semicond5 (1055335), страница 4
Текст из файла (страница 4)
Выпускается в 'метал.(остеклянноч корпусе с жесткими вывода ыи (рис, 6 3, м). 1!.<ра .тр« П(тс ~с< )1<!И! )<11!<» !11»1!<1»' т!»» 11 1<<.< 1!11!< 1<!!1,!»' ! ° ! 111!! <1 и »-')» »1(< и и « — 45», () „, )1)(! (, й1,< — )О О'! То !»е, 11Рн (и:= '()»!», (',):-."- 5(! — 45 '(, т. ()„,, " !1)0 Г !5 '(". = ()„,, == !')() а С. 1о т)»р, !!Гн ), = 500 чьс, ~ э 20 — 4-, "С < () ...,< -- ! 00 'с". То же. 1!ри ~и ~ 500 ч!сс„с,) -20 1<.1< и<» ) 'ЬЗ»иц < < )» <и<.» ° <1» и иа» ° <ви»„<, <»< и и,ат< Гк,„.„,, Вт й, р,р.
('т Вт «иер <а». Пр т» д <»ри <»р» <.ар<<.»а»< << и, )В С »«ить<иа<.т» и «»«р"ри» /-'!» „„(1ЗВ .<т! «ъ«< а,таи»сти»«я '<и<ппо< ь (Н< ! р,« 11,„<.1 <„' КТ972А, КТ972Б, КТ973Л, КТ9735 Кремниев! 1е высоко)астотные составные транзи с)оры !)-(т и (КТЧ72) и !)-и-р ~КТс)73) Прсдиаз!)аче11ы лли !! 1Г $6~1, ' 1)»~р мЛ ~1ЬО, ИЛ <-')»3 «и» В »" ь т:<и» < с, У У »/ ~!С ИО 5 (5 '25 7 50' 2 !50 усилении си~валов в широком диапазоне частот и работы в ста6нлизаторах, н1н!Рртора!с, ~здал сгрочной и кадровой разверток !елевизоров, электронном важи~анин ашочобнчей и других устройствах управлении и автоматики. Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводачи 2 ( )ис 6,3, и).
Маркиру1отся знаками: — дня КТ972Л, ~ — для ЬТ972Б, Я вЂ” доя КТ973Л н Я вЂ” дня К 1973Б ! 11!е.~е.! к. КЭ!к !!гах. !,нн доаус1нмие эксна!уатан!!он Рь) =1 нам, — 45ОС !са — 45'С ~ О„ар ~ 85 "С ные данные !1Р!! тела!се !!!а! аа р ° ь»на и р! !ь. )! + !!. 1 ! ~р ! '!' !аа! !! а! р! !!ы!а! ка!а !Ч! !!! '!'!' .!-а$Н)а !! л!!!кр !! Нр!! те!!асрат~р' ка ра!«»ьа !!и. '-'Ь С !!.!ьк!!!|,! !а!!,! та! кс ю!к!м! !сапа!!акть (Вт1 р,!!с !а !ыааетсл ! а 4а !>к!!1 !'!, „,„, = <!'5!! с1„.а!!~,!15*!а Е~, и4 кт!! Ф !12 2ка б -8!~ Рф-дФ Г 22 абаз,с! акЭ ~!!к Ю ~-' КЬ а!ак. 1-'"тв !аак, В 1К лак А Рк,„„, В! 1~!!ер лар. Сг'Вт 11»с~ !па~ 2'к! А 2,Р ф 1,7 ф! ф' 6 Йикю И ~Б1 !!.4 с~ ОЧ 63 Ф,2 О! ' Юц ЮИ2Ы„,В Ек.
4 Ц 22 $! ф' 0 2-Ф -Е -Ф 60 5 4 ЯЗ 15,6 15!О 45 45 42 8! 15,6 159 У. ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ У.т. Система обозначений попевык транзисторов Сис~сма обозначений полевых транзисторов впсрвые была упорядочена с введением в действие в январе И73 г. государственного стандарта (ГОСТ 10862 — 72), Согласно этому ГОСТУ, система обозначений нолевых транзисторов аналогична системе обозначений биполярчых трзизисторов, Отличие состоит лишь в обозначении второго элемента, которым у нолевых транзисторов является буква П. Классификация полевых транзисторов по частотным свойствам отражается третьим элементом обозначения. Она осуществляется по максимальной частоте в соответствии е приведенной ниже таблицей.
