Условия домашнего задания (1072719)

Просмтор этого файла доступен только зарегистрированным пользователям. Но у нас супер быстрая регистрация: достаточно только электронной почты!

Текст из файла

ДЗ по курсу «Элионные технологии»

Вариант №1

Начертить схему металлизации ИС с номинальным сопротивлением R= 0,2 Ом, выполненной из Al с топологическими размерами a=3 мкм и b=60 мкм и допустимым отклонением ΔR=± 0,05 Ом. Составить технологическую схему процесса нанесения тонкой пленки на подложку Ø 75 мм, выбрав наиболее рациональный метод. Рассчитать режимы нанесения тонкой пленки, обеспечивающие технологическую производительность Q_т= 75 пластин/час.

Вариант №2

Начертить схему металлизации ИС с номинальным сопротивлением R=0,2 Ом, выполненной из Ti с топологическими размерами a=4 мкм и b=35 мкм и допустимым отклонением ΔR=± 0,05 Ом. Составить технологическую схему процесса нанесения тонкой пленки на подложку Ø 75 мм, выбрав наиболее рациональный метод. Рассчитать режимы нанесения тонкой пленки, обеспечивающие технологическую производительность Q_т= 50 пластин/час.

Вариант №3

Начертить схему металлизации ИС с номинальным сопротивлением R= 0,2 Ом, выполненной из Ag с топологическими размерами a=4 мкм и b=50 мкм и допустимым отклонением ΔR=± 0,05 Ом. Составить технологическую схему процесса нанесения тонкой пленки на подложку Ø 100 мм, выбрав наиболее рациональный метод. Рассчитать режимы нанесения тонкой пленки, обеспечивающие технологическую производительность Q_т= 40 пластин/час.

Вариант №4

Начертить схему металлизации ИС с номинальным сопротивлением R= 0,1 Ом, выполненной из Cu с топологическими размерами a=2,5 мкм и b=75 мкм и допустимым отклонением ΔR=± 0,01 Ом. Составить технологическую схему процесса нанесения тонкой пленки на подложку Ø 150 мм, выбрав наиболее рациональный метод. Рассчитать режимы нанесения тонкой пленки, обеспечивающие технологическую производительность Q_т= 100 пластин/час.

Вариант №5

Начертить схему металлизации ИС с номинальным сопротивлением R= 0,3 Ом, выполненной из Al с топологическими размерами a=3 мкм и b=80 мкм и допустимым отклонением ΔR=± 0,03 Ом. Составить технологическую схему процесса нанесения тонкой пленки на подложку Ø 150 мм, выбрав наиболее рациональный метод. Рассчитать режимы нанесения тонкой пленки, обеспечивающие технологическую производительность Q_т= 75 пластин/час.

Вариант №6

Начертить схему металлизации ИС с номинальным сопротивлением R=0,2 Ом, выполненной из Pt с топологическими размерами a=4 мкм и b=35 мкм и допустимым отклонением ΔR=± 0,05 Ом. Составить технологическую схему процесса нанесения тонкой пленки на подложку Ø 100 мм, выбрав наиболее рациональный метод. Рассчитать режимы нанесения тонкой пленки, обеспечивающие технологическую производительность Q_т= 50 пластин/час.

Вариант №7

Начертить схему металлизации ИС с номинальным сопротивлением R= 0,4 Ом, выполненной из Ag с топологическими размерами a=4 мкм и b=100 мкм и допустимым отклонением ΔR=± 0,04 Ом. Составить технологическую схему процесса нанесения тонкой пленки на подложку Ø 100 мм, выбрав наиболее рациональный метод. Рассчитать режимы нанесения тонкой пленки, обеспечивающие технологическую производительность Q_т= 60 пластин/час.

Вариант №8

Начертить схему металлизации ИС с номинальным сопротивлением R= 0,1 Ом, выполненной из Sn с топологическими размерами a=2 мкм и b=100 мкм и допустимым отклонением ΔR=± 0,01 Ом. Составить технологическую схему процесса нанесения тонкой пленки на подложку Ø 150 мм, выбрав наиболее рациональный метод. Рассчитать режимы нанесения тонкой пленки, обеспечивающие технологическую производительность Q_т= 75 пластин/час.

