Условия домашнего задания (1072719), страница 2

Просмтор этого файла доступен только зарегистрированным пользователям. Но у нас супер быстрая регистрация: достаточно только электронной почты!

Текст из файла (страница 2)

Начертить схему тонкопленочного конденсатора с емкостью C= 3,5^.10^-3 ± 2^.10^-4 пФ, в котором диэлектрическая пленка выполнена из SiO₂, с площадью металлических обкладок S=3,5^.10^-5 см². Составить технологическую схему процесса нанесения тонкой пленки на подложку Ø 150 мм, выбрав наиболее рациональный метод осаждения диэлектрической пленки. Рассчитать режимы нанесения тонкой диэлектрической пленки, обеспечивающие технологическую производительность Q_т= 100 пластин/час.

Вариант №30

Начертить схему тонкопленочного конденсатора с емкостью C= 3,5^.10^-3 ± 1^.10^-4 пФ, в котором диэлектрическая пленка выполнена из SiO, с площадью металлических обкладок S=5^.10^-5 см². Составить технологическую схему процесса нанесения тонкой пленки на подложку Ø 150 мм, выбрав наиболее рациональный метод осаждения диэлектрической пленки. Рассчитать режимы нанесения тонкой диэлектрической пленки, обеспечивающие технологическую производительность Q_т= 60 пластин/час.

Вариант №31

Начертить схему тонкопленочного конденсатора с емкостью C= 2,5^.10^-3 ± 1^.10^-4 пФ, в котором диэлектрическая пленка выполнена из SiO₂, с площадью металлических обкладок S=7,5^.10^-5 см². Составить технологическую схему процесса нанесения тонкой пленки на подложку Ø 75 мм, выбрав наиболее рациональный метод осаждения диэлектрической пленки. Рассчитать режимы нанесения тонкой диэлектрической пленки, обеспечивающие технологическую производительность Q_т= 120 пластин/час.

Вариант №32

Начертить схему тонкопленочного конденсатора с емкостью C= 2,5^.10^-3 ±2^.10^-4 пФ, в котором диэлектрическая пленка выполнена из SiO, с площадью металлических обкладок S=7^.10^-6 см². Составить технологическую схему процесса нанесения тонкой пленки на подложку Ø 150 мм, выбрав наиболее рациональный метод осаждения диэлектрической пленки. Рассчитать режимы нанесения тонкой диэлектрической пленки, обеспечивающие технологическую производительность Q_т= 100 пластин/час.

Вариант №33

Начертить схему тонкопленочного резистора с сопротивлением R=300 ± 10 Ом, выполненного из Cr, с топологическими размерами a=10 мкм и b=1000 мкм. Составить технологическую схему процесса нанесения тонкой пленки на подложку Ø 150 мм, выбрав наиболее рациональный метод осаждения пленки. Рассчитать режимы нанесения тонкой пленки, обеспечивающие технологическую производительность Q_т= 40 пластин/час.

Вариант №34

Начертить схему тонкопленочного резистора с сопротивлением R=1000 ± 5 Ом, выполненного из Re, с топологическими размерами a=4 мкм и b=200 мкм. Составить технологическую схему процесса нанесения тонкой пленки на подложку Ø 125 мм, выбрав наиболее рациональный метод осаждения пленки. Рассчитать режимы нанесения тонкой пленки, обеспечивающие технологическую производительность Q_т= 60 пластин/час.

Вариант №35

Начертить схему тонкопленочного резистора с сопротивлением R=3 ± 0,02 kОм, выполненного из Re, с топологическими размерами a=10 мкм и b=500 мкм. Составить технологическую схему процесса нанесения тонкой пленки на подложку Ø 100 мм, выбрав наиболее рациональный метод осаждения пленки. Рассчитать режимы нанесения тонкой пленки, обеспечивающие технологическую производительность Q_т=80 пластин/час.

Вариант №36

Начертить схему тонкопленочного резистора с сопротивлением R=200 ± 5 Ом, выполненного из Ta, с топологическими размерами a=5 мкм и b=400 мкм. Составить технологическую схему процесса нанесения тонкой пленки на подложку Ø 100 мм, выбрав наиболее рациональный метод осаждения пленки. Рассчитать режимы нанесения тонкой пленки, обеспечивающие технологическую производительность Q_т= 60 пластин/час.

Вариант №37

Начертить схему тонкопленочного резистора с сопротивлением R=600 ± 30 Ом, выполненного из Cr, с топологическими размерами a=5 мкм и b=200 мкм. Составить технологическую схему процесса нанесения тонкой пленки на подложку Ø 100 мм, выбрав наиболее рациональный метод осаждения пленки. Рассчитать режимы нанесения тонкой пленки, обеспечивающие технологическую производительность Q_т= 100 пластин/час.

