Пасынков.Полупроводниковые приборы (1084497)
Текст из файла
ББК 32.852 П 19 УДК 621, 382 Оглавление ПРЕДИСЛОВИЕ 2403006000 — 196 П 197-37 001(01)-37 ББК 32.652 6Ф0.032 Р е и е н з е н т — кафедра «Полупроводниковые приборы> Московского института радиотехники, элентроннкн н автоматики (зав. кафедрой дош Н. В. Коротковау Пасынков В. В., Чнркнн Л. К. П 19 Полупроводннковые приборы: Учеб. для вузов по спец. «Полупроводника н днзлектрнкн» н «Полупроводниковые н мнкроэлектронные приборы» — 4-е нзд., перераб.
н доп. — М.: Высш. шк., !987.— 479 с. нл. В книге рассмотрены физические пронессы в полупроводниковых приборах и »лемеитах интегральных микросхем, ик основные свойства, характеристики н параметры, конструктивно технологические особенности полупроноаннковых приборов з интегральном исполнении н обшие приинипы мнкроэлектроиини. в 4.м издании (3-е — !эбг гэ переработан материал, относящийся к диодам, тиристорвм и другим приборам 3 Издательство «Высшая школа», 193! Излательстно «Высшая шкала», 1987, с изменениями Инженер электронной техники по специальностям 0604 «Полупроводники н диэлектрики» н 0629 «Полупроводннковые н микроэлектронные приборы» должен быть спецналнстом по проектнрованню, конструнрованню, технологии н применению приборов н устройств, основанных на различных фнзнческнх процессах в твердом теле.
Без званая принципа действия н свойств конкретного полупроводникового прибора невозможно правильно выполнить расчет, разработать технологию изготовления н органнзовать производство, исследовать свойства н измерить параметры этого прибора, а также рационально использовать этот прибор в той нлн иной схеме, в той нлн иной установке прн различных условиях эксплуатации. Соответственно без прочного усвоения физики полупроводннковых приборов н элементов интегральных микросхем невозможно понять н усвоить даже основные положения практически всех специальных дисциплин, которые студенты будут изучать в соответствии с учебными планами после днсцнплнн «Полупроводниковые приборы н микроэлектроника», «Электронные приборы н микроэлектроника», «Фнзнка полупроводннковых приборов», <Злектронные н полупроводниковые приборы» н др.
Книга может быть использована не только в качестве учебника для отмеченных специальностей, но н в качестве учебного пособня для студентов других специальностей электронной техники. Поэтому в гл. 1 книги изложены основные сведения по физике полупроводников в минимальном объеме, необходимом для понимания прннцнпа действия н свойств различных полупроводниковых приборов н элементов интегральных микросхем. Перед изучением полупроводниковых приборов следует ознакомнться с обозначениями физических величин, принятыми в книге.
Принцип действия большннства полупроводниковых прнборов основан на нспользованнн разнообразных свойств выпрямляющнх электрических переходов. Поэтому для глубокого понимания свойств н характеристик различных полупроводниковых приборов необходимо усвоить материал гл, 2, посвященной контактным явлениям, н гл. 3, где рассмотрены полупроводниковые диоды, структура которых проще структур большинства других приборов. Прн рассмотрении конкретных видов полупроводннко- вых приборов следует обращать внимание иа связь их свойств и особенностей с ранее изученными общими закономерностями. Кинга составлена иа основе опыта чтения лекций авторами и их коллегами на кафедре диэлектриков и полупроводников Ленинградского ордена Ленина и ордена Октябрьской Революции электротехнического института им. В.
И. Ульянова (Ленина). Большую помощь авторам оказали замечания рецензентов первых трех изданий учебника — лауреата Ленинской премии проф. Я. А. Федотова, проф. К. В. Шалимовой, чл.-кор. АН БССР В. А. Лабуиова и их сотрудников. В составление учебника внесли вклад и преподаватели многих вузов СССР, которые, повышая свою квалификацию при кафедре диэлектриков и полупроводников ЛЭТИ, принимали участие в обсуждении различных вопросов физики полупроводниковых приборов и методики их изложения. Глубокую благодарность выражаем преподавателям кафедры полупроводниковых приборов Московского института радиотехники, электроники и автоматики, возглавляемой доц.
