Справочник - Разработка и оформление конструкторской документации РЭА (1071707), страница 35
Текст из файла (страница 35)
Многослойные керамические платы получают путем спекания слоев из пластифицированной керамической ленты СД-! . Элементы электрической схемы многослойной керамической микросхемы проектируют в виде пленочных элементов, расположенных в нескольких слоях керамической платы, Связи между элементами схемы осуществляются посредством пленочных проводников, расположенных на внутренних слоях керамической платы, соединенных контактными переходами. Пленочные элементы (резисторы, конденсаторы и контактные площадки под компоненты) располагают в верхнем слое. Компоненты присоединяют к контактным площадкам пайкой, сваркой или другими способами.
Материал керамической платы — «Поликор» ТУ 11 — 78 аЯ0.927.002ТУ. Вариант конструкции многослойной керамической платы представлен на рис. 8.1. Внутрислойные пленочные проводники изготовляют методом сеткографин из молибденовых паст, межслойные контактные переходы — из молибденовой ленты. Материалы подложек и плат интегральных гибридных микросхем даны в табл. 8.1. Проводящие элементы, резисторы, контактные площадки, диэлектрики и межслойная изоляция выполняются в виде паст методом сеткографии. В качесте компонентов в многослойных керамических микросхемах и гибридных микросхемах применяют бескорпусные диоды и диодные матрицы, бескорпусные транзисторы и транзисторные матрицы, корпусные транзисторы и диоды в миниатюрном исполнении, бескорпусные полупроводниковые микросхемы, конденсаторы, трансформа оры с гибкими и жесткими выводами.
Компоненты устанавливают на плату методом приклейки или пайки. Располагать компоненты рекомендуется рядами, параллельными сторонам платы. Выводы длиной более 3 мм закрепляют точками клея на основе эпоксидно-диановых смол ЭД-20, ЭД-16. Вд. тононогнчеснне чертегнн гнбртЧГнмс ннтегренънмт мчнроссем Чертеж, определяющий взаимное расположение всех элементов ми кросхемы и их соединение на плате (подложке) согласно принципиальной электрической схеме с учетом технологии изготовления, называют топологнческим. На рис.
8.2 — 8.4 приведены примеры топологическнх чертежей толстопленочной гибридной микросхемы. Как правило, топологические чертежи выполняют на нескольких листах: на первом (или первом и втором при наличии элементов на двух сторонах платы) — изображение подложки со всеми нанесенными на нее слоями (элементы соединения, контактные площадки и т. п.), на последующих — изображение слоев (отдельный чертеж на каждый слой).
По топологическим чертежам изготовляют маски или фотошаблоны для получения соответствующих пленочных элементов. На первом (первом и втором) листе указывают позиционные обозначения изображенных элементов в соответствии с электрической схемой и номера контактных площадок. Начало нумерации периферийных контактных площадок предпочтительно начинать с левого нижнего угла в направлении против часовой стрелки. Внутренние площадки, предназначенные для контроля, нумеруют дальнейшими порядковыми номерами сверху вниз в направлении слева направо.
Размеры элементов и их расположение задают методом координат, как показано на рис. 8.5, либо с указанием значений в таблице по форме, приведенной на рис. 8.6 (таблица размеров слоя, изображенного на рис. 8.4). В таблицу вносят размеры положения всех вершин элементов. Нумерацию в пределах каждого элемента начинают с крайней левой нижней вершины, имеющей наименьшее значение координаты х, и продолжают по часовой стрелке; нумерацию вершин элемен- 269 ь« х « сь с ,.ь ь с 'с ьк Ок ььк сссс сс! с !О сс с ь О с ь ккк Ь ьььь ььс ф ьь с с с ь'ьь Ььсс ь ьЪ« ьь ° сс, х х х х х ьф ь с ьь ььь ь г-ч ! ! ! ! 1 Л ьь 'М ь .ьЪ 4" $ьь ь Ьь ььььь' ьь*,'с.с ~~~ ьь ь"'! ~ с! ь ьььЬ ьь а ь ьЬ сс ь ьь Д ььь ььь ь4ь ьььЬк ь'.ь с ьс,с, « с, с' ь Ь 1 с! ьь Ось с О О с О с а с О ! Ю ОЗ О О О.
О О О С О О О О 'О О О у О О О О О О Ь О О О О ь х О О ОХ о 3 О В !" М О О О а'О ОО к с м х о О «О О з О О О Х О О О О с 270 Рис. 8.3. Топологический чертеж толстопленочной гибридной интегральной мик- росхемы (вид сзади), лист 2 Рис. 8.4. Топологический чертеж толстопленочной гибридной интегральной микросхемы (внд на слой), лист 3 271 Рис. 8.8. Способ простановки размеров элементов на топологическом чертеже Кмрбинотоы, мм мооратинотоиб мм 12 1 г 5 О,бб 12 19 У,25 925 Д75 2,2 2,2 71 7иу 2,4 7,4 7,9 155 74 74 1б 9,35 7бб 75 77 27 15 7,5 795 755 77 14 7д 14 72 7б 49 ую 475 17 17 975 7и95 9,75 17 2 7„1 1 г натан Ранее 75 Рис.
8.6. Таблица координат к топологическому чертежу 272 2 5 4 б 7 б 9 19 71 12 Моординаатит атонии нииеиту Фе 5 Таблица 8,2 Основные конструкторские требования м технологнческве ограничения нзготовлевня толстопленочных гибридных ннтегральнык мвкросхем Обозна- чение Размер, м» Рисунок Требоаание нли ограничение 0,5 Минимальное расстояние от края платы до края отверстия Минимальное расстояние от пленочного элемента до края платы О,1 Минимальное расстояние между пленочными элементами в разных слоях 0,4 Мнмниальный размер резистора н его расположение относительно проводников 1.
