Главная » Просмотр файлов » 001-2. p-n-ПЕРЕХОД

001-2. p-n-ПЕРЕХОД (1085064), страница 2

Файл №1085064 001-2. p-n-ПЕРЕХОД (Ответы на экзаменационные билеты (МСТ)) 2 страница001-2. p-n-ПЕРЕХОД (1085064) страница 22018-01-12СтудИзба
Просмтор этого файла доступен только зарегистрированным пользователям. Но у нас супер быстрая регистрация: достаточно только электронной почты!

Текст из файла (страница 2)

Рис. 5. Туннельные явления в р - n -переходе; а - межзонное туннелированис; б - зонная диаграмма туннельногодиода; в- прямая ветвь ВАХ туннельного диода (1 - полнаяплотность тока, 2 - нетуннельная составляющая); г- комбинация термического(1 )и туннельного (2 )переходов с участием примесного уровня; д - возможные варианты генерации: 1 - термическая (многофононная);2 - туннельная (бесфононная); 3 - туннелирование с поглощением фононов.

г) Ударная ионизация. Электроны проводимостис энергией, превышающей её порог, могут порождать электронно-дырочные пары, <истратив на это почти всю свою энергию в зоне. Такую же возможность имеюти дырки с надпороговой энергией. Пороги ударной ионизации для электронаи дырки различны (однако во мн. случаях они слегка превышают )..Рождение электронно-дырочной пары носителями, ускоренными до необходимыхэнергий в электрич. поле обратно смещённого перехода, ответственно за лавинноеразмножение носителей в р - n -П. и за его лавинный пробой.
Обычно процессы ударной ионизации описываютс помощью коэф. и определяемыхкак ср. числа электронно-дырочных пар, генерируемых одним электроном иодной дыркой на единичном пути их дрейфа в электрич. поле Е. Вширокихобеднённых слоях ( х)- локальные ф-ции электрич. поля в точке х:

Здесь т =1, 2; коэф. bn, р не зависят от Е, а С п, <р зависят слабо. Из-за сильной зависимости от Е в ударную ионизацию, как и в туннельную генерацию, вносит вкладтолько близкая окрестность точки макс. электрич. поля в обеднённом слое.
Из-за ударной ионизации обратный ток р- п -П., обусловленный термической или туннельной генерацией, а такжефото генерацией или инжекцией носителей надлежит умножить на коэф.M(U):J
1(U) = j(U) M(U). При = = (приближённо имеющем место во мн. полупроводниках при больших значениях| Е| )величина M(U )перестаёт зависеть от места, где произошлапервичная генерация, и равна

(направление оси х выбрано из р -областив п -область).

Это определяет напряжение U пр лавинного пробоя р - n -П.: стационарный режим с обратным напряжениемна р - n -П. .U пр невозможен. <Для лавинного пробоя важна ударная ионизация обоими типами носителей. Еслив размножении участвуют, напр., одни только электроны, то напряжение U пр оо(бесклнечность).
Лавинный пробой, как правило, имеет микроплазменныйхарактер: ток течёт не по всей площади р - n -П., а локализован вотд. точках (микроплазмах), выявляемых по яркому свечению. С ростом токапробоя число микроплазм растёт вплоть до однородного покрытия ими всейплощади.
Если хотя бы одна сторона р - n -П. <легирована слабо или же р - n -П. имеет плавную структуру, лавинныйпробой наступает при напряжении, недостаточном для проявления заметнойтуннельной генерации. В резких переходах с сильным легированием обеих сторонтуннельная генерация начинает доминировать до наступления лавинного пробоя, <так что ему предшествует на обратной ветви ВАХ участок быстрого туннельногонарастания тока (рис. 4).
д) Фотогеперация, сторонняя инжекция. <Током р - n -П. можно управлять с помощью фотогенерации неравновесныхносителей в его окрестности. Ток j
ф, обусловленный фотогенерацией(фототок), в отсутствие лавинного размножения аддитивно складывается сдр. составляющими тока, а при наличии лавинного размножения - с составляющимипервичного тока. При наличии фототока (кривая 5, рис. 4) ВАХ не проходитчерез точку j = 0, U= 0, возникает участок, на к-ром знак j не совпадает со знаком U (кривая 6, рис. 4). В этом режиме р - n -П. выступает в качестве фотоэлемента, преобразующегоэнергию излучения в электрич. энергию (см. также Солнечная батарея). Кроме режима фотоэлемента используется режим фотодиода, отвечающийобратной ветвп ВАХ.
Др. способ управления током р - n -П.- инжекция неосновных носителей в одну из образующих переход областей полупроводникас помощью др. р - п -П. или иного инжектирующего контакта. Этот способуправления током р - п -П. - коллектора путём ин-жекции р - п -П.- эмиттером лежит в основе работы транзисторов. Ток р - n -П. <можно также изменять разогревом носителей эл.-магн. излучением СВЧ-илиИК-диапазона.

