semicond5 (1055335), страница 2
Текст из файла (страница 2)
11ред!еазиа'!сны ДлЯ работы в Выходиых каскадах уси еителе е н$е око!е частоты, КАК)>$0$$>з$ Х КЫСкадах И ДР> Е ИХ ~.Ь>а». 1)ЫД>з(>3 0$ $1>О!!!!ОЙ $$ $$$$а- 1)ать ры и>ирокоГО П1)е!мсЕЕенил ИБ>пускаютсп в пластмассовом корпусе с Г$$бки$$$и выводам!! !рЕЕс 6'), г, ц!. КТВ18А, КТ818Б.
КТ81ВИ, КТВ!ВГ, КТ818А~Ч, КТ818БМ, КТВ!ЯВМ, КТВ!ВГМ, КТ819Л, КТВ!95, КТ819В, КТ819Г, КТ819А~Ч, КТ819БМ, КТ819БИ, КТ819ГМ Крсмниевые мста-ила нарно-эпитвксиалы~ые уцивср дивные трвн нсторы р-и-р (КТ8181 и и-р-и (КТВ!9). Пр~д нн и~ансны длн робо~ы и ныходны~ каскада~ усилителей ииз ~ >и ~астоты, нРсо6!н~ гона~~ ч'л кля чевых и другик устройств ~~ радиоэлскт!иинной аппаратуры широкого нрименсния. Транзисторы К!В!ВЛ КТ818Г н КТВ!9А. КТ819Г выпуская в пластмассовом корпусе с гибкими выводами (рис к), а КТ818А,Ч КТ818ГМ и КТ819ЛМ ..
КТВ!9ГМ ч< ~пллостсклчнном корпусе с ~кес~кими выводами (рис 6 2, б) у Р~ ~( Л. 1~ !.'1 ~ ~я~ч ЧЧИЬ! И ~ Я 'М Н61$ЛЛ жтв~м 08!В ~~! с:> и~ ~Г ~ ~О ~. ~'~ф М ЧЫЗ~М ХЧЯ 18.1 >! ~6! ЯЗ.М ЧМ181Я Х76! 9 13 м~я~в~х = с Д,/~~ С~ ~~ ° '~ Эф СЧ С'4 Ф Ж РО ч Е р 3 1 ~~ с Ш Яа Ь6 С. си~ «-. г й ° - л < ! ,Ъ 1)й, Г ~~ 1~~ь,~1 С !С с сл !г 1с 3г с а 1.л1. у "и'5Е. с!6 -с- -с" "~ ~о~-с>~~~ ж~ "- — .сс> Ф е~ С 1-'7 С ' С~д ~ 3 ~-'." ~О <:: И~ Ю 'сФ" й О л й х о Ж С 3-'» )~ с0 О ~0 10 О М р~ р~ ~ лу - ., гу $ '6 г„ ."" ~„~ г~р ~~~ ~Г ц.р ~" ц~ ~„"4 'с сй с.з '7) Ю Л й й О д Ж с . о с л С~ о о "-" '= ~=' ~) О .~=.С".С ~у ч1 ~и~~~о Р "' с О ~„~ С- й- ~~ -;,„и~р~р ~- о <р~ а о с= ~тес % 'ФЗ' '4' 4' о, ~ о КТ825Г, КТ825Д, КТ825Е Кречниевые чеза планарные с!1Ставныс универсальгр,!Нзисторы р-л-р Прсдиазначе!!ы для работы в усилите 1!!!31:Ой ~!ас Готы, импульс!!ых у7силителЯх !1он!ности, стаби- ! ! 1!!р.!х тока и напряжения„электронных Системах управ «н!!1!.
УСТРОйстаах аВтоМатИКИ И ЗаЩИтЫ, В ДРУГИХ УСТРОйСТВак ! !1<нлектроиной аппаратуры 11ы!!ускаются в металлостеклянном норпусс с жесткичи вы ! !ч!! (рис б 2„6). — 40'С -".О„„р . 1!)О'С То и!е, и1!и 1'вз = ! 5  — 40 '(: Н!,!!р ' 100 'С вЂ” 40 'С .-: О„~р ~ ИО 'С вЂ” 40'С - О„„р ~ 100'С о Ю вЂ” !.)О ~)0 20 30 — 31) — 30 5 20 ЗО 0,5 — 40 С~о„р~ ПО С 0„.„= 25 'С вЂ” 40 'С. О!„„!, 25 С О,Ь 3 125 150 100 !25 !50 !00 00 Хк, Л И 62 д !) -!!'!' -бд -~Р Уц,)) -1,2 -ч ~/Б~ ы д -2 -~ -Б Кц,а КТ826А, КТ826Б, КТ826В Кремииевые меза планарные переключатсльныс высоковольтные транзисторы и-р-и.
