Пасынков.Полупроводниковые приборы (1084497), страница 97

Просмтор этого файла доступен только зарегистрированным пользователям. Но у нас супер быстрая регистрация: достаточно только электронной почты!

Текст из файла (страница 97)

ного заряда 359 — термоэлектрнческиА 433 ГенерационныА ток 101 Генерация носителей заряда 9 — — — световая 9 — — — тепловая 9 Гегеропереход 68 Валентная зона 7 Варикап !84 Варнстор 414 Ветвь термоэлемента 428 Видность 368 Внедрение ионное 50 Внезапныц отказ 188 Время жизни неравновесных носителей заряда, 17, 38 468 В предметный указатель включены основные термины н понятия, встречаю.

щиеся в учебнике. Рядом с термином указаны только те страницы, на которых можно набтн определение или расшифровку данного термина, а также сведения, поясняющие его смысл. Термины, состоящие из прилагательного н существительного, помещены в предметном указателе в большинстве случаев с инаерснеА, т. е. за основное слово принята существительное Однако некоторые термины, используемые в технической литературе обычно без инверсии !например, чэлектроиао-дырочныА переход»), приведены в аяфавитном указателе дважды. Двухаиодныб стабнлнтрон 170 Демвркациониый энергегнческиб уровень 19 Днак 292 Диод выпрямнгехьиый 138 — Ганна 352 — детекторный !64 — импульсный 148 — инфракрасный нзлучающнд 362 — лавинно-пролетныА !73 — лавннный 140 абрашеиныб 183 — переключательныА ! 65 — плоскостной 77 — оолупроводникозый 76 — сзерхвысокочасготный !56, 160 — светоизлучающиА 366 — с резким восстановлением обратного сопротивления !56 — смеснтельныб !60 — с галетой базак 86 — с тонкой базой 88 — точечный 77 — туинельиый !77 — частотный 14! — Шатки !52 — шумовой !72 Дни и стор 280 Диск Карбнио 453 Диффузионная длина 22 Диффузионная емкость базы транзнс.

тора 237, 240 — — диода 91, 95, 96 — — коллектора транзистора 237, 241 — — змнттера транзистора 237, 239 Диффузионное сопротивление базы транзистора 236, 239 — электрическое пале 4! ДиффузионныА конденсатор 348 — р-л-переход 48 — резистор 344 Диффузия носителей заряда 21 Длина диффузионная 22 Избыточная концентрация носнтелеА заряда 9 Избыточные шумы 262 Излучательная рекомбннацня 1! Излучатель полупроводинковыА 361 — электролюминесцентный пленочный 372 — — порошковый 370 Имплантация ионная 50 Импульсный дяод 148 Инверсия населенности энергетических уровней 374 Инверсное вкаючеиие транзистора 193 Инверсиыд слой 36 Индикатор знаковый полупроводннко- выА 366 Инжекцня неосновных носителей заряда 44 Интегральная микросхема 333 — — аналоговая 335 — — гибридная 334 — — логическая 335 — — оптоэлектронная 339 — — полупроводниковая 333 — — цифровая 335 Инфракрасный излучающий диод 362 Ионизацяя ударная 27 Ионная имплантация 50 470 Ионное внедренне 50 Исток полевого тра нзнсгорв 302 Канал в полевом транзисторе 302 — поверхностной злектропроводностн !21 Катастрофнческяй отказ 188, 275 Кзтодолюмннесценцня 33 Квазнуровень Фермн лля электронов (дырок) 19 Квантовая эффектнвность генерации носнтелей 34 Коллектор 193 Коллекторный переход 193 Комплементарные полевые трзнзнсторы 302 Компонент ннтегрзльной мнкросхемы 334 Конверснонный р-и-переход 49 Конденсатор диффузнонный 348 — МДП 349 — пленочный 350 Контакт металла с полупроводнвком 65 — металлургнческнй 41 — полупроводников с одним ткпом электропроводностн 62 Контактная разность потенцнзлоз 42 Концентрация носнтелей заряда избыточная 9 — — — неравновесная 9 — — — равновесная 9 — — — собственная 14 Корпускулярпо-преобразовательный прпбор 394 Коэффнцнент выпрпмления 73 — днффузнн 22 — лавннного размноженнн 104 — нелинейности 74, 416 — Пельтье 432 передачи токз базы одномерной тео.

