Справочник - Разработка и оформление конструкторской документации РЭА (1071707), страница 36
Текст из файла (страница 36)
и.; 277 Рис. 8.8. Размеры подложек для гиб- ридной интегральной микросхемы Рис. 8.9. Размеры плат для гибрид- ной интегральной микросхемы данные о площади нанесения драгоценных металлов; требования к внешнему виду; характеристики и данные по изготовлению отдельных слоев или элементов, которые должны быть сведены в таблицу; данные и указания по проверке параметров элементов; указание о том, что обозначение контактных площадок и элементов является условным.
Рекомендуемые отраслевыми стандартами размеры подложек и плат для пленочных ИС даны на рис. 8.8 и 8.9. Разработке топологических чертежей предшествует выполнение эскиза топологии на миллиметровой бумаге в масштабах 5:1; !О:1; 20:1; 50:1 и других, кратных 10. При разработке эскиза топологии необходимо соблюдать технологические требования и ограничения, рассмотренные в дальнейшем.
Ф.З. Типологические чертежи толстолленочнык микросхем В табл. 8.2 даны основные конструкторские и технологические ограничения, которые следует учитывать при разработке и оформлении топологических чертежей толстопленочных микросхем, изготовленных методом сеткографии (последовательным нанесением на подложку различных по составу паст с их последующей термической обработкой). Пример топологического чертежа толстоплеиочной микросхемы показан иа рис. 8.2.
а?8 Способы оо о м м ее оо Й ма Расу кок 200 100 200 300 Ь с 1 200 100 !00 600 350 я Ь 1 с д 625 ахЬ 400 Х Х 400 аха ЬХЬ 1 О и доолиоо оголя- ли оооо иомийо огоогииоиомр л ооо Требование иае ограничение Соотношение размеров нленочных конденсаторов (приведены минимально допусти.
мые размеры) Соотношения размеров контактных площадок для припайки компонентов с шариковыми и столбиковыми выводами и их расположения относительно иле. ночных элементов (нриведены минимальные размеры) Шаг расположении и минимальные размеры периферийных контактных площадок Соотношения размеров изоляции, разделяющей пересекающиеся проводники (приведены минимальные размеры) Окончание табгь В.Я Ра мер,мкм 1250; 2500 и кратный 2,5 1ОООХ400 ЗООХ 300 200 х 200 50 (но периметру) аад Оформпенне сборочных чартажея тнбрнднмх ннтеграпенмт мнкросхам, содержмднх басксрнтснме апактрораднотпаментм На рис. 8.10 и 8.11 приведены чертеж гибридной микросхемы без корпуса и спецификация к нему.
Кроме пленочных элементов микросхема содержит электрорадиоэлементы (ЭРЭ), имеющие самостоятельное конструктивное оформление (транзисторы Ч! ... Ч4) и устанавливаемые на микросхему по сборочному чертежу. При оформлении сборочного чертежа следует руководствоваться стандартами ЕСКД, а также материалами настоящего параграфа и ТУ на ЭРЭ. Согласно ОСТ 4 ГО.070.004 к ЭРЭ относятся конструктивно-завершенные и изготовляемые в производственных условиях изделия электронной техники и электротехники, функции которых могут реализоваться только в электрических цепях различных устройств. Имеются в виду ЭРЭ, разрабатываемые на базе комплексной миниатюризации. Отраслевой стандарт содержит требования к их конструкции.
Формы ЭРЭ (в плане), устанавливаемые совместно с микросхемами на ПП, имеют прямоугольную, квадратную или круглую форму, а их размеры должны соответствовать размерам корпусов микросхем по ГОСТ ! 7467 — 79. Предпочтительные высоты корпусов ЭРЭ: 2,5; 5; 7,5 мм. Расстояния между выводами ЭРЭ должны соответствовать шагу координатной сетки по ГОСТ !0317 — 79. Диаметр штыревых выводов от 0,3 до 0,5 мм.
Сечения штыревых прямоугольных и квадратных выводов должны быть в пределах описанной окружности диаметром от 0,4 до 0,6 мм. Размеры плоских планарных выводов: ширина — 0,3... ...0,5 мм; толщина О,! ... 0,2 мм. Все ЭРЭ должны иметь конструктивные элементы (ключи), исключающие возможность неправильной их установки. Визуальные ключи должны располагаться в зоне первого вывода илн на первом выводе.