Предиазна !сны д )я работы в преобразователях постоянно!а ))апряжеиия, высоковольтных стабилиза)орах и ключевых устройствах. Вы)!уска)отся в металлостекляииом корпусе с жесткими Вь!Воляъ)и (рис. 62, 61. 11рсд ~'кзи,.„. В ~' кэ'!~ лт!!», В 1-1Г ~ пга ь, Б ~к р!а„А !к н !!!!!, А ~в ю!х, А ~ и ~па~ ° Вт 1кг!а!т, БГ Опер тж, С ос Окрр гт ! ° Оокр. С злы)с! хоп)ст!!'!ы! Экл!л~"!т!!!!!!(!!!!!! и д.! и ! ! !~!с — во — 60 5 20 30 0,5 з 1«У5 150 ! !)О 40 +! Е!реке Е к-~Р та~ льио дня етнмь1е зкснлуат~ционные да ннь1е 700 Е'км»,.ъ, В ! /~~ Е'~ Е/ь Ек с„ Е-З, — оо:с: =10 Оч То же, пр тф =- 0.2 ч То же, н!н — (~0 ' 1".: — ОО'Е' — 00 ' Е 60 Е 7~ с~ и х,~'20 чс, Е,!'~50, ~ т!, -- 1,5 мке Е!к~1р- ! ООО ! ! 075 0,75 м4 ~к> м4 ' ллв к ! х26А в К1~2эв лгя КГ82ив ~ ~„,о,; = 60'.
в пр ~ в, ь илн~ре корп~~з о- 50 до 12э "с мщнз.ть ~ В" ~ р ~~, ~~ лл~."т ~ ~ ~ ф~ р ~ к а~а = 1 ~ -в — «кор1Ф.ь ктм"А, Ктвиь, кт8 7в Кремниевые мсза-планариыс состави~1е универсальные транзисторы и-р-и. Предназначены для работы в усилителях низкой частоты, импульсных усилителях мощности, ста. билизаторах тока и напряжения, элсктрониых системах управлений, повторителях напряжения, переключателях, устройствах и в~ ом ати ки и за шиты. Выпускаются в мвталлоетекллииом корпусе с кесткими выводами ~рис 62, 01. 220 !1рг! гем!!ературс корпьса бочсс ьг! 'С чов!! ость 1от1 рассч!!тывастся ьо фг!~ втлс ~ Н нг = ггвеа г!нгг!г)/~Л г г Г) Д Пре ггКБ ага!г гг 31! гггйтг 1гкм !! „„, В ! г!гЭ г.гах ° /!, „,.„А !!а%, С„на,„.. А ! !г В г'!аг г ! ° ' !! гггагт г! !г! р нор.
С/ 1~ Опер пгат делы$0 допустимые э!талл~'3 — 60 "С. О,„р =-125'С То исег пр!! тт'Б~ = 1 йОм То же, при тф =0,2 мке — 60'С: В,ор, 125'С вЂ” 60 "С = О„ор < 125'С вЂ” 60 С=-0„„:=125 С вЂ” 60 'С ~ О„,р ~ 25 'С т!! иионные 100 100 100 5 0,5 20 40 0,8 1г! ! 1,4 200 даниые 80 80 80 5 0,5 20 40 0,8 12Г 1 1,4 200 60 .+12 60 60 60 5 0 5 20 40 ом 125! 1,4 200 2 О ~~'Бз 4 И ~~ ~'~ ~'к3 ~ КТ828А, КТ828Ь Кремниевые меха планарнь1е импульсные высоковольтные транзисторы и-р-п. Предназначены ллн работы в источниках питания. высоковольтных ключевых и дру1нх устройствах радиоэлектронной аппаратуря Выпускаются в металлостекляпном корпусе с жесткими иыводамн (рис.
62, 61 Предельно допустимые эксплуатационные дзпные 800~ 14004 600' 1200' ~'К'-~Р ~ а,1; ~' К.~й и в а ~, Б 11 ~' ьа ~на~ лс 1, А ~К е1ах „,„„т, 11т опер ~ла» с — 00 С «~Опор ~~ 85 С ° 1~ьэ = 10 Ом То же, при т„— 40 мкс; 9 ~10; тф ==,3 мкс — 60 "С -" О„~р ~ 125 '"С То ~ке, прп т„= 10 мс (~: 2 5 50 150 — 00 7,5 50 150 1 125 к1ь'~А д~я ктв28Б Ока — 411О н г,=12ОО В л ! !1 лт2рс лс!р !!ля !лт 62 т!л 125 'Г !!напр!!мс! !!" !!!!!!л стст пю ! !!!с1!!!ол!у ! !л!!!!2 ! В,!т!! К11!2!ЯХ и ", 1!1О! Н вЂ”,т.!!! Кт1128Б ! и !ни ! ! т<, и! 1!!!!;1!!! лт!1!!!л! л !1т 1О и!: — 1!О '( !! гп сО .тл 12» '" !!!,1!е.! е!!!!е ". !!е !,!!!с ! ол! „.!,!ло!!л т ' 1О!тв В !'!л Ктл2$4! !! ы 8!Π — !!л! К! К !сЬ 1$! !! ~Л! А г Иредельно допустимые эксплуатационные данные , „„ — 40'С ~ О„„р -:: 85 'С; 100 80 60 ЙБЭ =! КОМ КТ829А, КТ829Б, КТ8298 Кремниевые мсза-нланарные составные уннверсаль- 111.1! транзисторы и-р-л Прсд11азиачены для работы н усилителях нн1кои частоты, переклюл1аю1них и других устройсгнах радио1ек1ронно11 «ннаратуры широкого применения, Выпугк11к11ся н иластмасгоном корпусе с жесткими выводами (1!11л 6 '), с11 Ородоюкекие Уь~ ° ~к й~ при 1счпс~ытурс ат ~5 до ь; с ю ~и ь ~1, ~в" 1 расс ~итии ит~ н и > ~орыуи р~,, „, = ~ о — «.„)~гов КТ835А, КТ635Б Кремниевые транзисторы р-а-р.