ретнческой модели траизнстора 238 — — — эмиттера одномерной теоретическойй моделя транзнсторэ 236 — переноса 237 — терно-Эх(С 43! — ударной ноннзацнн 27 — уснлення фоторезнстора 378 — Холла 444 — шуме 161, 263 — нормированный !61 Крутнзна характервстнкн полевого транзнстора 306, 32! Лавпнно-пролетный диод 173 Лавниный днод 140 — пробой р-и-переходз 104, 2!5 Лазер полупронодннковый 373 Лннейная рекомбннацня 03 Ловушка захвата 19 — рекомбннацноннзя !О, 19 Люмннесценцня 33 Мвгннтоднод 454 Магннторезнстнвный эффект 442, 445 Магннторезнстор 453 Магннтотранзястор 455 Мзкскмальная частота генерацнн трзнзнстора 256 Масса эффектнвная носителя заряда 14, 30 МЙП-ковденсатор 349 МДП-структура 312 МДП.транзистор 313 — — с нндуцнрованным каналом 3!3, 3!4, — — со встроенным каналом 3!4, 3!8 Медленное поверхностнее состоянпе 38 Межзонная рекомбннацня 9 Мезвструктура 268 Металлургнческий контакт 4! Мнкросхема ннтегрзльная 333 — — аналоговап 335 — — гнбрнднзи 334 — — логнческзя 335 — — оптоэлектронная 399 — — полупроводниковая 333 — — цнфровая 335 Мнкроэлектропнкз 332 Модель транзистора одномерная теорегнческая 235 Модуляция сопротнзлення базы днодз !26, 133, 134 МОП-транзнстор 3!3 Набор днодов !5! Напряжеине обратное 44 — прямое 44 Наращннанне эпнтаксяальное 49 Начальный ток коллектора 210 — эмнттера 2!О Невырождепный полупроводник 12 Непосредственная рекомбннацня 9 Непрямой переход электронов 32 Неравновесная концентрацня носнтелей заряда 9 Неснмметрнчный р-п-переход 50 Ннзкнй уровень ннжекцнн 122 Нормальное включенне транзнсгора 193 Нормнрованный коэффнцнент шума 161 Обедненный слой 36 Обогащенный слой 36 Обратное назравленне для р-п.перехода 77 Обратное напряжение 44 Обратный ток коллектора 21! — — эмнттера 21! Обращенный днод 183 Одномерная теорегнческая модель транзнстора 235 Однопереходный транзнстор 272 Омнческнй переход 64, 65„ 71 Оптнческнй квантовый генератор 373 Оптопвра 398 Оптоэлектронная ннтегральная мнкросхема 399 Оптоэлектронный полупроводкнковый прнбор 361 Отказ внезапный 188 — катастрофпческнй !88, 275 — постепенный !88 — условный !88, 276 Пасснвная часть базы транзпстора 193 Переключатель на аморфном полупроводннке 421 Переключзтельпый диод 165 Переход омнческнй 64, 65, 7! — дырочно-дырочный 63 — Шоткн 65 — электронов прямой 32 — — непрямой 32 — электрнческнй 70 — электронно-дырочный 4! — — — днффузнонный 48 — — — коллекторный 193 — — — конверснонный 49 — — — неснмметрнчный 50 — — — плавный 50 — — — планарный 48 — — — резкяй 50 — — — снмметрнчный 50 — — — сплввной 48 — — — эмнт.герный 193 — — — эпнтвкснальяый 49 — электронно-электронный 63 Пернфернческзя часть базы транзнстора !93 ПЗС (прнбор с зарядовой связью) 322 Пластина контактная 428 Плотность упаковкн 333 Поверхностная рекомбннацня 1О, 38 Поверхностное состояние быстрое 38 — — медленное 38 Поверхностно-зарядовый транзистор 330 Поверхностный пробой р-и-переходз 121 Поглощение фотонов 3! — — носнтеляын заряда 31 — — прнмесное 3! — — собственное 31 Подвнжность носнтелей заряда 21 Познстор 409 Показатель поглощення 32 Полевой транэнстор 301 — — с нзолнровакным затвором 3!2 — — с упрввляющнм переходом 301 Поле электрнческое днффузнонное 41 Полупроводннк вырожденный 12 — невырожденный 12 — прнмесный !5 — скомпенснроввнный 16 — собственный 13 — и-типа 16 — р-тппа !6 Полупроводниковая нитегральная мккросхеыл 333 — термобатарея 428 — шкала 367 Полупроводннковое термоэлектрическое устройстпо 428 Полупроводннковый болометр 407 — гальвзно.магннтный прнбор 442 — днол 76 — знаковый индикатор 366 — нзлучатель 36! — иэлучаюшиА элемент 366 — лазер 373 — прибор отображения информации 362 — прибор с зарядовой связью 322 — приемник излучения 362 — приемник проинкаюшеА радиации 394 — светонзлучаюшнй диод 366 — стабнлнтрои !67 — тепловой насос 432, 438 — термоэлектрический блок 429 — фотоднод 384 — фотоэлемент 389 — холодильник 432, 438 — экран, 367 Постепенный отказ 188 Потолок разрешенной эоны 7 Предельная частота коэффициента пе.