Н. В. Коротковой, за ценные замечания, высказанные при рецензировании рукописи четвертого издания учебника. Авторы ВВЕДЕНИЕ В Основных направлениях экономического и социального развития СССР на 1986 — 1990 годы и на период до 2000 года поставлена задача обеспечить поступательный рост экономики, настойчиво повышать эффективность производства на основе его всесторонней интенсификации и обеспечить дальнейшее ускорение научнотехнического прогресса. Научно-технический прогресс немыслим без электроники, Интенсивное развитие электроники связано с появлением новых разнообразных полупроводниковых приборов и интегральных микросхем, которые находят широкое применение в вычислительной технике, автоматике, радиотехнике и телевидении, в установках измерительной техники, медицине, биологии н т.
д. Полупроводниковые приборы в виде точечных диодов, или, как их раньше называли, кристаллических детекторов, применяли еще в первых электронных установках. Выпрямительные свойства контактов между металламн и некоторыми сернистыми соединениями были обнаружены в !874 г, В 1895 г. А. С. Поповым при изобретении радио был применен порошковый когерер, в котором использовались нелинейные свойства зернистых систем.
В 1922 г. О. В. Лосев использовал отрицательное дифференциальное сопротивление, возникающее при определенных условиях на точечных контактах металла с полупроводником, для генерации и усиления высокочастотных электромагнитных колебаний. Кроме того, им было обнаружено свечение кристаллов карбида кремния при прохождении тока через точечный контакт. Однако в этот период успшнно развивается техника электро- вакуумных приборов и из-за недостаточного знания строения полупроводников и происходящих в иих электрофизнческих процессов полупроводниковые приборы не получилн тогда существенного развития и применения.
В годы Великой Отечественной войны были разработаны точечные высокочастотные н сверхвысокочастотиые гермаииевые и кремниевые диоды. В 1942 г. в СССР был начат выпуск полупроводниковых термоэлектрических генераторов для непосредственного преобразования тепловой энергии в электрическую.
Термогенераторы использовались для питания переносных радиостанций партизанских отрядов. Создание и производство этих и 5 многих других приборов стало возможным благодаря фундаментальным теоретическим и экспериментальным исследованиям свойств полупроводников, проведенным группой ученых под руководством академика А. Ф. Иоффе. С 1948 г., т. е. со времени создания американскими учеными Дж. Бардином, В.
Браттейном и В. Шокли точечного транзистора, начался новый этап развития полупроводниковой электроники. В 50-х годах были разработаны различные типы биполярных транзисторов, тиристоров, мощных германиевых и кремниевых выпрямительных диодов, фотодиодов, фототранзисторов, кремниевых фотоэлементов, туннельных диодов и др. Принцип работы полевых транзисторов с изолированным затвором был предложен еще в 30-х годах нашего столетия, ио до окончательной разработки этих транзисторов потребовались многолетние исследования электрофнзических процессов на границе полупроводника с диэлектриком и технологии необходимых структур.
В 60-х годах нашего столетия начинается производство интегральных микросхем. При этом удалось существенно уменьшить стоимость и повысить надежность устройств полупроводниковой электроники, значительно уменьшить их массу и габаритные размеры формированием всех пассивных и активных элементов интегральных микросхем в едином технологическом процессе, а также в результате конструктивной интеграции. Современный этап развития полупроводниковой электроники характеризуется в нашей стране большим объемом научно-исследовательских и технологических работ, направленных на дальнейшее совершенствование имеющихся и создание новых полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. ГЛОВО Основные сведения по физике полупроводников $1.!.
ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЕ ЗОНЫ ЙОЛУЙРОВОДНИКОВ цолупроволивк -- иеитество, осиовиым своаством которого ивлиетси сильвии зависимость улельиоа проводимости от возаействии виегииик факторов (температуры. злектрииеского полн, света и дрд. Каждый электрон, входящий в состав атома, обладает определенной полной энергией нли занимает определенный энергетический уровень. В твердом теле благодаря взаимодействию атомов энергетические уровни расщепляются и образуют энергетические зоны, состоящие из отдельных близко расположенных по энергии уровней, число которых соответствует числу однородных атомов в данном кристаллическом теле (рис.
Характеристики
Тип файла DJVU
Этот формат был создан для хранения отсканированных страниц книг в большом количестве. DJVU отлично справился с поставленной задачей, но увеличение места на всех устройствах позволили использовать вместо этого формата всё тот же PDF, хоть PDF занимает заметно больше места.
Даже здесь на студизбе мы конвертируем все файлы DJVU в PDF, чтобы Вам не пришлось думать о том, какой программой открыть ту или иную книгу.
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
