Пасынков.Полупроводниковые приборы (1084497), страница 98
Текст из файла (страница 98)
знстора 235, 245 Формальная эквивалентная схема транзистора 234 Фотоднод 384 Фотолвминесценцня 33 Фоторезнстнвныб эффект 34 Фоторезнстор 378 Фоготнрнсгор 393 Фототраизистор 392 Фотоэлемент 389 Холодильник полупроводннвжый 432, 438 Частотныб диод !41 Часть базы транзистора активная 193 — — — пассивная 193 — — — периферическая 193 Ширина запрещенной зоны 8 Шкала полупроводниковая 367 Шумовое отношение 161 Шумовой диод 172 Шумы тепловые 262 — дробовые 262 — избыточные 262 ЭДС Дембера 35, !25 Эиран полупроводниковый 367 Экстракцня носнтелеб заряда 44 Электрический переход 70 Электролюминесцентный пленочный иа лучатель 372 — порошковыд излучатель 370 Электролвмниесцеиция 33 Электронно-дырочныб переход 41 Электронно-злектронныЯ переход 63 Электроэлемент атомнаЯ 397 Элемент излучающий полупроводниковый 366 — интегральной микросхемы 334 — памяти иа аморфном полупроводнике 424 Эмиттер 193 Эмнтгерныд р-л-переход 193 Энергетическая зона 8 Энергетический уровень ловушки захвата 18 — — рекомбннационнод ловушки 1О Энергия ионнзации донора (вкцептора) !6 — сродства к электрону 69 Эпнтакснальиое наращивание 49 Эпитакснальныб р-и-переход 49 Эффект Ганна 354 — Гаусса 442 — Зеебека 429 — магииторезкстнаиый 442, 445 — Пельтье 432 — расширения базы транзистора 209 — фоторезистивный 34 — Холла 442 Эффективная масса носителя заряда 14, 30 Эффективность генерации квантовая 34 — коллектора 237 — эмиттера 237 $1.1.
Энергетические зоны полупроводинков $1.2. Генерация н рекомбннацня носнтелеб заряда $1,3. Концентрация носителей заряда в полупроводнике при термодниамнческом равновесии $1,4. Собственные полупроводники $1.5. Прнмесные полупроводники $1,6. Время жизни неравновесных носи. гелей заряда $ !.7. Процессы переноса зарядов в полупроводниках $ !.8. Температурные зависимости концентрации носнтелеб заряда н положения уровня Ферми $ !.9.
Температурные зависимости подвижности носителей заряда н удельиоб проводимости $1.10. Полупроводники в сильных влектрическнх полях $ 1.11. Оптические свойства полупроводников $1.12. Фотоэлектрические явления в полупроводниках $1.13. Обедненные, инверсные н обогв. щепные поверхностные слон $1.14. Поверхностная рекомбниация $ 1.15. Проводимость канала поверхиосгиоб злектроводнастн Глава 2 Контактные явления 44 45 475 $2.1. Электронно-дырочный переход . $2.2.
Токи через электронно-дмрочныб переход $2.3. Концентрация неосновных носнтелед заряда у границ электронно. дырочного перехода $2.4. Методы формирования н класси. фнквцня электронно-дырочных пе- реходов 145 148 152 156 160 167 171 172 !73 177 183 !84 188 57 62 $4.1 !92 195 200 $4.3 $ 4.4 71 204 $ 3.1 $ 3.2 76 207 210 2!4 218 $ 4.6 $ 4.7 $ 4.8 $ 4.9 $ 3.3 81 $ 3.4. Р 226 229 233 $4.10 $ 4.1 1 $4.12 $4.13 241 248 257 262 $4.14 $4.15 $4. 16 $4.17 $ 3.7 $ 3.8 $ 3.9 95 96 265 272 275 280 $438. О $4.!9. Н $ 5.1. Д $ 5.2. Д 100 $3.10 Глава 5 Тнрнсторы 101 103 !!1 113 $ 3.1! $3.12 $ 3.13 $ 3.14 287 288 290 292 293 $ 5.5 $ 5.6 $ 5.7 119 $3.15 298 $ 3.16 $6.! $ 3.17 132 133 $6.3 $ 338 $ 3.19 138 475 477 Глава 3 Полуцронодпиквигяе дгюды $2.5. Распределение напряженносгя электрического поля я потенциала в электронно-дырочном перекоде $2.6 Аналитический расчет резкого электронно-дырочного пере*ода $2.7. Аналитический расчет плавного электронно дырочного перехода с линейным распределением концентрации прнмесей $2.8.