Предназначены дли работы в радиоэлектронной аппаратуре широкого применения Выпускаются в пластмассовом корпусс с гибкими выводамн (рнс 6 2, Г). Предельно доиус1имые эьсплуа1анионные данные 1/КБ ~пса. В ~кэ я ° В ~ЭБ так „„,А Рк,„,„, Вт ~ь с> а~ Рк „,„ й,,р: О~~Пр Окор ги а 0иьр — 40 "С -': И~„р -- 100 'С вЂ” 40 'С ~ ~О„„р ~» 100 'С %) Зо 4 3 ! — 4$ 30 -4 7,5 1 )В я г~чп'ритор~ ипр»~. о1 и тп !РАЙ Г чппи~п~т~ ~Вт) о1ъ 1е1иет~ и ", ~ форм~ т ,~=(! В Ол>п) ~! ~ и и с ч и и и е 7 ~р ~п ии сора К ГпЗЛБ,ьр ~истрм 1 ~~Г 1Ипет 1 ир и „и !'ид „, ~ ~и, ~о орч ыел~влцкх равич~~ Лз~Г при Ока= — > В Рь =2 А /~ио прп ~ ни = — 4~ В ~,т прн 1И=З Л ГИ 017 Л 1'И~ „пе при 1Л=2 Л 1И Об Л ~Лаипм измерения оста и иых параметров совапдает с реп имо*1 изче~Реопя сппгп~ ~ ~ пп.
х пзрэиетроп трппзпс1ора 1(Т~>ИЬЛ 6.3. Биполярные транзисторы болям~ой мощности высокой частоты Назначение выводов, внешний вид и основные размеры корпусов биполярных транзисторов большой иошностн высокой частоты приведены нв рис 63. мл ДГЯ' Щ Д1Я „Ъ ~ те, сп~у,кто Рис о Я Биполярные транзисторы большой мощности высокой н сверхвысокой частот ~д о ~с ч 6 бЭ '5 Л Я и Й 7 й~ф Фь О. х ю л Я) ж "- 11 ~з % л 2 К ~С О й. с е с~ а С С Фс И Л ~3 г., О = о Р4 — с с Ч ~ .й са ~1 с О $ т 3~ $ \", 'Ф д О. М Ф" Х Е М Л с~ с ц Ф С> ф ~Ц Ф Х 63 а .с М \ З с Ф С с~ ( й Ч С".~ Л Л й Ф о ~ Г4 д ь ° С'4- о ~- Ы'Р .й $ Ю о %6 О ~1 ~ о > >с О С~ :4 О~ й~ р а З 6~ Ф Ю $ Ю. Ф ~3. 5. ъ й Ф о Ф 2 о И Ы 1 'Я а '3 Ю з~ 4 О.
С $ ~д ~ й д д х 3 ,дскб О:„ ~о С3 2 з3 я <> с.Ф ь й; Р рс Ф с~ Р с. О$ $ сз Я Г а /Р И с~ 4> 1 2 й О. ( н ю яю 'ш и Г„,,в ('Л Ю7Х 7,2Х К~-„,Н Ую=0 ~кэ ~~~'~ ют и;у ~,к ~~ ~~ Уд.В 0 П,5' 0,Е У,7 Ц~,6 4 1~~ Иг1 Р'~ а п,г пр п,ю г„,в г х ю ~~ гп г„„в Х~, и4 Я У ду Пр 17 Ю РИВ 1ь 5 4 0Ч к ~кз ~ й г б н Р. сс3 М 22 .Д г ~- о с;) и сс3 О.Ф Ф~ М С~ С~ с ~ о Г~ сс1 с~ Э д И~ а. с1 Я„с „ о Е- ~ с «ф сяс > $ О.) Ф Ус с ж М с:с.
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
