Презентация (1058807), страница 2
Текст из файла (страница 2)
Толщина пленокметаллических обкладок и диэлектрика измеряется микронами. Чтобы избежать короткогозамыкания обкладок и электрического пробоя диэлектрика, шероховатость подложки должнабыть значительно меньше толщины пленки. Необходимо отметить, что диэлектрические пленкичувствительны даже к единичному дефекту на поверхности подложки. Поэтому при низкойчистоте поверхности подложки практически нельзя изготовить качественные конденсаторы.Керамическая подложка AlNРезисторРезисторы нанесенные на более грубые поверхности, имеют большее удельноесопротивление, меньшие температурные коэффициенты, худшую стабильность впроцессе термостарения и большой разброс поверхностного сопротивления.Ионный пучокОбласть плазмы разрядаИонно-оптическиесеткиУскоряющая сеткаДостоинства1.
Низкое напряжение, при котором зажигается разряд (~20 В).2. Механизм зажигания разряда позволяет получать однородныймноголучевой ионный пучок с достаточно равномернымраспределением плотности плазмы.3. В системе «Кауфман» возможна фокусировка ионного пучкас его последующим электростатическим отклонением.Недостатки1. Наличие термокатода не позволяет использовать источникдля формирования ионных пучков химически активных газов.2. Сложная многоапертурная оптика.3. Ограниченная плотность ионного тока.Достоинства1.
Возможность использования во многих технологическихоперациях.2. Возможность формирования ионных пучков химическиактивных газов.3. Высокая однородность плотности ионного тока.4. Обработка крупногабаритных изделий.Недостатки1. Отсутствие независимого контроля тока и энергии ионнов.Методы нанесения пленки нитрида алюминияПринципиальная схема дугового нанесения пленки AlN c фильтрацией потока алюминиевой плазмыПринципиальная схема магнетронного нанесения пленки AlNАнодДуговая микропривязкаИзоляцияАнодКатод-мишень (AlN)КатодДостоинства метода1. Практически неограниченная электрическая мощность.2.
Возможность нанесения металлов, сплавов, нитридов,карбидов и т.д.3. Отсутствие необходимости в дополнительном газедля ионизации.4. Высокий коэффициент ионизации испаряемых частиц.5. Высокая скорость распыления.Недостатки метода1. Нерегулируемая энергия частиц.2. Относительная сложность конструкции дуговых источников.Магнитная системаЛинии магнитногополяSNNS-SNМагнитная система+Мишень (Al)Ar N2Вакуумная камераИсточник питанияAle+Ar+AlArAl+N2-UсмКерамическая подложка AlNAlДостоинства метода1. Регулируемая скорость осаждения.2. Возможность нанесения металлов, сплавов,диэлектриков.3. Относительная простота конструкции.4.
Достаточно высокая чистота осаждаемойпленки.Недостатки метода1. Низкая и нерегулируемая энергия осаждаемыхчастиц.2. Низкая производительность.ПодложкодержательAlNОсаждаемаяпленка (AlN)Вакуумная камераЛовушка для частицAlNS0Керамическая подложка AlN-Осаждаемая пленка (AlN)S0Подложкодержатель-Uсм+Метод нанесенияЧистота покрытияУдобство расположения подложекТрудоемкость методаСложность управленияСложность конструкцииСкорость осаждения пленокМагнетронный+++--+-----Дуговой с фильтрацией потокаплазмы++++++-++++Оборудование для уменьшения и измерения шероховатости подложек AlNУстановка CREEP SERVICE EAST 01 AСтанок шлифовально-полировальный 3ШП-350МПротяженный ионный источник с замкнутымдрейфом электорновТехнические характеристикиДлинаТехнические характеристикиВесДиаметр обрабатываемых заготовок,мм3Частота вращения шпинделя(регулируется бесступенчато), об/минот 30 до 180Число двойных ходов поводка вминуту (регулируется бесступенчато)от 28 до 110Максимальная потребляемаямощность, кВт7,55Характеристики установки1.
Установка предназначена для физическогоосаждения пленок из паровой фазы.2. Нагрев камеры до 200°С;3. Возможность ионной очистка поверхностиподложек;4. Два дуговых источника;5. Возможность нанесения углеродной пленки.6. Реализация метода сепарации плазмы.Водяное охлаждениеТемпература воды на входеПредельное давление в системе охлажденияРабочие газыЛинейная плотность токаДлина линейной части ионного пучкаГабаритные размеры, ДхШхВ, ммМасса, кгТип дисплея матричный ЖКИ300-3000 ммНе более 20 кг на 1 мдлиныРазмеры ЖКИ экранот 200 до 350Тип монтажаКоличество шпинделей, штПрофилометр TR-200Технические характеристики2280х1080х1660не более 1300Однородность плотности тока ионного пучка128х64 точки, со светодиоднойподсветкой50х30 мм отображает положениеизмерительной иглы датчика иуровень заряда аккумуляторнойбатареиВнутри вакуумнойкамеры или нафланцеДиапазон измерений попараметрамRa,Rq:0.01-40 мкм;Rz,Ry,Rp,Rt,R3z:0.02-160 мкм;RSm,RS: 1 мм; Rm: 1-100%2-5 л/минЗначения отсечек шага0,25 мм/0,8 мм/2,5 мм< 30 °CДлина оценки значенийпараметров шероховатостиотсечки1-5 (по выбору пользователя)Длина трассы ощупывания(отсечка 1-5)+отсечка 23 атмAr, O2, H2,, N2, и др.7мА на 1 см длиныТип датчикастандартная модель Ts100,индукционный, радиус алмазнойиглы 5 мкмДиапазон рабочих температурот 0 до 40 градусов по Цельсию230-2930<±5% на 90 % лдлинылинейной частиРабочее напряжение500-3500 ВОтносительная влажностьвоздухаСредняя энергия ионов250-1700 эВСтепень точностиРабочее давление0,05-0,25 ПаГабаритные размерыМасса электронного блока<80 %класс 3140х56х48мм480 г21236A(1:4)4BB529479*4005160302020AA60020*A1..11-01.10.00....1:4........11.
. .1111-82.21A2211250(1:1)508-7H14771-76- 421600208.AA30*1. *.2.: H12, h12,IT12.11-01.13.00....1:4.....11.... . .1111-82.213214001A(1:2)60030*80M20-6H14771-76 - 660AA1. *2.2.: H12, h12,IT12.11-01.11.00...30*314771-76 - 6A1.1:4.....1...1. . .1111-82.213.
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