Вариант №9

Начертить схему металлизации ИС с номинальным сопротивлением R= 0,2 Ом, выполненной из Au с топологическими размерами a=3 мкм и b=60 мкм и допустимым отклонением ΔR=± 0,02 Ом. Составить технологическую схему процесса нанесения тонкой пленки на подложку Ø 100 мм, выбрав наиболее рациональный метод. Рассчитать режимы нанесения тонкой пленки, обеспечивающие технологическую производительность Q_т= 75 пластин/час.

Вариант №10

Начертить схему металлизации ИС с номинальным сопротивлением R=0,2 Ом, выполненной из W с топологическими размерами a=4 мкм и b=35 мкм и допустимым отклонением ΔR=± 0,02 Ом. Составить технологическую схему процесса нанесения тонкой пленки на подложку Ø 75 мм, выбрав наиболее рациональный метод. Рассчитать режимы нанесения тонкой пленки, обеспечивающие технологическую производительность Q_т= 120 пластин/час.

Вариант №11

Начертить схему металлизации ИС с номинальным сопротивлением R= 0,3 Ом, выполненной из Ag с топологическими размерами a=2 мкм и b=40 мкм и допустимым отклонением ΔR=± 0,03 Ом. Составить технологическую схему процесса нанесения тонкой пленки на подложку Ø 100 мм, выбрав наиболее рациональный метод. Рассчитать режимы нанесения тонкой пленки, обеспечивающие технологическую производительность Q_т= 60 пластин/час.

Вариант №12

Начертить схему металлизации ИС с номинальным сопротивлением R= 0,05 Ом, выполненной из Cu с топологическими размерами a=0,5 мкм и b=50 мкм и допустимым отклонением ΔR=± 0,01 Ом. Составить технологическую схему процесса нанесения тонкой пленки на подложку Ø 150 мм, выбрав наиболее рациональный метод. Рассчитать режимы нанесения тонкой пленки, обеспечивающие технологическую производительность Q_т= 60 пластин/час.

Вариант №13

Начертить схему металлизации ИС с номинальным сопротивлением R= 0,3 Ом, выполненной из Mo с топологическими размерами a=3,5 мкм и b=80 мкм и допустимым отклонением ΔR=± 0,03 Ом. Составить технологическую схему процесса нанесения тонкой пленки на подложку Ø 150 мм, выбрав наиболее рациональный метод. Рассчитать режимы нанесения тонкой пленки, обеспечивающие технологическую производительность Q_т= 75 пластин/час.

Вариант №14

Начертить схему металлизации ИС с номинальным сопротивлением R=0,1 Ом, выполненной из Pt с топологическими размерами a=3,5 мкм и b=35 мкм и допустимым отклонением ΔR=± 0,01 Ом. Составить технологическую схему процесса нанесения тонкой пленки на подложку Ø 100 мм, выбрав наиболее рациональный метод. Рассчитать режимы нанесения тонкой пленки, обеспечивающие технологическую производительность Q_т= 60 пластин/час.

Вариант №15

Начертить схему металлизации ИС с номинальным сопротивлением R= 0,4 Ом, выполненной из Al с топологическими размерами a=4 мкм и b=40 мкм и допустимым отклонением ΔR=± 0,04 Ом. Составить технологическую схему процесса нанесения тонкой пленки на подложку Ø 150 мм, выбрав наиболее рациональный метод. Рассчитать режимы нанесения тонкой пленки, обеспечивающие технологическую производительность Q_т= 60 пластин/час.

Вариант №16

Начертить схему металлизации ИС с номинальным сопротивлением R= 0,1 Ом, выполненной из Bi с топологическими размерами a=2 мкм и b=20 мкм и допустимым отклонением ΔR=± 0,01 Ом. Составить технологическую схему процесса нанесения тонкой пленки на подложку Ø 75 мм, выбрав наиболее рациональный метод. Рассчитать режимы нанесения тонкой пленки, обеспечивающие технологическую производительность Q_т= 75 пластин/час.