Способы получения р-n -П. Сплавные переходы получают, нанося на полупроводниковуюкристаллич. подложку "навеску" легкоплавкого металлич. сплава, в составк-рого входит необходимое легирующее вещество. При нагреве образуется областьжидкого расплава, состав к-рого определяется совместным плавлением навескии подложки. При остывании формируется рекристаллизац. область полупроводника, <обогащённая легирующими атомами. Если тип легирования этой области отличенот типа легирования подложки, то образуется резкий р - n -П., причёмего металлургич. граница х0 совпадает с границей рекристаллизац. <области. В сплавных переходах на этой поверхности разность изменяется скачком(резкий р - n -переход).
При вытягивании из расплава формированиеперехода происходит в процессе роста полупроводникового слитка путём дозированногоизменения состава легирующих примесей в расплаве. Диффузионные переходыполучают диффузией легирующих примесей из источников в газообразной, жидкойи твёрдой фазах. Имплантированные переходы образуются при ионной имплантации легирующих примесей.
Эпитаксиальные переходы получают методомэпитак-сиального выращивания или наращивания, в т. ч. методом молекулярно-лучевойэпитаксии, позволяющим пространственно наиболее тонко (с разрешающей способностьюдо 1 нм) регулировать закон изменения N
Д(x) - Na(x). Частоприменяются комбиниров. способы: после вплавления, имплантации или эпитаксиальноговыращивания производится диффузионная доводка структуры.
При получении р - n -П. регулируетсяне только легирование р- и n -областей, но и структура всегопереходного слоя; в частности, получается необходимый градиент а = d(N
Д- Na)/dx в точке металлургич. перехода х= х 0. В большинстве случаев применяются асимметричные р +- п- или п + - р -П., в к-рых легирование одной изобластей (+) намного сильнее другой.
Применения, р - n -П. обладает нелинейнойВАХ с большим коэф. выпрямления, на чём основано действие выпрямительных(полупроводниковых) диодов. За счёт изменения толщины обеднённого слояс изменением напряжения U он имеет управляемую нелинейную ёмкость(см. Варикап). Включённый в прямом направлении, он инжектирует носителииз одной своей области в другую. Инжектиров. носители могут управлять токомдр. р - n- П ., рекомбинировать с излучением света, превращая р- n -П. в электролюминесцентный источник излучения (см. Светоизлцчающийдиод), инерционно задерживаться в области инжекции при быстрых переключенияхнапряжения на р - n -П. Ток р - n- П . управляетсясветом или др. ионизирующими излучениями (см.
Полупроводниковый детектор).
Свойства р - n -П. обусловливаютих применение в разл. приборах: выпрямительные, детекторные, смесительныедиоды (см. Диоды твердотельные); биполярные и униполярные транзисторы;туннельные диоды; лавинно-пролётные диоды (СВЧ-генераторы); фотодиоды, <лавинные фотодиоды, фототранзисторы; тиристоры, фототиристоры; фотоэлементы, <солнечные батареи; светодиоды, инжекц. лазеры; детекторы частиц и др. .- n -П. вытесняются Шоттки барьерами, изотипными гетеропереходами, <планарно-легированными барьерами.