Нумеруют их слева направо или по часовой стрелке со стороны плоскости расположения выводов. Конструкция ключей не регламентируется. Кроме визуальных ключей при необходимости используют установочные ключи в виде штыря, выступа 'корпуса, несимметрично расположенных выводов и т. п. Особое внимание уделяется установке ЭРЭ на коммутационные платы. В табл.
8.4 приведены варианты установки ЭРЭ на платы и их упрощенные изображения на чертежах; в табл. 8.5 — методы присоединения ЭРЭ в зависимости от вида их выводов. Электрорадиоэлементы с гибкими выводами приклеивают, располагая их защитным покрытием вверх, ЭРЭ с жесткими выводами дополнительно не крепят, так как креплением служит присоединение выводов. В табл. 8.6 даны основные конструкторские требования и технологические ограничения установки бескорпусных ЭРЭ на платы.
Для каждого вывода (гибкого и жесткого) должна быть предусмотрена контактная площадка. Если к одной контактной площадке присоединяется 2 — 3 вывода, ее размеры увеличивают в соответствии с данными табл. 8.2. Каждая плата микросхемы должна иметь ключ. Ключом могут являться нижняя левая контактная площадка по большей стороне платы, знак в виде треугольника или другом виде. 2В! Таблица 84 Крепление н прнсоеднненне бескорпусных ЭРЭ на пааты, нзуотовленные по тонко- плн толстоплепочной техпологпн (нанболее употребнтеяьные варианты) Варнаве уста- новка Кояструхтвввое вспелнеяяе я устаяевва бееяеряусвых ЭРЭ Варвавт установка Кевструвтвввое всповневве в уставевяа бескарвусяых ЭРЭ Ч! Ч11 1Н 1Х Таблица 85 Методы првсоедпненнп бескорпуснык ЭРЭ Твв вывода Невяевовавве ЭРЭ Метод ярасееявяеявя Сварка (пайка) Гибкий, жесткий Резястор, конденсатор яс (обозначение ~ — ) Трансформатор Сварка (пайка) Гнбккй 284 Транзнстор, днод, диодная матрица, микросхе- ма Гибкий Жесткий Луженая контактная по- верхность Сварка (пайка) Пайка Пайка нли контактольное соединение Рнс.
8.11. Спецификация элемента (микросхема беэ корпуса) ! треоавааве влв еграявчеяве Осеава- чеаве Рвет вен Раамер, мам Минимальное расстояние между двумя соседними контактными площадками Мннямальное расстояние между двумя ЭРЭ с гибкимн выводами Таблица 86 Основяые коаструиторскне требовании в ограниееаия установка бескорпусных ЭРЭ на коммутационные платы Окончание табл.
В.б Требованне нлн ограмнченне Обозна- чение Размер,мкм Рисунок с Таблица 87 Нормативно-технические документы иа ЭРЭ Техвнческне условна Техннческне условна Навменованне ЭРЭ Наименование ЭРЭ аА0.336.01 9ТУ СБО 336.038ТУ ШИ3,365.008ТУ ШТЗ. 365. 059ТУ Я 53.369.000ТУ ШТ3.365.060ТУ КТ354А; КТ354Б 2Т354А; 2Т354Б КТ359А...КТЗ59В 2Т360А...2ТЗООВ КТ369А...КТ369Г КТ364А...КТ364В Диоды, диодные матрицы н сборки, светодиоды ТТЗ.З62.08 2 ТУ ТТ3.362.080ТУ УЖ0.336.063ТУ ШИЗ.366.ООЗТУ КД103А: КД103Б 2Д103А АЛ301А; АЛЗО!Б 2ДС408А-1 2ДС408Б-1 Транзисторы КТ! 20А...КТ120В 2П201А...2П201 Л КТ202А...КТ202Г 2Т205А КТ307А...
КТ307 Г 2Т307Б...2Т307Г КТ317А...КТЗ17В 2Т317А...2Т317В 2Т318А...2ТЗ!ЗЕ КТ324А...КТЗ24Е 2Т324А...ЗТ324Е КТ331 А...КТ331Г 2Т331А...2Т331Г КТЗЗ2А...КТ332Д 2Т332А...2Т332Д 2ТЗЗЗА...2ТЗЗЗЕ Минимально допустимое расстояние между двумя соседними ЭРЭ со столбиковыми (пгариковымн) выводами ЖК3.365.235ТУ ТФ3.365.006ТУ ЮФЗ.З65.020ТУ ШИ3.365.01 ОТУ СБ0.336.018ТУ СБ0.336.026ТУ Ге3.365.0! 1 ТУ Ге3.365.002ТУ ШИ3.365.002ТУ СБ0.336.031ТУ СБ0,336,021ТУ ХМ0.336.000ТУ ХМ0.336.003Т2 ХМ0.336.00!ТУ ХМ0.336.004ТУ ШИ0.336.006ТУ а 1000 для ЭРЭ с размерамн )1,85741,85 мм; 2000 для ЭРЭ с размерами (1,85)(1,85 мм Окончание табл.