Вариант №38

Начертить схему тонкопленочного резистора с сопротивлением R=1400 ± 50 Ом, выполненного из Re, с топологическими размерами a=4 мкм и b=400 мкм. Составить технологическую схему процесса нанесения тонкой пленки на подложку Ø 100 мм, выбрав наиболее рациональный метод осаждения пленки. Рассчитать режимы нанесения тонкой пленки, обеспечивающие технологическую производительность Q_т= 40 пластин/час.

Вариант №39

Начертить схему тонкопленочного резистора с сопротивлением R=5 ± 0,05 kОм, выполненного из Re, с топологическими размерами a=5 мкм и b=700 мкм. Составить технологическую схему процесса нанесения тонкой пленки на подложку Ø 125 мм, выбрав наиболее рациональный метод осаждения пленки. Рассчитать режимы нанесения тонкой пленки, обеспечивающие технологическую производительность Q_т=90 пластин/час.

Вариант №40

Начертить схему тонкопленочного резистора с сопротивлением R=400 ± 10 Ом, выполненного из Ta, с топологическими размерами a=2,5 мкм и b=500 мкм. Составить технологическую схему процесса нанесения тонкой пленки на подложку Ø 100 мм, выбрав наиболее рациональный метод осаждения пленки. Рассчитать режимы нанесения тонкой пленки, обеспечивающие технологическую производительность Q_т= 120 пластин/час.

Вариант №41

Начертить схему тонкопленочного резистора с сопротивлением R=500 ± 10 Ом, выполненного из Cr, с топологическими размерами a=2 мкм и b=800 мкм. Составить технологическую схему процесса нанесения тонкой пленки на подложку Ø 100 мм, выбрав наиболее рациональный метод осаждения пленки. Рассчитать режимы нанесения тонкой пленки, обеспечивающие технологическую производительность Q_т= 40 пластин/час.

Вариант №42

Начертить схему тонкопленочного резистора с сопротивлением R=1500 ± 50 Ом, выполненного из Re, с топологическими размерами a=2 мкм и b=200 мкм. Составить технологическую схему процесса нанесения тонкой пленки на подложку Ø 125 мм, выбрав наиболее рациональный метод осаждения пленки. Рассчитать режимы нанесения тонкой пленки, обеспечивающие технологическую производительность Q_т= 100 пластин/час.

Вариант №43

Начертить схему тонкопленочного резистора с сопротивлением R=5 ± 0,05 kОм, выполненного из Re, с топологическими размерами a=5 мкм и b=500 мкм. Составить технологическую схему процесса нанесения тонкой пленки на подложку Ø 150 мм, выбрав наиболее рациональный метод осаждения пленки. Рассчитать режимы нанесения тонкой пленки, обеспечивающие технологическую производительность Q_т=80 пластин/час.

Вариант №44

Начертить схему тонкопленочного резистора с сопротивлением R=500 ± 5 Ом, выполненного из Ta, с топологическими размерами a=2,5 мкм и b=400 мкм. Составить технологическую схему процесса нанесения тонкой пленки на подложку Ø 100 мм, выбрав наиболее рациональный метод осаждения пленки. Рассчитать режимы нанесения тонкой пленки, обеспечивающие технологическую производительность Q_т= 60 пластин/час.

Вариант №45

Начертить схему тонкопленочного резистора с сопротивлением R=800 ± 10 Ом, выполненного из Cr, с топологическими размерами a=10 мкм и b=1000 мкм. Составить технологическую схему процесса нанесения тонкой пленки на подложку Ø 125 мм, выбрав наиболее рациональный метод осаждения пленки. Рассчитать режимы нанесения тонкой пленки, обеспечивающие технологическую производительность Q_т= 60 пластин/час.

Вариант №46

Начертить схему тонкопленочного резистора с сопротивлением R=1750 ± 75 Ом, выполненного из Re, с топологическими размерами a=3 мкм и b=300 мкм. Составить технологическую схему процесса нанесения тонкой пленки на подложку Ø 100 мм, выбрав наиболее рациональный метод осаждения пленки. Рассчитать режимы нанесения тонкой пленки, обеспечивающие технологическую производительность Q_т= 100 пластин/час.

Вариант №47

Начертить схему тонкопленочного резистора с сопротивлением R=10 ± 0,1 kОм, выполненного из Re, с топологическими размерами a=1 мкм и b=500 мкм. Составить технологическую схему процесса нанесения тонкой пленки на подложку Ø 150 мм, выбрав наиболее рациональный метод осаждения пленки. Рассчитать режимы нанесения тонкой пленки, обеспечивающие технологическую производительность Q_т=60 пластин/час.

Вариант №48

Начертить схему тонкопленочного резистора с сопротивлением R=500 ± 5 Ом, выполненного из Ta, с топологическими размерами a=2,5 мкм и b=200 мкм. Составить технологическую схему процесса нанесения тонкой пленки на подложку Ø 100 мм, выбрав наиболее рациональный метод осаждения пленки. Рассчитать режимы нанесения тонкой пленки, обеспечивающие технологическую производительность Q_т= 40 пластин/час.

Характеристики

Список файлов вопросов/заданий