Характеристики

Тип файла
Документ
Размер
207 Kb
Высшее учебное заведение

Список файлов ответов (шпаргалок)

Ответы на экзаменационные билеты (МСТ)
Ответы на билеты_doc
Свежие статьи
Популярно сейчас
Зачем заказывать выполнение своего задания, если оно уже было выполнено много много раз? Его можно просто купить или даже скачать бесплатно на СтудИзбе. Найдите нужный учебный материал у нас!
Ответы на популярные вопросы
Да! Наши авторы собирают и выкладывают те работы, которые сдаются в Вашем учебном заведении ежегодно и уже проверены преподавателями.
Да! У нас любой человек может выложить любую учебную работу и зарабатывать на её продажах! Но каждый учебный материал публикуется только после тщательной проверки администрацией.
Вернём деньги! А если быть более точными, то автору даётся немного времени на исправление, а если не исправит или выйдет время, то вернём деньги в полном объёме!
Да! На равне с готовыми студенческими работами у нас продаются услуги. Цены на услуги видны сразу, то есть Вам нужно только указать параметры и сразу можно оплачивать.
Отзывы студентов
Ставлю 10/10
Все нравится, очень удобный сайт, помогает в учебе. Кроме этого, можно заработать самому, выставляя готовые учебные материалы на продажу здесь. Рейтинги и отзывы на преподавателей очень помогают сориентироваться в начале нового семестра. Спасибо за такую функцию. Ставлю максимальную оценку.
Лучшая платформа для успешной сдачи сессии
Познакомился со СтудИзбой благодаря своему другу, очень нравится интерфейс, количество доступных файлов, цена, в общем, все прекрасно. Даже сам продаю какие-то свои работы.
Студизба ван лав ❤
Очень офигенный сайт для студентов. Много полезных учебных материалов. Пользуюсь студизбой с октября 2021 года. Серьёзных нареканий нет. Хотелось бы, что бы ввели подписочную модель и сделали материалы дешевле 300 рублей в рамках подписки бесплатными.
Отличный сайт
Лично меня всё устраивает - и покупка, и продажа; и цены, и возможность предпросмотра куска файла, и обилие бесплатных файлов (в подборках по авторам, читай, ВУЗам и факультетам). Есть определённые баги, но всё решаемо, да и администраторы реагируют в течение суток.
Маленький отзыв о большом помощнике!
Студизба спасает в те моменты, когда сроки горят, а работ накопилось достаточно. Довольно удобный сайт с простой навигацией и огромным количеством материалов.
Студ. Изба как крупнейший сборник работ для студентов
Тут дофига бывает всего полезного. Печально, что бывают предметы по которым даже одного бесплатного решения нет, но это скорее вопрос к студентам. В остальном всё здорово.
Спасательный островок
Если уже не успеваешь разобраться или застрял на каком-то задание поможет тебе быстро и недорого решить твою проблему.
Всё и так отлично
Всё очень удобно. Особенно круто, что есть система бонусов и можно выводить остатки денег. Очень много качественных бесплатных файлов.
Отзыв о системе "Студизба"
Отличная платформа для распространения работ, востребованных студентами. Хорошо налаженная и качественная работа сайта, огромная база заданий и аудитория.
Отличный помощник
Отличный сайт с кучей полезных файлов, позволяющий найти много методичек / учебников / отзывов о вузах и преподователях.
Отлично помогает студентам в любой момент для решения трудных и незамедлительных задач
Хотелось бы больше конкретной информации о преподавателях. А так в принципе хороший сайт, всегда им пользуюсь и ни разу не было желания прекратить. Хороший сайт для помощи студентам, удобный и приятный интерфейс. Из недостатков можно выделить только отсутствия небольшого количества файлов.
Спасибо за шикарный сайт
Великолепный сайт на котором студент за не большие деньги может найти помощь с дз, проектами курсовыми, лабораторными, а также узнать отзывы на преподавателей и бесплатно скачать пособия.
Популярные преподаватели
Добавляйте материалы
и зарабатывайте!
Продажи идут автоматически
6390
Авторов
на СтудИзбе
307
Средний доход
с одного платного файла
Обучение Подробнее