Ь а 0,8 0,8 0.2 Минимальные размеры взанм. ного расположения слоев кон- денсатора 0,2 0,3 273 Мнннмальнав ширина проводника в зависимости от тока, йл 6,0 3,0 2,0 1,0 0,3 Минимальная шнрмма прн пайке к проводнику гнбкнх выводов компонентов 1,0 0,80 0,60 Ь 0,30 0,15 0,4 Продолжение табл. 8. 2 Обознз- ченне Размер, нн Требование нлн огрзввчеиве Рнеунон Минимальные размеры контактных площадок для монтажа активных элементов с гибким выводом и проволочных перемычек методом пайкн: а) пря ручном монтаже: для одного вывода для двух выводов для трех выводов б) прн автоматизированном монтаже: для одного вывода для двух выводов для т ех выводов О,ЗХ0,4 0,4Х0,7 0,4Х1,0 0,6Х0,6 0,6Х0,9 0,6Х1,2 4ф 0,25 О,! размеры контактных площадок н расстояння между ними для монтажа активных элементов с жесткнмн выводами прн шаге выводов 0,35 мм з хт 'е ( ез 1 Размеры контактных площадок длв монтажа компонентов-кон- денсаторов определяязт нз за- висимостей: 1.
ь Вшах+ 0,4 мм, 1г=)жгн — 0,2 мм, 1, +2Ьь) ах+0.4 мм, где ). з н ). „— минималь- ная и максямальная длнна конденсатора; Вмзз — манси- мальная шнрнна конденсатора; Размер. ии Обозна- чение Раеуион 1,0 0,2 0,8 Мяннмальное расстояние отт края активного элемента ао контактной площадки, к кото. рой пряпанвается вывод этого элемента Максимальная длина гибкого вывода активного элемента до тачки контактнровання беэ до- полнительного крепления 3,0 (реко- мендует- ся 2,5) 1,0 .33ф' згег ргжгле ллнелапдмлг г Требонанне иаи ограничение Минимальное расстояние края активного элемента кран платы Минимальное расстояние от луженого пленочного элемента до края компонента Минимальное расстояние между нонтактпой площадкой компонента-конденсатора н активным элементом Расположение технологических знаков для определения места аряклейкя компонента с гнбкнмн выводамн Окончание табл.
В.2 ги'ххххххэааг ТаЛаааа 5 Рис. 8.7. Топологический чертеж тонкопленочной гибридной интегральной микро- схемы тов в пределах слоя — с нижнего левого элемента с переходом к следующему ближнему по направлению снизу вверх и слева направо. На рис. 8А каждому элементу присвоено буквенное обозначение. Левый нижний угол пленочного элемента обозначен !, остальные углы нумеруются по часовой стрелке с обозначением некоторых промежуточных углов (при необходимости). На первом листе топологического чертежа помещают таблицу с расшифровкой штриховки, применяемой для обозначения соответствующих слоев (табл.
! на рис. 8.2 и 8.7); таблицы с электрическими характеристиками н данными по изготовлению от- 276 Табшца 1 Угяпагоб зппп иг с иптериия слоя ия пп- аапие ытпя /ыимеяпаояие парни ягятрич спагпп я тгяп ст тагт, огт, ту иемпе пягсгчс «ууяяпе пяиппяч я ся чгбугз с"ялте Рс 7710 ,и Упав пч з О зистпр яют явп рп и яя аытш. тшпояи па1в ач р и Тапи бв у-т' ггт таст пип Зя УУУУ тыяи пу нижняя пбняаенп яппаеяс.
Пиь аь баппсияияатппе стеяяп ЗУО17ТУ ТУ11-7б Г 1 1 ипт мрич -бппп— яп пят нямп АУУ аяяпт атьто пп нпябеиг. ТОУТ Сса-77 Щ2— и зьт яегатиппп ан-11 ТУБ-1П- -пзт-70 апмпгрс аич т — з атяи спой 2 Размеры для гпрабон. 2, Улеиенты белая» быпотааь ла ноординатаи, пробеденныи бтаФицох нагопадеагабуютия листая. Иаординааы даны д магштабе чертежа.
У. Ппоаадь напыления запоаа б близ лапшино нолыленая О, У., Обими, абнешний бид ялтпы далятея гппабеагл Уоботь требабаниям ингтрунцои А66ТХХХХхХ. 021. 5харантерилпини отдельны глоедсаибебче бапЯ1и й беасчины еиностеи нпнденсоаорпд должны газадеагадахчть данным, уназанным бтабч. 5. 7Нонеро нанаонтны» ллоизадон и обозначения зпемеяаоб помазаны усладил и гоотбетсабуюа гхеи зпенаричеснои' яринцвшальной АббТХХХХХХ. 00ЬЗд дельных слоев (табл.
2 на рнс. 8.2 н табл. 2,3 на рнс. 8.7); размеры таблнц не оговариваются, допускается введение в таблицу дополннтельных граф. На топологнческнх чертежах (см. рнс. 8.2, 8.7) записывают техннческне требования следующего содержания: специальные требования к изготовлению подложки; указания о матерналах-заменнтелях; требования к выполнению параметров элементов, в том числе ссылка на соответствующие таблицы координат, указание точности выполнення размеров элементов н т.
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
