1 Лист (1058800)
Текст из файла
Технологический анализ элементов тонкопленочных ИМСКонструкции пленочных конденсаторовКонструктивно-технологические ограничения припроектировании тонкопленочных ИМССвойства материалов элементовтонкопленочных ИМСЗащитныйслой (SiO2, Al2O3, Si3N4)Точность изготовления линейныхразмеров пленочных элементов ирасстояний между ними Δl, Δb, ΔL,ΔB и других при расположениипленочных элементов в одном слое31, 412321.
С активнойплощадьюперекрытияобкладок4522. В видепересеченияпленочныхпроводников3. В видепоследовательносоединенныхконденсаторов2334. Конденсатор сдиэлектрическойподложкой465. Гребенчатая2316. В виде двухпараллельнорасположенныхпроводящихпленок4Площадьконденсатора,мм2НазваниеэлементовМинимально допустимыйразмер резистора, ммПримечаниеS≥51≤S≤51 - диэлектрик;2 - нижняяобкладка;3 - верхняяобкладка;4 - подложка.0,1 ≤ S ≤ 1S < 0,1Нижняя обкладка ТПКдолжна выступать закрай верхней не менеечем на 200 мкм, адиэлектик - не менеечем на 200 мкм за крайнижней обкладки.Выводы обкладок ТПКв местах коммутации сдругими элементамидолжны выступать заслой диэлектрика неменее чем на 500 мкм.Для повышенияточности и надежностиТПК необходимовыбирать наиболеепростую формуобкладок. Суммарнаяплощадь, занимаемаяТПК на микроплате, недолжна превышать 2см2, минимальнаяплощадь ТПК равна0,5х0,5 мм2.±0,01±0,01±0,01S < 0,10,050,30,10,30,30,1Материал элементатонкопленочной ИМСОсновные электрофизические характеристикиМинимально допустимыерасстояния между пленочнымиэлементами, расположенными водном слое a,мм0,30,10,30,10,05ПодложкаОтносительная диэлектрическаяпроницаемость ε(f = 1010 Гц, t = 20°C)Тангенс угладиэлектрическихпотерь tgδКоэффициентТКЛР,теплопроводности, α·10-7, 1/°Сλ·10-2, Вт/(м·°С)Максимально допустимоесоотношение размеров l/b1010030100100Ситалл СТ-38-17,3-8,0150,03838Сапфир9,910,25150-67Поликор (99,8%)9,810,25175А-995 (99,8%)9,6510,16762ГМ (99,6%)9,810,167-0,25180Сапфирит (98%)9,3-9,610,209-0,251-22ХС (94,4%)9,3100,13461Брокерит (97%)6,861,6775-92AlN9 (при 106 Гц)1·10-4(при 106 Гц)0,73-0,946Резистор(контактная площадь)Удельнаяповерхностьсопротивленияρs опт, ОмДиапазонДопустимаяноминальных мощностьзначений, Ом рассеянияP0, Вт/см2ТемпературныйкоэффициентсопротивленияTKR, α·10-4, 1/°ССтабилизация за1000 ч, %Хром ЭРХ 4 ТУ530-70200-1,02,02,0Хром ГОСТ 5905 -67(медь луженая)50050...30 0001,00,6-Нихром Х20Н80ГОСТ 12766-72 (медь)30050...30 0002,01,01,2Тантал ТВЧ ТУ 95.311-7510...10050...100 0003,0-2,05,0РЭТУ 1244-67(Аl с подслойкой V)20...100100...10 0003,0-2,05,0Кермет К50 ЕТО.21.033ТУ1000...3001000...10 0002,0-5...+30,5Кермет К-50С5000500...200 0002,0-40,510 000104...1052,0-50,50,2ЕТО.021.013 ТУ (золотос подслойкой нихромаили хрома)1000...3000-2,00,50,60,5Кермет К-20ЕТО.021.033 ТУ (золотос подслойкой нихромаили хрома)РС 3001ГОСТ 22025-76800...3000-5,01,00,5ЕТО.021.019 ТУ1000100...50 0002,00,2-РС 3710 ЕТО 021.034 ТУ300010002,00,3-ДиэлектрикС0 max, пФ/мм2εtgδEпр·105, В/ммAT, ТКС·10-4,1/°СSiO (ГОСТ 5.634-70)1005,60,01...0,022...32,0±(1,5...6)SiO2, БКО 0.028.004 ТУ1005,60,002..0,022...32,0±(1,5...6)ЕТО 0.021.014 ТУ15010...120,001..0.011,03,0-1,0Ta2O52000230,022,04,0±(2...5)Al2O3850100,0079,02,5±(1...3)GeO (ГОСТ 19502-74)50...15011...12(5...7)10-31,03,0-Проводящие слоиТолщина слоя, мкмУдельное