Tsvetkov_6 (1063211), страница 2

Просмтор этого файла доступен только зарегистрированным пользователям. Но у нас супер быстрая регистрация: достаточно только электронной почты!

Текст из файла (страница 2)

_{Площадь S обследования обычно составляет 50-100 структур, что значительно превышает критическую, т.е. наиболее уязвимую для локальных дефектов, площадь структуры Sкр.}

_{Выход P годных структур при случайном распределении дефектов после операции, вносящей  дефектов на единицу площади, можно определить по формуле}

_{При увеличении параметров  и Sкр выход годных структур резко уменьшается, что затрудняет изготовление интегральных микросхем больших размеров. Так, при площади критической области Sкр=0,05мм}² _{и средней плотности дефектов =1мм}^-2 _{выход годных структур после одной фотолитографии P=0,95, а после шести фотолитографий с теми же параметрами P=0,73. При увеличении площади критической области до 0,2мм}² _{выход годных структур после шести фотолитографий падает до Р=0,3, а при Sкр=0,5мм}² _{становится равным 0,05.}

6.4.3. Контроль координатной точности

Погрешности совмещения рисунков фотошаблонов не должны превышать 15-20% от минимального размера элемента.

П
ри изготовлении фотошаблонов могут появиться такие погрешности как масштаб, разворот неортогональность отдельных модулей, а также координатные погрешности их размещения в массиве на рабочем поле шаблона:

Характеристики

Список файлов лекций