8.7 технические Условие технические тсаеенх Ненненеваиве ЭРЭ Наниенование ЭРЭ Кондмчсвтерм К!0-9 К!0-17 — !в К22-2А КМК-2А, КМК-ЗА К10-27 резисторы ТТО.336.001ТУ ТТЗ.362.104ТУ ТТ3.362.1ЗЗТУ ЭР3.362.013ТУ ШИ3. 360. ОООТУ ШИ0.336.009ТУ ЭР3.362,036ТУ КД90!А...КД90!Г КД904А... КД904Е 2Д904А...2Д904Е КД907Б; КД907Г 2Д9!ОА...2Д910В 2Д91!А; 2Д911Б 2Д918Б-1; 2Д918Г-1 ОЖОА60.068ТУ ОЖОА60.107ТУ ОЖ0.464.06ОТУ ОЖ0.460.060ТУ ОЖ0.460.114ТУ С2-12 СЗ-3 ОЖ0.467.055ТУ ОЖ0.467,056ТУ З.Ь. бескорпусные впеитрорадновпементм Рис. 8.!2. Изображение и установка транзисто- ров: КТ120А „. КТ!20В, 2П201А ...
2П20! Л, КТ202А ... КТ202Г, КТ307А ... КТЗО?Г, 2Т307А ... 2Т307Г, КТЗ!7А ... КТЗ17В, 2ТЗ!?А ... 2ТЗ17В, 2ТЗ18А ... 2ТЗ18Е, КТЗ24А ... КТ324Е, 27324А ... 2ТЗ24Е, КТЗЗ ! А... КТ331 Г, 2ТЗЗ! А...2ТЗЗ! Г, КТ332А., КТ332Д, КТЗ54А, КТЗ54Б, 2ТЗ54А, 2Т354Б, 2Т360А ... 2Т360В, КТ369А ... КТЗ69Г (а); упрощенное изображение в плане (б) 287 В табл. 8.7 приведен перечень злектрорадиозлементов, наиболее употребительных в РЭА. На рис. 8.12 — 8.28 и в табл. 8.8 — 8.21 к иим приведены сведения об ЭРЭ, необходимые при разработке и оформлении чертежей гибридных микросхем.
Даны: изображение (в том числе упрощенное); размеры ЭРЭ; варианты установки на коммутационной плате; некоторые конструкторские и технологические ограничения и др. ааааа ан 'а 'ваавСй нйвонваай анвнбвц о, й й й в йс'й йо о й ой с' й й 1- о й й о й ч о й й.
й 1- О о аанан ан 'нн 'С ~ йс „ай ч ос~,ооснй. й ос „но ййнс йййй» ййооййнй о й с й 1- с о й й Ф о о й ООООХОООСОСОООООО О О О Осч оао со сос ао сохсч счсчсасч сч са ь оо оо сч св,й о ой ой йо нй ч О СО Са вв о с й ой о . с о йч й «н фй йс а О~ Й й й' й со „ч „,й с й о й а' н о н О осчсчс'сОООсчсчсос'аоасо со оа О счо оо о о о оооо о о сч ооооооооооооооо о о о ооооооооооооооо о о о ~о ~ ! ~оооооо ! оо ооооооооооооооо о со со хчч аиччч аччч сч й сосо охи-хх -о о оаосоосоаа х со о -оооо --ооооооо о о— осчо ас со са а о 3 осч сч сч сч ь сч сч о ОООО ООООСО ОООООО О О О сО 1 с с со оа с сО со о счс-С с СООСЧ СО С счс-1 й со СО сй СЧОО С -С-аОСЧЬХ-СОСЧХ Ч О ох майа-ма а'и~м~" ын'~ а- ~" м 'О й.-й Она О ~с.Ос О йс "О, ~ ~ Ос=С оо о '„ «о й он н й оо йн ао Рнс, 8.13.
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
