semicond3 (1055333)
Текст из файла
('ис, 4 3. Биполярные транзисторы малой мощности высокой и сверх- высокой часто~ и К130<в ктаив ктзя г ктзя ь ктзо!д ктзо!ж п.<р««е-ры Режил< н <л<ере«ил ктзО)А 1~„,,=10 В; 7 =змА; О =20" Г «лр 85 <Г 10 32 40.!20 !О 32 80 300 =~360 = 900 -а 14 20 60 =" 06 н 120 -..-180 360 :а:7 <<< р :~ 180 ~4 ~ 180 ;:.4 :ъ7 ~! ЗО О .
— — 55'С Олр ~у 7 1,5 60 ~20 ~ 1,5 80 ~14 >1 30 =3 мА; ~=20 МГц з ~кэ = !ОВ' 7~ =3 мА б =У кв КБ <па~' 0 =20 ( Олр 0 = 85 "С =3 В эь ~l 10 В; 6=3 мА; ~=! кГц !, =10 мЛ; 7 =1 мА, ~=50 Гц 7к —— 10 мЛ„- У =1 мА; 7=50 Гц ~к, =1ОВ; 1=! МГц и =0,5В;~ 2мгц 0„~ = 10 В; Уэ = 2 МА', ! =2 МГц 1'~„, 1 МГц «< <<' кат ~~ 10 =.
!ОО - 10 10 <3 :=!0 -':= !ОО - 10 10 -=3 --": 10 --: 100 10 --: 1 0 =а!0 100 !О ~10 ~-3 эьо' 6, „мкСм ~7кэ -с С, пФ С, пФ т, пс -=' 1 0 ~80 - 4,5 % 10 :-: 80 =2 101 КТЗО1, КТЗО1А, КТЗО1Б, КТЗО1В, КТЗ01Г, КТ301Д, КТЗО1Е, КТЗ01Ж Кремниевые диффузионные универсальные транзисторы п-р-п, Предназначены для усиления и генерирования колебаний в каскадах радиоэлектронной аппаратуры. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами (рис.
4.3, а). Продолжение Кт11 ! К ! 1!!1Ь К! К11 1 13011 Рс к яя яюясрсняя П тромсе !я ~ к! 1011 кт1111в ктзя1л КТМ1Ф 11редел И~Э", я!а», В В Ь Н О,Ч О 11 ~ С Т И 1я Ь! Е = 85'С = 85'(: Э К С!1.1 ~ ~! 1»1! 111111 ~ Н Ь! С д а !1 Н 1я С 20 ,1!) 20 85 ~1- 85 ~с ~ 85'С ~ 85'С =00 С 8, С пер !яая' с ~!!'Р;,ф ! 120 0,8 120 О,б 120 120 0,8 0,8 Пря тсмператрра о! оо цо Вв С аон1ст!!чая мо ця!ять 1явт1 оярсястяется яо фар я1яе К ГТЗОЬА, ГТЗО5Б, ГТ305В Германиевые диффузионные транзисторы р-а-р, 11редиазначены для работы в малогабаритных электронных схсмах, Выпускаютсн в металлостеклннном корпусе с гибкими выводами (рис. 4.3, б), 102 г,„~ ая, В ~, Ь! ! "! а ~ ' г.са»' Ф, /, мА а!й !' мВ~ и !яя»' О яр 0 ояр нояр в Оер О 01~р Оояр 0 оАк 3 20 10 10 10 150' Л 30 10 10 !О 1ЬО! 20 10 !О 10 150' 20 10 !О 150' !1 >ра !', пФ !:,, пФ ПС >я к 1~,, дЬ Правде;.Био допустимые зксплуатапиыпптпе Прп !>->0 = П,Б В - пгп тсмкературс спы>пе )о 'Г аппо!»>»ыо >ос значение тока ьоелсктпрп (мл) олредетя.
т я и > фо!>мтле )к „„,— й,2'тза 0,и ' с)ри температ)ре оир)л аю>пеп среды от 20 до 60'С максимальная мпп>пое>ь !мат) рыспитыпает' я по >)>привале "'К п>пс= !ОБА !)оир)>'0 8 К Г306А, КТ3066, К ГжВ, КТЗО6Г, К13116Д Кремниевые планариые транзисторы н-р-!т. Пред- и»!зна !ены для работы в переключающих (КТЗО6Л, КТ306Б) и усилительных 1КТ306В, КТЗОбГ, КТ306Д) устройствах. Выпускаются в мсталлостеклянном корпусе с гибкими выводами (рис. 4.3, в). 1'„„,и„, В >и па~ 1' ->Б п>ае' >„и„, МА > птт Р„„, мВ пер п>п Рп.р-пир, "С,>'м Вт -ОО.С = В,к = 6О 'С акр и„=О5 В ~ ~пир ~ ~~ а„,р<З5 С мкс, ~к<.тк О,„.„~2О С вЂ” 15 — 15 — 1,5 40» 1ОО 75' 85 О,8 да!и!ые — 15 — 15 — 1,5 4О' 1ОО 75» 85 О,8 — 15 — 15 — О,5 4О» 1ОО 75' 85 О,8 Продолжение >», иер»>ах» окр> ' При увели >енин теннературь> от 90 до 10о 'С иан6ольшая рассеиваемая коллекто роч мощность снижается но,тичсйно»у закону 1я, м>! '®~! "~ -~К> ~14 О,ч 8,8 ББэ,6 ' И Х 1р б г0 д-Х~,~А 4Х !О4 ИреЛ КБ»лат» ь КЭ1> шах В 1Эьш,„, В ~К К иас»>ах™А ~Э»>ах Э нас»>ат» К >на*»1В» елыю допус> нмые эксплуа 0„., -!ОО С 0.„„=:=1ОО С О,„, =100 "С окр тацнонные 15 1О 4 зо 50 ЗО 50 ! 50' 125 150 »>,Вне>ые 15 !о 4 зо 50 ЗО 5О !50' 125 150 !Б !о 4 30 50 30 5О !5О' 125 150 гтзовл ребич изыере!ия П~реметры гтзозв гтзо)в 20 75 Р„, — 1 Й,7,=10мЛ, ) — 50 Гц, ))„,, 25 'С 0„...
