К.В. Фролов - Технологии, оборудование и системы (1062200), страница 122
Текст из файла (страница 122)
Вливние внугрицехового транспорта и действий персонала на виброфон устраняется или уменьшается с помощью некоторых организационных и режимных мероприятий. Основными источниками элекгромагнитных полей яюиются различные элек1рические разряды, изменения контактного сопротивления, парвзитные колебания эпектрических схем, переходные процессы. Различного рода радиоэлектронные компоненты, содержащиеся в оборудовании, а также готовые изделия, с одной стороны, сами вызывают элекгромагнитные воздействия, а, с другой,— самн чувсплпельны к внешним излучениям. Поэтому необходимо исключить оба эти явления.
Достигается это как экранированием оборудования, так и эхранированием ЧПП, в котором оно установлено. ЧПП могут быть сборными из стандартных экранированных панелей с эффективностью экралирования до 100 дБ, а также стационарными с эффективносп ю экранирования до 140 дБ. Виды экранируюших стенок представлены на рис. 3.3.13. Соединение экраиирующих листов друг с другом осущеспвгявюя сваркой, пайкой нли вальцовкой.
Для экранирования различного рода проемов используется заземленная металлическая сетка. зуб Глава 33. ЧИСТЫЕ ПРИЗВОДСТВЕННЫЕ ПОМЕЩЕНИЯ И ОБОРУДОВАНИЕ 3.3.19. Виды тестов ирн иезиггаяияя ЧПП Обозначения: О - тест проводится при необходимости; 1 - тест перед началом эксллуа- тации чистой комнаты; 2 - тест при выключенном состоянии оборудования; 3 - тест прово- дится в процессе эксплуатации. Контрольныв испытания ЧПП после их изготовления проводятся 3 раза: до монтажа оборудования, до первого вюпочения оборудования и при работающем оборудовании. Основные виды тестов при испьпаниях рамичных типов ЧПП представлены в табл.
3.3.10. з.зж подготовка и коптголь чистых ГАЭОВых ткхнояОГичясяих сгяд Возникновение статического электричества в процессе полулроводникового производства ухудшает состояние среды в ЧПП, что приводит к снижению выхода годных. Наиболее существенные отрицательные ющения при этом заключаются в прилппании пыли к поверхности пласпгн и кристаллов, а также в пробое изоляции и нарулгении работы электронных приборов. Предотвращение накопления эяекгроствтпческих авралов обеспечивается за счет подбора контактирующих материалов в соответствии с их положением в ряду электростатических потенциалов, а также устройством заземления с сопротивлением не более 1 кОм.
Важно тюаке повышать разными методами электропроводность объектов. Для борьбы со статическим электричеством его устраняют с одеплы персонала, когда заряд возникает при трении оделды и обуви во время двюкения. Сгекание зарядов обеспечивается применением антистатической одежды и обуви, устрой спюм токопро водящих полов, обеспечением персонала заземляющими браслетами.
Борьба со статическим электричеством в ЧПП не должна ограничиваться выбором материалов и оборудования, необходимо также учитывать роль человека. Кроме воздуха в ЧПП на участке технологической обработки полупроводниковых пластин необходимо подавать чистые газы, применяемые в качестве рабочей срюгы, газов- носителей или уравновешивающих газов (табл. 3.3.11).
Влияние возможных примесей в технологических газах на характеристики ИС очень велико (табл. 3.3.12), поэтому их концентрация строго регламентируется (табл. 3.3.13). Типовые методы и системы очистки технологических газов от примесей представлены в табл. 3.3.14. Методы анализа примесей в технологических газах представлены в табл. 3.3.15. В табл. 3.3.16 указана минимально обнаруживаемая концентрация различных компонентов с помощью приборов, приведенных в табл. 3.3.15. ПОДГОТОВКА И КОНТРОЛЬ ЧИСТЫХ ГАЗОВЫХ ТЕХИОЛОГИЧВСКИХ СРЕД 391 3.3.11.
Првмеввше техвологичееавк газов * Используется дпя уменьшения концентрации газов, применяемых для формирования полупроводникоаых структур (подаегся из баллонов). 3.3.1К Влвавве ирвмееей, содермаавшся а техволопгмсавх газах, 3.3.13. Требуемая частота техвомивчесввх газов для велувроаеввикового вреизаедегва 392 Глава 33. ЧИСТЫЕ ПРИЗВОДСТВЕННЫЕ ПОМЕЩЕНИЯ И ОБОРУДОВАНИЕ 3.3.14. Методы н системы очистаи тешваогичееких газов Канценгрвцал првмеси С. 104,% Производительность, Мыевнвл трубыгрсзодсв и вх хвувзтеристихн Удои емые Очишвемые гази Методы очистки на входе на выходе Ог - 50, СО,-2 (точка рооы -30 'С) О,-О,1, СО,- 0,1 (точка росы -76 'С) 3 - 200 Хг, Аг, Не Оь Сог, Н2О Адсорбция при Т> 0'С НС-60, Сог - 2 (точка росы -30 'С) НС-0,1, СО,- 0,1 (точка росы -76 'С) 0,4 - 50 о, НС, СО, Сои Н,О Оь Сог, Ог- 100, Н2О Сог — 2 (точка росы -30 'С) О,-О,1, СО,- 0,1 (точка росы -76 'С) 1- 60 Н, 20 - 300 Адсорбция при Т<0'С'г Н,,Не Ог, Хн СО, НС, СО2, Нго С приме- нением паллади- евых мем- бран'2 0,09 - 70 Проницаемая мембрана (пвлладиевая мембрана, 300 - 500 *С) Точка росы -60 'С Н2 Ог, Хг, СО, НС, со,, н,о ы Достишется наиболее высокая степень очистки.
