semicond5 (1055335), страница 3
Текст из файла (страница 3)
с~ сО р гС О~ 0 ° с~ '~ о я~ ' с:с: с м ~ сб (- Ы СТ~ В ~ х: о $ с~. сыма и о й Ф й $ .3 Х с.~ сЯ ссс ы [ Э~ с а. "- о ,Ж с> О Х с с ) О Р- ~ Х 4~ д Х с ~ ~с-. с., >1 ~" Ы сд х Х Л Ф О сб Д~ Е2 О Я.> с Ф д оМ Р~ сс3 ~зо ГТ905А, ГТ9056 Германиевые днфф~зионно-сплавные 1ранзисторы р-и-р. Прел))азначены для работы в усилителях, гене))аторах и импульсных устройствах.
Вьн)7скаются В ыетариоплас) массовом ко1)нуее с )ксстки "ли выводами (рис 6 3, в) данные — 75 — 7.э При тееаерат)рс окр~жананей среди от 25 ао 70 'С ааибоиишаи дои>~тиман )вг) оиреаеинетсн но ф<,рч);и. Рк,„„, = (Зэ — О, „„)/'50 При тсччсрат)ре кори)са о~ 30,ао 70'Г наноса~ шаа т иустичая а1ошность с,атниае1сн л фариас Р~ и ат — -165 — 0„ар~ 79 иааиности 1в ' П реле '" КЬ ин.с ю) ~7ка ~К пах. ~К и тиас тЬ ~~с» и,иаа. А Рк,и,„. Вт )'"К ~нас т, Вт аа ~ар )'и~ р окр, ~ т зэТ )~ас р- нор, С/Вт Ои аС Ооир» С и нно 400) стн мыс эксплъатааиОиные О„„, ~.70 С УБ~ =0,4 Б, О„ор -= 70 С О„,р а-.
70'С ти ~ 20 мис, И„,р - 70'С Н„ор-=70 С О„ор .= 7)) "С О„„р - 25 "С О„,р «. 30 С 3 7 1),0 1,1) 1 2! 6-' 'т0 — 60 Продолжение Ре ким нзиерс ииа [1ир метр14 Кт00ВЛ К 10000 11рсдсльио допустив"ые эк~илуатациопныа данньн 1.'Кэк „, '8 При ~/И~ = 60 Ь' ~ 11ри иеии риторе пере~иди ниии 100 "С иии~~ иии ~ аирииииие ~иенс.,елея ио ~ии'лиону накину на 10 Я ни кяж,аие 10 Г " При тсмиери~1рг исрп;.
в выше .0 "С иви0~~ имая млииоли (Вг1 рисечитываегси ио ФоРиУие РК и~а~ т О 5 1100 — 0н з) ° М' 1П П Ч Р «~ Уив,д БЭ у 2 ии б 6 Хя ЧПП 1' )1з .,и~ ~Ь, гиакс ~Б ~а~ РК„„ит, Бт а~ е'и р ясп» 11окр Я~а = 10 Ом (для КТ908А); Я~0 ~ ~ 250Ом (для КТ~В8Ь); Ои„, ~и 100 С Ои,р -- 135 "Г Оокр Овир=125 С 5 10 5 ао' 150 — 60 сФ 10 г11 ~ 1511 + (25 КТ909А, КТ909Б, КТ909В, КТ909Г Кремниевые эпитаксиально-нланариые транзисторы г1 1~ 11 Предназначены для рабо1ы и ум новаки гелях частоты, п1огенераторах У!хВ и ДЦВ диапазонов, в усилителях моща>н гп и других высокочастотных радиотсхни 1еских устройствах пнрокого применения.
Выпускаются в герметичном металлокерамическоз корпусе > полосковыми выводами (рис 6 3, в) Вывод эх1иттера электричрг ки соединен с фланцем корпуса ог и 1 ииг о~ Н1и 1„=а А П1и 1и — 0,2 А ~Ч и 1~ — 0.3 А ~ и >1 1>„, = 20 Вт П > тячиирит~рс мори~си от 2Б до ВГ> 'С яг>и1>гтмиая яо~циогт~ гмиигягтгя и > *> иоиь' иа оиигр- >юг гч 1к / >! (>, lи /> ! 1 >!»иц > * к тч»1а„В КМ и ° >и> 11,,ии„Л ~к и >и». Л 1,, и„,,Л 1'~, .и„„йт делы 0иср 1х ЭБ Ич, 11и> р р 11~и р пиир 0иир 1О ДОПУСТИМЬК ЭКСПГ1Уг1 ..120 С ~..