Согласно ОСТ 11 336 038 — 77, вторым элементом обозначения полевых транзисторов тзкже является буква П. Остальные элементы обозначения такие же, как у биполярных транзисторов. Классификация нолевых транзисторов но частотным свойствам аналогична предусмотренной ГОСТ 10862 — 73, т. е, осушествляется но максимальной частоте. Условные графические обозначения полевых транзисторов приведены на рнс. 7 1. Риг 71. Условные графические обозначения полевых транзисторов: а — нолевой транзистор с р а затвором и каналом р тнпл, 6 — пеленой транзистор с р н затвором н каналом н типа, в — ЧДП транзистор с и~дуинроааппым каналом р тннн, г — МЛП транзистор с иплуцнронанным каналом л тица, д — МДП транзистор со встроенным каналом р тнла, е — ядГЬтранлнстор со встроенным каналом н |нпа, ас — МдГ! трапаис~ор с инлуцнронанным кана.
лом л чипа и ппутреипнн соеднпеннем подложки и стока, и — Мдн транзистор со встроенным каналом л типа и двуми изолированными затворами У.2. Электрические параметры попевых транзисторов Буквенные обозна~и нин Термины Определенна Так стока при напряжении между затвором и истоком, равном нулю, и при напряжении на стоке, равном или превышающем напряжение насыщсиия Тьк с~мы нрн папрни(е((ии мсжду затворам и исгоком, превын(нющем напряжение Отсечки Ток затвора прн заданном напряжении между затвором и остальными выводами, замкну тими между собой Отношснис меньшего значения начального тока стона к большему значению начального така стока сдвоенного полевого тран- зистора Начальный так стока ~С пн ~ Остаточный ток стока у( „„ Так у((чнп зззн(у(ь( Отно(пенне начальных ГО((ОЯ СТОКИ СДНОСП НОГО полевого транзистора т( (алчу( ~(.(за П 2 Разность токов утечки затвора сдй(уеииого полевого трапзи стора Обратный ток перехода затвор — сгок при разомкнутом выводе ~3(ут) (— ~3 (ут) 2 Ток, протекающий н цепи за твор — сток, цри заданном обратном напряжении между затвором и стоком и разомкнутыми остальными выводами Ток, протекающий в цепи затвор — исток, ири заданном обратном напряжении между затвором и истоком н разомкнутымн Остальными выводамн Обратный ток перехода затвор — исток при ра- зомкнутом выводе Уз ио Термины, определения и буквенные обозначении электрических параметров полевых транзисторов определены ГОСТ 19095 — 73.
((родолжеии е Бъкв~нвые ибизн яяен ~я 0преяеяея ~в т '(1ли ны ЛСИ отл Сс(!о (- !1(о (-1! я Наг(р яике ни( отсечки ию.!евого трвнзистсра 11ороговос н а и р и ж е и не полевого транзистора Круплна характери стиви ио.(евого троизи стора Сопротивление сток— исток в о!крытом состояни( транзис(ора Ем(.ость сток — исток при разочки~том вы- воде Емкость затвор ст с к нри разомкнутом вы- вжг Ем(ость затвор исток при разоя(кнутом вы воде Вх((дпая емкость поле вог1 транзистора Выкоднаи емкость поле- вого транзистора Прэход((ая емкость во- лсгого 1ранзистора Ш мовое напряжение полевого транзистора Напряякепис чеж((у за(((ороя( и истоком трлнз(1стори с р и-пе- рсхэаом или МД11 транзисгора со встроенным каналом, !три ко- 1ором (ок стока дости!ает за- данного низкого значения На((рн.
ение между затвором и истоком МД$1-транзистора с ин- дуиированным каиалом, при ко тором ток стока дости( ает за- данного низкого значения О-ношсние изменения тока сто- ка х нз(чеиеи(ию напряжения на затвор( ири коротком замыка- нии ио переменному !оку яа вы- ходе транзистора и схеме с об- щин истоком Сопротивление между стоком и истоком в открытом состоянии транзистора при заданном иа- прзжении сток — исток, мень (ьем н а и ря и еи и я на сы шення Гчкогг(. ме жду стоком н ието- кои прн разомкнутых по пере- менному току остальных аыво дзк 1:мкость между затвором и ис током при разомкнутых по пере- ме п(ому току остальных выво- да к $ я кпрт( ме кчу ьпяором и ис- тзлом при р,( (очкнугь(к но иере мспнаму (оку ост а.(ы ых ((ы((н дик Емкость между затвором и исто- ком при коротком замыкании по псзсме( ((ому току на выходе в схеме с общим истоком Емкость мекду стоком и исто ком при коротком замыкании по переменвому току на входе в схеме с об щи и истоком Емкость между затвором и сто- ком прн коротком замыкании по переменном>' току па входе я схеме с обн им истоком Эквивалентное п(умовое напря- ~кен((с, приведенное ко входу, в го1осе частот прн определенном годном (оирогивленин генера- тора в схсмс с общим истоком !.,ПЛ'.! ЧР )„)Ьнъ)Н НЛПТ)ГОС) Ь .))ънн в ! Гснтио)о )а~.пи)го )шцрнн.<- цин, )рив(.ясени Го )«) вх<)д), пр)! КПр< лт(ъпл'ъ( Х ) "ъ')л! Ьацвн цъ) ВХППС <.