Возможна обработка большого количества юга. Для охлаждения необходим жидкий азот. 'г Достигается наиболее высокая степень очистки. Необходимо повышенное давление. Очищенный шз находится под нормальным давлением. Регенерыпш не требуется. При больших обьемах обрабатываемого газа метод адсорбции при низкой температуре более экономичен. Каталитический трубопровод (на оонове Х1, Сп, 20 - 350 'С); адсорбцио нный трубопровод (синтетичеокий цеолит, 20 'С) Каталитический трубопровод (на основе Рт, Рб, температура 350 - 500 'С); адсорбционный трубопровод (сюпетнческий цеолит, нор- мальная темпе- ратура) Каталитический трубопровод (на основе Рб); ад- сорбционный трубопровод (сюпетнческий цеолит, 20 С) Адсорбционный трубопровод (акгивирован- ный уголь нлн синтетический цеолит, -196 'С) О,-2, Хг - 50, СО,-1 (точка роом -60 'С) Ог - 0,05, Хг - 0,05, СО2-0,05 (точка росы -76 'С) Ог - 0,05, Хг- 0,05, СО2-0,05 (точка росы -76 'С) ПОДГОТОВКА И КОНТРОЛЬ ЧИСТЬЖ ГАЗОВЫХ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ СРЕД 333 3.3.15.
Методы анализа щщмееей в техподопнесяих газах Диапазон измерения юпщенгренив п вмеаей % Метод нзм еремы Прннавп дейагмте 2 10 4 - 100 Датчик теплопро- водности 10 э - 10 Выаоюи чувствитель- ность к органическим компонентам Гаю вал хромато- графия Датчик иониэацни в пламени водорода 5,10-8 1 Высокая чувствительность к микрокомпонентам угарного и углекислого газов 1 104- 100 Масс-спек- трометр Масс- спекгро- метричес- кий 10 э- 100 Хорошея разрешающая способность. Пригоден для анализа микрокомпонентов Объединение средств газовой хроматографии и маса-спекзроскопии 10.т — 10 Спектро- метричес- кий ИК-спек- тр ометр ИК-облучение пробы и анализ по длинам волн спектра поглощения и интенсивности линий Гальвани- ческий Циркони- евый Микроаналиэатар кислорода 5.10 э - 10 4 Люмине- сцентный Обнаружение света, излучаемого в процессе реакции желтого фосфора и Ог Датчик ионнэацвн в ПЛВМЕНН Водорода с прйдВаримль- обраэованием Масс-спек- ТРОМЕТР, оборудован- ный аредат- вой хромо- тотрафни Обнаружение разности теплопроводностей компонентов, разделенных в адсорбцио иной колонне Обнаружение тока ионов при введении компонентов, разделенных в адаорбционной колонне, в плывя водоро- да Превращение угарного и углекислого газов а помощью катализатора в метан и измерение датчиком иониэации в пламени водорода Разделение положительных ионов, образовавшихся при иониэации пробы, по массе и заряду Протекание анализируемого щэа через гальванический элемент, реакция с кислородом, детектирование электричеакого тока Протекание анализируемого газа через циркониевую трубку и детектирование ЭДС, создаваемой концентрационным щльваничеаким элементом на ионах кислорода Применение обычной газовой хроматографии.
Пригоден во ваех случаях, кроме гатов-носителей Возможен многокомпонентный анализ (аещестао: шз, твердое тело, хщд кость - а давлением паров более 2б,б Па). Возможен анализ небольших проб. Высокая стои- мость Невозможен анализ молекул, содерлшцих одинисовью атомы, и одноатомных молекул (Хг Оъ Нъ Не) 394 Глава 2.3. ЧИСТЫЕ ПРИЗВОДСТВЕННЫЕ ПОМЕЩЕНИЯ И ОБОРУДОВАНИЕ Продолжение табл. 3.3.15 * Диапазон измерения зависит от вила газа и может несколько изменатьоя. 3.3.16. Минимально обваружиааемая яеявевтраиия ярямеса$ а теляологвчссввя сазак ~=--'Л Ф 2ваиа Мсс ~масасма', Ряс. 3.3.14.
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