10 Оч 10 Оч ~.! 20 "г: ==, 121) '*(: -. 120 "С' — 85 'С тационн 3„5 са 60 2 4 27' 7 120 ые дан 3,5 60 60 4 8 2 54 !4 120 — 40... ные 3,5 60 60 2 1 2 > '7 120 +85 85 60 60 4 8 2 54' 14 120 КТ91! А, КТ9116, КТ911В, КТ911Г Кремниевые эпитаксиально-планарные транзисторы и-р-а. Предназначены для работы в умно кигелях ч ктот! !, у!.илителях мощное!и, автогснсраторах УКВ и Д11В д!!апа!опон, В других высокочасто1 !!!1!х радио! е ~ и!!'4е( е!!1 ~ с !1!о$!с ! илх !ниро- кого применения Выпуска!отся в металлопластмассовом корпусе с чет!!рьмй гибкими выводами и монтажным винтом (рис б 3, д1. Рс.л сссс с'асс 1 е! сссс 11 ~1с ~ «с с! сс КТО 11 КТсС11Ь !сТсс11 [Э 1„!сЭ !с Предс.сы Эс СПЛЮ атПС11О111СЫЕ ДаИНЫЕ 11; !'Кг, = 40 В 11; сс, = 1110 с'с! с! 11;.и тесссссэ стс1сс.
ксс!срсс, сст 25 'сс 85 С сссссс с,с,ссссс сссссссссссст 1Вс! сссс1сссс. ! с1>'сс сс ~~~ сссс —,1-~сЭ вЂ” 1!ко!с!,с Э:! сссс'ссл ! сс ес! В В сС) с , Вт г~ З с З 4!! З11 4О !1,~ О,~ О,Т Зс и зз зз ЫО ~20 иΠ— 40 +85 40 3 30 О,Т 3 'с 33 ~2О КТ9! ЗЛ, КТ9!ЗБ„КТ9!ЗН Кремниевые эпитаксиально-планарные генераторцые СВЧ транзисторы н-р-а Предназначены дли работы в усилителях мощности, генераторах, ум!!обителях частоты в диапазоне 200 !000 МГц в режимах с отсечкой коллекгорпо!о !ока Выпускаются в мсталлокерамнческом корпусе с 11о.1оскокыми вывод~ми !рис б 3, к) Ь 1')«.,В П,«'«н «г««ьг Р,н г«м и«мереиггн !1реле типо «иг111;с1вм11е ~! с17лу 7«кБ, В 25гС О - 85 аС УКЭП„га„В ТО жЕ, Прн ЯЭБ =19 ОМ г~зв игаг,  — 45 С ~~ 0„„1, < 85 (к„,„„А — 45'С~О, ~ 85 С РК «на«В! — 45 'С - О«рр 55 'С О„„р =-8э "С ггиер нор.
С / В 1 Р~ Опер гиа г* о« Онор ага,«« 1т«1 щ!он 11ы е РВО !г) -! 125 П р и !'« ~ «« — ~ В П р «7'г ««, = Б« ' П1и 1!,, — 1!1««м «е В а~ааизо «е те«и ера- р от 2З 'С ««аииои~ 'го««г«п~ ео "1З Б При гс мзггн нго !«аеегиьаснан Вг Прн Р,„« =- 1«".«Вг Прн lи = 200 чЛ до — Е,«С уг,Б ««««г и 1 !«->я «ца, Спи«г«н«отгг«ио лн- 1:агино ть ие греиььгге ьганеииааьиэ "о«««егг«гой у и 1Х РБ1,Я 238 1кзн, МЛ ~зво. мА ~ьр, А К,„ Ч:о ! „„МГ1„ е- КЭ ное ~!„Э„,',.' В С„ пФ С„, пФ 1, ОЧ гс, ОМ 0'~,э = 55 В, 6.'эв = ! О Ом язв = 3,5 И Гкэ = 10 В, ~ = 100 МГ!! 1'1,-! = 28 В, ~ = 1 ГГц е/1, н = 28 В, ! = 1 !' Гц ЯК=250 мА !В=30 чА 7к = 250 мА, ЬБ = ЗО А Гхц=28 В, ~=!О МГп ~~.> ь = О ~25 ~04 21 40' .-.- ООО =0,28 ..
