250150510100,031(5·10 )905,52548КТ940В0,10,3160150510100,031(5·10 )905,52548КТ945А1525150–550715––51–10…8054КТ961А1,52100100512,5100,150,5(0,01)50–40…10048КТ961Б1,528080512,5100,150,5(0,01)50–63…16048КТ961В1,526060512,5100,150,5(0,01)50–100…25048КТ961Г234040512,5100,150,5(0,01)50–20…50048КТ969А0,10,2(250)30056100,0151(5·10 )601,850…25048-5-5Транзистор КТ945А изготовлен по эпитаксиальной технологии и имеет аналог2N3442.134Москатов Е.
А. Справочник по полупроводниковым приборам. http://moskatov.narod.ruТаблица 5.1.23. Транзисторы p-n-p большой мощности (Рк.макс > 1,5 Вт)сверхвысокой частоты (fгр > 300 МГц) усилительные и генераторные [39].ТипприбораIк.Предельные значенияЗначения параметровпараметров при Tп = 25 °Спри Tп = 25 °СIк.и.макс, макс,АА2Т914А0,81,5КТ914А0,81,5Uкэо.макс,BUкбо. Uэбо.Рк.макс, макс,макс,Uкэ,Iк,BАUкэ.нас,BIкэR,fгр,Cк,мАГГцпФh21ЭРисунокBBВт65–4750,250,620,351210…608765–4750,250,620,351210…6087135Москатов Е. А. Справочник по полупроводниковым приборам.
http://moskatov.narod.ruТаблица 5.1.24. Транзисторы p-n-p большой мощности (Рк.макс > 1,5 Вт) высокойчастоты (fгр > 300 МГц) переключательные и импульсные [39].ТипприбораIк.Предельные значенияЗначения параметровпараметров при Tп = 25 °Спри Tп = 25 °СIк.и.UкэR.макс,Uкбо. Uэбо.Рк.Uкэ,Iк,Uкэ.макс, макс,{Uкэо.гр},макс, макс,макс,{Uкб},{Iэ},нас,Iкбо,fгр,Cк,мАМГцпФh21ЭРисунокААBBBВтBАBГТ905А37{65}75–6{10}{3}0,526020035…10074ГТ905Б37{65}60–6{10}{3}0,526020035…10074КТ626А0,51,54545–6,520,1510,157515040…25048КТ626Б0,51,56060–6,520,1510,157515030…10048КТ626В0,51,58080–6,520,1510,154515015…4548КТ626Г0,51,52020–6,520,1510,154515015…8048КТ626Д0,51,52020–6,520,1510,154515040…25048136Москатов Е.
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