Обссс)5(! истпкпм Отис шен:<е потнпн ч(инно( Ги п)~ моа ьа выходе н()л( ног<) л р,)ц ЗИСТО] а !. ТОЙ Е(ъ л)В(")И, (ъптОР))Н ВЫЕВ()нлЧ теъл)л(ОВ)л)МВ И(~МВМН Соцрот)!)))(СНИ5) НСтолц)ИКЙ СИГНЛП)д Г)т))с! (('Ннс ".5.)зс(нос ! и Рн Вь)хп".(' ПО;)ЕВОГО ТРл„(<ане'!'()Ра К )()ОИ! НОСТИ НЗ В ХОЛЕ ПРН ОП РСДС л)ЕН цой частоте и (хе) е им))()чсн))я АбСО1)ОТПОС )цл)ЧС,:)И( рЗЗИОСТН )(л)ЦР)) КСННй Межлт ЗЗТВОРОМ и ИСТОКОМ СДВОЕННОГО ПО1ЕВОГО тра<)з))стора (ри,)зла)<нок< токе пока Лбсол1к)типе (Паче)<))е р)-)ности актив))ых Вы.
одных ироводимо. с)е)! сдвоенного пплево)о транзистора ОТИОН)СИНЕ )!)МЕНЕННН ра-ц(0(ъти ц,(ирн куции че.к,)) )атнорнм и нс'Г()к()ч с (военно. о ц()а)сво! о )рни <))с<()]5!) )( Вь и);инне)с)х еГО и<м(и<.))исо т< мну])артур),! бакр)- К,))ОНС( И СРСЯЫ ) н'! т)их 1 (ц ь; !'л )и ,С Ы ) !)О )СП(" (л 1Р л') Гц ))Л ]ъ,()1ффи ! )< Ч вЂ”, Ц)Х Х! ! И() ЛЕВОГО )Ра)! )И(')()Р,( Къ,. Епз(рфнниент хси;)еиии ) ъ.'П)НН(И )И П(СЕ)ЕИО)() ! Ра НЗ)<С ГОРЬ) ]с' 1;— (-н)] 1 *' <))ость цацпиж(ъциЙ (л)ТВОР— ИСТОК л ДВПСИ)(О! 0 ПОЛ(.60! О ! РНИ )И ( Г()РО 1).)з))ость внтнвиых в!»- х .
сии х п роно.симостеи СВО<ъИЦОГО ИОЛСЬП! О ) раианстора 1, „Псра ! с:рн))(л ухп)! 1) ! )ИОС ! и Ил<)(])5!)ЬС'ЦИИ ) )ц)1) и[ )()к ( нии'и )ции )цлл<ъ В(ц<( )р,)ц (ц ъ!"рд лхаа < ! (с' ) 2 < и) в ~11~ и)! '1 1~< !)] л К б~ кнеи! ос)у индснсу максимально допуст]!ных зннче5)! й )ц)рах)етров дг)бавля!О)сн «и пх» иди «в~я». Казна((ение выводов, внешии)! вид н основные размерь] ьор!)хсов Г)опепь)х транши('т(5])он (,р),зсде)<ы на рис 72 КП 9()л) с) х)ГЕ )<5 М,Л(тПЮ- лъ" лъл л,ъ3Г3 «л)))ъл» (л)ЯГ 7)<7 лл))Р, <~, ! )(()Я)5, КДЯ)Г и Рис 7 2 В ~св нив вид, оснозиые рвзмеры и расиоложевис выводов волевых транзн~~оров У.З.
Полевые транзисторы малой мош1ностн КП102Е, КП102Ж, КП102И, КП1С2К, К,П102Л, 2П102А, 2П102Б, 2П102В, 2П102Г, 2П102Д Днффузионно-аланарные полевые транзисторы с р-и-затвором н каналом р-типа Предназначены для работы во входных каскадах усилителей низкой частоты и постоянного тока, Вьиг~скаются в металл~стеклянном и пластмассовом корпусах с гибкими выводами (рнс.
7.2, а, л). .
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