Барьерная емкость электронно-дырочного перехода $ 2.9. Омнческнй переход на контакте полупроводников с одним типом электропроводносгн, $2.10. Выпрямляющне н омнческне переходы на контакте металла с полуироводннком $2.11. Гетеропереходы $2.12. Свойства н параметры омнческнх переходов Структура н основные элементы Вольт-амперная характеристика диода при ннжекцнн н экстракцнн носителей заряда Расчет распределения неосновных носителей заряда в базе диода асчет постоянных токов, проходя- щих через диод н связанных с ин- жекцней и экстракцней носителей заряда Частные случаи расчета распреде- ление неосновных носителей зареда н тока насыщении Расчет переменных токов н полной проводимости диода Графики частотных зависимостей параметров диода Фцзнческнй смысл параметров диона Пределы применимости частных случаев расчета параметров диода Генерация н рекомбинации носи- телей заряда в электронно-дыроч- ном переходе Лавннный пробой Туннельный пробой .
Тепловой пробой . Влияние поверкностных состояний на вольт-ампериую карактернстнку диода Процессы в диодах прн больших прямых токах Расчет мглы-амперной характерис- тики диода прн больших прямых токах . Вольт-амперная характеристика диода в полулогарнфмнческнх ко- ординатах Переходные процессы в диодах Выпрямительные плоскостные низко- частотные диоды . Глава 4 Бнполярные транзисторы Глава 6 Полевые транзисторы и приборы с зарядовой связью $320. Сеяеновые выпрямители $3.21. Импульсные диоды $3.22. Диоды Шоткн $3.23. Диоды с резким восстановлением обратного сопротивления .
3.24. Сверхнысокочастотные диоды 3.25. Стабилнтроны $ 3 26. Стабнсторы $ 3.27, Шумовые диоды $ 3.28. Лааянно-пролетные диоды $3.29. Туннельпые диоды $ З.ЗО. Обращенные диоды . 3.31. Вариквпы 3.32. Надежность диодов Структура н основные режимы работы Распределение стацнонарнык потоков носителей заряда Распределение носителей заряда Постоннные токи при активном режиме Явления в транзисторах при больших токах Статические параметры Пробой транзисторов Статические характеристики Работа транзистора на малом переменном сигнале Малоснгиальные параметры . Эквивалентные схемы Эквивалентная схема олномерной теоретической модели Барьерные емкости переходов н сопротнвленяе базы . Частотные характеристики Работа транзистора на импульсах Шумы в транзисторах Технология изготовления н конструкция бяполяриых транзисторов днопереходные транзисторы адежность транзисторов водные тнрисгоры нодный тнрнстор с зашунтнрованным эмнттерным переходом Трнодные тирнсторы Тнрнсторы, проводящие в обратном направлении Снмметрячныетнрнсторы .
Способы управления тнрнсторами Конструкция н технология изготовления тнрнсторов Полевые транзисторы с управляющим переходом Расчет выходных статических ха. рактернстик полевого транзистора с управляющим перехолом Эквивалентные схемы полевого транзистора с управляющим пере- ходом 311 312 319 321 Глава 13 'Полупроводниковые термозлектрическне устройства 332 Глава 14 'Полупроводянковые гальзпнамзгннтныс приборы 336 336 344 352 357 359 36! 370 372 373 378 384 389 392 394 398 401 407 408 409 Глава !О Терморезнсторы Глава 11 Варисторы 414 4!6 478 Глава 7 Интегральные микросхемы Глава 8 Полупроводниковые приборы на эфбюите междоливиого перехода электронов Глава 9 Оптаэлектрон нме полупроводниковые приборы $6.4. Частотные свойства полевых транзисторов с управляющим переходом $6.5.
Полевые транзисторы с изолированным затвором . $6.6. Расчет выходных статических характеристик волевого транзистора с изолированным затвором $6.7. Параметры н свойства полевых транзисторов с изолированным за. твором $6.8. Полупроводниковые приборы с зарядовой связью $6,9. Разновидности приборов с зарядовой связью $7.1.
Задачи н прнпцяпы мнкроэлектро. ники $7.2. Классификация интегральных микросхем $7,3. Методы изоляции элементов интегральных микросхем $7.4. Активные элементы $7.5. Пассивные элементы $8.1. Принцип действия генераторов Ганна $8.2. Технология изготовления генерато. ров Ганна $8.3. Параметры и свойства генераторов Ганна $ ВнК Генераторы с ограничением накопления объемного заряда $9.1.
Классификация оптоэлектронных полупроводниковых приборов $9.2. Полупроводниковые приборы отображения информации н инфракрасные излучающие диоды $9.3. Электролюминесцентные порошковые излучатели $9.4, Электролюминесцентные пленочные излучатели . $9.5. Л а веры $9.6. Фоторезнсторы $9.7. Фотодноды $9.8. Полупроиодннновые фотоэлементы $9.9. Фототранзисторы н фотатирнсторы $9.!О. Приемники проникающей радиации н корпускулярзо-преобразовательные приборы $9.11. Оптопары и оптоэлектронные мн- кросхеыы $10.!. Термнсторы прямого подогрева . $10.2. Ьалометры .
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