0„86 ~7 40 015 3 55' г«6 3,5' 05' 4,7 20 150 "~ 50 1,5 Э 0.8 =. 40' ==МО' 0,28 ~0,86 ::12 =. ЬО о,! 1 5 Д.21!НЕЕ 55д, 7 5«« 3,5' !7 8 6,5 =50 ~ 1.5 1Я ="е 2' - "О' .ъ 000' е- '0,28 ~0,88 ~14 "80 0,05 1,! 55" ' 55' 35 !2 6 1О !50 и П о и ы е в в в в е В э1ектовчссьв~ свеч вв эы~ тте, цые выводы дотжвы быть соедв 1 1еяъ~т сибов КТ914А Кремниевый эпитаксиально-плапарпый СВЧ транзис ~ор р и р.
Прсдназначен для работы в широкополосных ннухтактиы» усилителях мощности на частотах до 400 МГц н наре с транзистором КТ904Л. Выпускается в металлокерамичсскоч корпусе с жесткими ныводам0 (рнс 6 3, 6) Предельно донусткм данные ме эксплуатационные Оеср ~~ 150 'С Опер ~ К160 а1 ° о~ и т. „, Л ,„, Л Л вЂ” 60'С-- — 60 'С "-= — 60 'С.=.= — 60 'С-.- — 60'С~ — 60еС~ !1редельно донести~"ые экспл~атаииоппые да ыые 55 1~пер лор С~цт Кт!)28А, КтсахБ Кргчннсиьк эннтпксиылнио илынпрнис ~рынзпс;прй а р-л Предназначенью для ряботы в быстродеиствуютцнх импульсных устройс~ вых, генераторах электрических колебаний н узлах ЭВМ. Вынускыютсн ы мсгыллостеклянноч корпусе с гнбкнчн выыодымн 1рнс 6 3, е) 1-кь .' В 1.~~, ~ц „„, В 6'-~Б ~~~„,, В ~аА ° ~~ и г~Ы~ ~Б ~яа~ ~ К ггся~ — 45С= То же, ирп — 45 'С .-.
15 "С == То же, прн — 45 =С:а — 45'С ~ 0,„„85 ' 85 ОС 1О Ом 85 С 85 "С нс, („~=10 85 "С 25 о~ 85 2 4 1 3() 16,7 КТ939А, К Г939Ь К1»емнисвыс эпитаксиально планарные усилитечьпые СБЧ тра))зис)оры ч 1А-и Пред((аэначсны для работы в усилителях класса А с повышенными требованиями к линейности. Выпускаютси в мезаллокерами (еском корпусе с гибкими полосковыми выводами (рис 6 3, к1.
)Ь!)3» 3(ОНУ3 ТИМНс' ЭК(1331 у »Тс»нв(»(33)ЫР 3(еи)))ЫО В д13а11азо13С тс 1Ое).а1»р ИООО1са О1 га '(о — ОО С ( 3,(» „, и (. л-3О, „ГО1333 ИО1 и ОО ~1113сч13ол3» ча 1О1» ДО 20 В 2 П)"1» С ЧООИ ' 31О 33) 11113 1Н 3311ГВИ11С,11 Т 1 11КГ31'3а 11 ИО 331» ГТ1333» 31 1 (331 ДОН 1О11 Г1 л3 ОС Оат» Сс Про 13з33С13е111331 тел131ер 3~ Оь3 ло: И»са от 2О 3о )ОО "с мОИ113О Ть .1И3л1ГТ И -а ИИ иейио"3» .<алое~ иа Эг ч(»11'К А(1Ц Л60 ,3 Ф 3( Д0 0 х ю юи 0 0 м г00м0г„,иа 0 Б'НВ ° 0 243 П (»ОДЕ ~/~,в „„„, й 3 ~кэ1с 131О3 ~lав ° В Т К 3ТЗО1. Б !1, ОО11 ° ОО„„, ~5'С -: О„„: ЮО 'С Т(3»ке, ()1)и Йьс» — — 10 ()м — (»и "(: =.
(1„13,:= 1()О ь(.-. (3()'( О,1И - 1()О '(. (), „'3 ( 11 А)~ц' ЛОО г000 гБОО г060 0000 гг66 гг00 г600 ГБАО г000 3000 0 '00 700ПЧл33А ЗО' ЗО' О Г2 4ОО' 43 1 с»О — !30 3Р3 Но' Я, 51 400' 4» 15О + 125 Хт, мЯ И тр 4ю ))7 <Р Ц,() д а~ п а,р ст„и КТ945Л Кремниевый впитаксиальный высокочастотный усилительный гранзистор л р тт Предназначен для работы в и)1- нульсных модуляторах.
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