редачн тока базы 255 — — — передачи тока эмнттера 254 Преобразователь Холла 447 Прибор отображения информации полупроводниковый 362 — полупроводниковый оптоэлектрон,ный 361 — с зарядовой связью 322 Приемник излучения полупроводниковый 362 Прнмесная зона 16 Прнмесный полупроводник 15 Пробивное напряжение диода 104 Пробой диода 103 — — лавниный 104 — — поверхностный 121 — — по дефектам 110 — — тепловой 1!3 — — туннельиый 111 — транзистора 2И вЂ” — вторичный 217 Проводимость удельная 21 Прямое направление для р-и-перехода 76 — напряжение 44 Прямой переход электронов 32 Работа выхода электронов 65 Равновесиан концентрация электронов (аз!рок) 9 Разность потенциалов контактная 42 «Разогрев» носителей заряда 28 Разрешенная энергетическая зона 7 Режим работы транзистора активный !93, 195, 200 — — — насыщенна !92, !99, 203 — — — отсечки !92, 199, 204 Резистор диффузионный 344 — пленочный 347 Резкий р-и-переход 50 Рекомбинацнонный ток !03 Рекомбинация безызлучательиая !1 — вынужденная ЗЗ вЂ” излучательиая !! — линейная 18 — межзонная 9 — непосредственная 9 — поверхностная 10, 38 — самопроизвольная 33 -- спонтанная 33 -- стимулированная 33 -- с участием рекомбинапноинык ловушек !О, 19 Сверхвысокочастотный полупроводин- ковыА диод !56, 160 Световая генерация носителей заряда 9 Светонэлучающий диод (СИД) 366 Свободная эона (энергетическая) 7 СВЧ-диод !60 Симметричный тирисгор 292 Скомценснроваиный полупроводник 16 Скорость поверхностной рекомбинации 38 — рекомбинации на омическом переходе 71 Слой обедненный 36 — обогащенный 36 — инверсный 36 Смеснтельиый полупроводинновый диод 160 Смыкание переходов транзистора 215 Собственная концентрация носителей заряда 14 Собственный полупроводник !3 Соотношение Энштейиа 23 Сопротивление базы транзистора диффузионное 236, 239 — — — объемное 242, 246 — коллектора 236, 240 — насыщения транзистора 2И вЂ” омического перехода 72 — омического перехода удельное 73 — растекания 150 — слоя удельное 40 — эмитгера 236, 238 Спей термоэлемента 428 Сплавной р-л-переход 48 Стзбнлнтрон 167 — двуханодныА !70 — термокомпеисированным !68 Стабнстор !71 Статический коэффипнеит передачи тока базы транзистора 211 — — — тока эмнтгера транзистора 214 Степень интеграции 333 Сток полевого транзистора 302 Столб выпрямительный полупроводии.

ковый 142 Тепловая генерация носителей заряда 9 Тепловой пробой диода 1!3 Тепловые шумы 262 Термистор 401 — косвенного подогрева 408 — прямого подогрева 401 Термобатареч полупроводниковая 428 Термокомпенснроваиный стабилитрои 168 Терморезнстор 40! Термоэлектродвнжушая сила (термо- ЭДС) 429 Термоэлектрический генетатор 433 Термоэлемеит 428 Тнрнстор 280 — диодиый 280 — проводящий а обратном направлении 290 — с зашунтиронаииым эмиттериым переходом 287 — симметричный 292 — трнодиый 288 Ток генерационный !01 — коллектора иачвхьпый 2!Π— насыщения 80 — реиомбииационный 103 — эмиттера начальный 210 Точечный диод 77 Транзистор биполярный 192 — — бездрейфовый 194 — — боковой 339 — — горизонтальный 339 — — с диодом Шатки 340 — — дрейфовый 194 — — интегральный 338 — — мезаплаиарный 268 — — миогоколлекторный 340 — — планарныА 265 — — сплавной 265 — — эпнтакснально-плаиарный 265 — однопереходный 272 — полевой 30! — — поверхностно-зарядовый 330 — — с изолированным затвором 312 — — с нндуцнрованным каналом 313, 314 — — со встроенным каналом 314, 318 — — с управляющим переходом 30! Трнак 292 Трнннстор 288 Туниелнроваине носителей заряда 27 Туниельный диод 177 — пробой р.п-перехода 111 Угол Холла 444 Ударная ионизация 27 Удельная проводимость полупроводника 21 Удельное сопротивление омнческого перехода 73 — — слоя 40 Уравнение непрерывности 82 — Пуассона 50 — токов 23 Уровень нижекцни высокий !22 — — низкий 122 — — средний 122 Уровень энергетический демаркапионный 19 — ловушки захвата !8 — — — рекомбинацнонной ловушки 10, 19 — — поверхностный 36 — — Ферми ! ! Условие лавинного пробоя р.л-перехола 106 473 ОГЛАВЛЕНИЕ ггр 3 5 Предисловие Введение Глава ! Основные сведения по физике полупроводников 11 13 15 !7 20 27 31 34 39 Условие элеитрической нейтральности р-а-перехода 52 Условный отказ 188, 276 Физическая эквивалентная схема трап.

Характеристики

Список файлов книги