Вариант №17

Начертить схему тонкопленочного конденсатора с емкостью C= 2,7^.10^-3 ± 2^.10^-4 пФ, в котором диэлектрическая пленка выполнена из SiO₂, с площадью металлических обкладок S=2,5^.10^-6 см². Составить технологическую схему процесса нанесения тонкой пленки на подложку Ø 100 мм, выбрав наиболее рациональный метод осаждения диэлектрической пленки. Рассчитать режимы нанесения тонкой диэлектрической пленки, обеспечивающие технологическую производительность Q_т= 30 пластин/час.

Вариант №18

Начертить схему тонкопленочного конденсатора с емкостью C= 1,7^.10^-3 ± 1^.10^-4 пФ, в котором диэлектрическая пленка выполнена из SiO, с площадью металлических обкладок S=5^.10^-6 см². Составить технологическую схему процесса нанесения тонкой пленки на подложку Ø 150 мм, выбрав наиболее рациональный метод осаждения диэлектрической пленки. Рассчитать режимы нанесения тонкой диэлектрической пленки, обеспечивающие технологическую производительность Q_т= 60 пластин/час.

Вариант №19

Начертить схему тонкопленочного конденсатора с емкостью C= 7^.10^-3 ± 2^.10^-4 пФ, в котором диэлектрическая пленка выполнена из SiO₂, с площадью металлических обкладок S=4,5^.10^-6 см². Составить технологическую схему процесса нанесения тонкой пленки на подложку Ø 75 мм, выбрав наиболее рациональный метод осаждения диэлектрической пленки. Рассчитать режимы нанесения тонкой диэлектрической пленки, обеспечивающие технологическую производительность Q_т= 90 пластин/час.

Вариант №20

Начертить схему тонкопленочного конденсатора с емкостью C= 5^.10^-3 ±2^.10^-4 пФ, в котором диэлектрическая пленка выполнена из SiO, с площадью металлических обкладок S=5^.10^-6 см². Составить технологическую схему процесса нанесения тонкой пленки на подложку Ø 100 мм, выбрав наиболее рациональный метод осаждения диэлектрической пленки. Рассчитать режимы нанесения тонкой диэлектрической пленки, обеспечивающие технологическую производительность Q_т= 120 пластин/час.

Вариант №21

Начертить схему тонкопленочного конденсатора с емкостью C= 2,5^.10^-3 ± 2^.10^-4 пФ, в котором диэлектрическая пленка выполнена из SiO₂, с площадью металлических обкладок S=2,5^.10^-5 см². Составить технологическую схему процесса нанесения тонкой пленки на подложку Ø 100 мм, выбрав наиболее рациональный метод осаждения диэлектрической пленки. Рассчитать режимы нанесения тонкой диэлектрической пленки, обеспечивающие технологическую производительность Q_т= 60 пластин/час.

Вариант №22

Начертить схему тонкопленочного конденсатора с емкостью C= 3,7^.10^-3 ± 1^.10^-4 пФ, в котором диэлектрическая пленка выполнена из SiO, с площадью металлических обкладок S=5^.10^-5 см². Составить технологическую схему процесса нанесения тонкой пленки на подложку Ø 75 мм, выбрав наиболее рациональный метод осаждения диэлектрической пленки. Рассчитать режимы нанесения тонкой диэлектрической пленки, обеспечивающие технологическую производительность Q_т= 60 пластин/час.

Вариант №23

Начертить схему тонкопленочного конденсатора с емкостью C= 2,7^.10^-3 ± 2^.10^-4 пФ, в котором диэлектрическая пленка выполнена из SiO₂, с площадью металлических обкладок S=4,5^.10^-5 см². Составить технологическую схему процесса нанесения тонкой пленки на подложку Ø 75 мм, выбрав наиболее рациональный метод осаждения диэлектрической пленки. Рассчитать режимы нанесения тонкой диэлектрической пленки, обеспечивающие технологическую производительность Q_т= 60 пластин/час.