поверхностноесопротивление ρS, ОмМедь вакуумнойплавки МВ0,6...0,80,02...0,03Алюминий А 970,2...0,50,06...0,1Золото Зл 999,90,6...0,80,03...0,5Максимально допустимоерасстояние между пленочнымиэлементами, расположенными вразных слоях c, мм0,20,1≥0,2≥0,10,20,1≥0,2≥0,10,1≥0,10,50,20,50,40,2Минимальная ширина пленочныхпроводников l, мм0,100,050,10,10,05Минимально допустимоерасстояние между краемпленочного резистора и краем егоконтактной площадки j, мм0,20,10,20,10,1Минимально допустимыерасстояния, мм:между краями диэлектрика инижней обкладки конденсатора fмежду краем диэлектрика исоединением вывода конденсаторас другим пленочным элементом hczhмежду краями верхней и нижнейобкладок конденсатора gКонструкции пленочных резисторов0,10,10,10,1Lf1B4от пленочного конденсатора доприклеиваемых навесныхкомпонентов zfКонструкциирезисторовУсловие выбораконструкцииконденсатораНазваниеэлементов0,20,3Примечаниеg21121.
Полосковый1<kф<10 (L/B>1)0,1<kф<1 (L/B<1)52. z - образныйkф>101 - резистор;2 - контактнаяплощадка.23. Меандрkф>1034; 5. Составныеkф>10между краем диэлектрика и нижнейобкладкой конденсатора в местевывода верхней обкладки cПленочные резисторыкак элементыразличаются большимконструктивнымразнообразием. Прииспользованииразличныхрезистивныхматериалов ивыбранных топологийв пленочномисполненииможно выполнятьширочайший диапазонноминальныхзначений.
Еслитребуется высокаяточность выходныхпараметров, то можноиспользоватьпоследующуюподгонку.Конструкциюрезистора выбираютисходя изкоэффициента формыkф=R/ρS.BМинимальная площадь перекрытия2обкладок конденсаторов LхB, ммМаксимальное отклонение емкостиконденсатора от номинальногозначения, %Минимальное расстояние отпроволочного проводника иливывода до края пленочногопроводника, не защищенногоизоляцией k, ммРезисторМежэлементнаяразводка-ЭБКLНижняяобкладка0,100,15Минимальное расстояние отпленочных элементов до края платыd, ммdПодложкаКонтактнаяплощадка0,1Перекрытия для совмещенияпленочных элементов,расположенные в разных слоях e,ммjДиэлектрикКонтактнаяплощадкаba0,1 ≤ S ≤ 1blblКонструкцияконденсатора±0,01±0,01ТАc4МФЭИe1МФНаименование ограниченияТопологический экскизВерхняя обкладка0,5х0,5±120,2В числителе и знаменателе графы М/Ф показаны ограничения соответственнодля масочного (М) и фотолитографического (Ф) методов изготовленияпленочных элементов; в графе МФ/ЭИ в числителе - знаменателе приведеныданные для комбинированного масочно-фотолитографического и электронноионного метода; графа ТА - данные по танталовой технологии.Стабильностьза 1000 ч.
Характеристики
Тип файла PDF
PDF-формат наиболее широко используется для просмотра любого типа файлов на любом устройстве. В него можно сохранить документ, таблицы, презентацию, текст, чертежи, вычисления, графики и всё остальное, что можно показать на экране любого устройства. Именно его лучше всего использовать для печати.
Например, если Вам нужно распечатать чертёж из автокада, Вы сохраните чертёж на флешку, но будет ли автокад в пункте печати? А если будет, то нужная версия с нужными библиотеками? Именно для этого и нужен формат PDF - в нём точно будет показано верно вне зависимости от того, в какой программе создали PDF-файл и есть ли нужная программа для его просмотра.
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