Вариант №24

Начертить схему тонкопленочного конденсатора с емкостью C= 2,5^.10^-3 ±1^.10^-4 пФ, в котором диэлектрическая пленка выполнена из SiO, с площадью металлических обкладок S=2^.10^-6 см². Составить технологическую схему процесса нанесения тонкой пленки на подложку Ø 100 мм, выбрав наиболее рациональный метод осаждения диэлектрической пленки. Рассчитать режимы нанесения тонкой диэлектрической пленки, обеспечивающие технологическую производительность Q_т= 100 пластин/час.

Вариант №25

Начертить схему тонкопленочного конденсатора с емкостью C= 2,5^.10^-3 ± 2^.10^-4 пФ, в котором диэлектрическая пленка выполнена из SiO₂, с площадью металлических обкладок S=5^.10^-6 см². Составить технологическую схему процесса нанесения тонкой пленки на подложку Ø 200 мм, выбрав наиболее рациональный метод осаждения диэлектрической пленки. Рассчитать режимы нанесения тонкой диэлектрической пленки, обеспечивающие технологическую производительность Q_т= 60 пластин/час.

Вариант №26

Начертить схему тонкопленочного конденсатора с емкостью C= 1,5^.10^-3 ± 1^.10^-4 пФ, в котором диэлектрическая пленка выполнена из SiO, с площадью металлических обкладок S=3^.10^-6 см². Составить технологическую схему процесса нанесения тонкой пленки на подложку Ø 100 мм, выбрав наиболее рациональный метод осаждения диэлектрической пленки. Рассчитать режимы нанесения тонкой диэлектрической пленки, обеспечивающие технологическую производительность Q_т= 80 пластин/час.

Вариант №27

Начертить схему тонкопленочного конденсатора с емкостью C= 5^.10^-3 ± 1^.10^-4 пФ, в котором диэлектрическая пленка выполнена из SiO₂, с площадью металлических обкладок S=4,5^.10^-5 см². Составить технологическую схему процесса нанесения тонкой пленки на подложку Ø 150 мм, выбрав наиболее рациональный метод осаждения диэлектрической пленки. Рассчитать режимы нанесения тонкой диэлектрической пленки, обеспечивающие технологическую производительность Q_т= 90 пластин/час.

Вариант №28

Начертить схему тонкопленочного конденсатора с емкостью C= 2,5^.10^-3 ±2^.10^-4 пФ, в котором диэлектрическая пленка выполнена из SiO, с площадью металлических обкладок S=7,5^.10^-6 см². Составить технологическую схему процесса нанесения тонкой пленки на подложку Ø 150 мм, выбрав наиболее рациональный метод осаждения диэлектрической пленки. Рассчитать режимы нанесения тонкой диэлектрической пленки, обеспечивающие технологическую производительность Q_т= 100 пластин/час.

Вариант №29

Характеристики

Тип файла документ

Документы такого типа открываются такими программами, как Microsoft Office Word на компьютерах Windows, Apple Pages на компьютерах Mac, Open Office - бесплатная альтернатива на различных платформах, в том числе Linux. Наиболее простым и современным решением будут Google документы, так как открываются онлайн без скачивания прямо в браузере на любой платформе. Существуют российские качественные аналоги, например от Яндекса.

Будьте внимательны на мобильных устройствах, так как там используются упрощённый функционал даже в официальном приложении от Microsoft, поэтому для просмотра скачивайте PDF-версию. А если нужно редактировать файл, то используйте оригинальный файл.

Файлы такого типа обычно разбиты на страницы, а текст может быть форматированным (жирный, курсив, выбор шрифта, таблицы и т.п.), а также в него можно добавлять изображения. Формат идеально подходит для рефератов, докладов и РПЗ курсовых проектов, которые необходимо распечатать. Кстати перед печатью также сохраняйте файл в PDF, так как принтер может начудить со шрифтами.

Список файлов вопросов/заданий