-= 70 'С вЂ” 50'С ~0 „~ ~ 25'С, Ькв — — — 5 В 0к~ — — 15 В Оо,р = 70'С, икв — — 10 В = — 2 В иж = — Зв 0к~ — — — 5 В, 7э — 5 мА. ,~ = 20 М Гц А 7,=8 А 7~ = 10 мА; 7г — — 1 мА Ока — — 5 В, 7'=5 МГц ~ЭБ= ик = — 5В,7,=5 А; ) =5 МГц 7К =50 МА; 75=4 МА; т„— 5 мкс; ~ = 1. 10 кГц Ь „,= — 5В;7 =5мА; ) =16 МГц 80 200 50 360 ~30 80 О)О -:Й 45 ~као' :,2 ~5 ~~ Щ :50 «:. )ООО ~6 <2 «.5 ~90 «50 ~ )ООО ",р.
4,5 ~2 ~ 5 <90 ~50 ~ 1000 0 ) по И2!э ! — 1,2 — 0,5 ~25 400 — 1,5 — 0,5 ~~8 ~ ~25 400 и „„, в )~ВЭ е.и' С„, пФ С,, пФ т„ пс ~„,,мкс рйе* К„,, дБ 105 ГТЗОЗА, ГТЗО85, ГТ308В Германиевые сплавно-днффузнонныс транзисторы р-а-р. Предназначены для усиления, генерирования и прсобразовання электрических колебаний высокой частоты и для работь| в импульсных устройствах, Выпускаются в металлостеклянном корпусс с гибкими выводамн (рнс.
4.3, г). ОРодолжекне Г~арппс сны Рпя пкс н смсрсннн гтзоа с ! ттмБ гт,и.в Предельно допустичые экснлуатонионные данные и,„„,н„„д !с ~,ЬО ~ смак' н'.3 Ь, и и к ' У К К3К сник' ~ьз ° !у,, в ' 1, эк' спп К п сппя' Р, „„, мВт 'С/ч Вт охр' — 63 +6 ПРп ке~ нс Рит УРс кпмпсе 45 "С ЯипУ кпмЯЯ пп.ипсп ть 1мВт! РК сп„, = 1 8э — Еин,) сспукдеяяскся по формуле Ц0-И -Ю -Ш -Ю -6 -Ч -2 П 106 у,о У дд 0,9 "„!5н ° Окп т„= ! мкс аяе 4 м4 1Ю 7о Р,У с~У вЂ” 20 — 30 — 15 — 12 з — 20 51) !2О 150' 360 0,25 — 20 — зо — !5 — !2 — 20 5О 120 150' 3!ко 0 25 20 — 30 — 16 — !2 3 — 20 50 !20 160! 360 О,25 ГТ309А, ГТ309Б, ГТ309В, ГТ309Г, ГТ309Л, ГТ309Е Герчаниевыс диффузионно-сплавные транзисторы р-я-р, 1!редназначены для работы в ~силители~ых и генераторных миниатюрны~ радиоэлектронных устройствах Выпускаются в металлостекляином корпусе с гибкими выводами (рис.
4,3, д). Д'родолжекие гтзООд ~ тиЮе гтзрав ТТ$1151 гтзООА тт36и Параметры Режим намерения Предел да««ые — 10 — 10 1О 50' 70 эксплуатация««ые ьно допустимые =10 кОм ~55 С ~55 С 20 о~ — 10 — 10 10 5О' ю — 10 — 10 10 го ЯЭБ 0 окр О окр окр квя мах' КБ пах' мА К мах' 0'", С 0 пер, нза~' онр — 40 +55 Прн температуре от 2О ао 55'С значение лонт~т«ион ион,ности тнен вартан на Б мат на каждые 1О 'С ГТЗ10А, ГТ3106, ГТЗ10В, ГТ310Г, ГТ310Л, ГТ310Е Германиевые диффузионно-сплавные транзисторы р и-р с нормированным коэффициентом шума. Предназначены для работы в усилителях высокой частоты малогабаритной радноэлектронной аппаратуры. Выпускаклся в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами (рнс.
4 3, е), гтрк ОА тт~ти; гтз гад т'тВтбе Режим измерения Параметры КБ Н' ~э ~ = 50 ..1000 Ги, 0„= 25' С 0 55оС окр О ..180 20 ..140 60 . 18 20.. 140 60. 180 20.. 140 60 ..360 60 ..360 16. 70 16. 70 ЗО . 180 ЗО . 18О :=-8:=. 6 60...360 16 70 ЗО. 180 >4 9. = — 20 'С окр 2!з ~~ 120 ~120 ~4 е: Ь -'=- 120 е 300 " 3ОО 108 Ь„~, Ом Ь О МКСМ скво С„, пф т, пс К„,, дБ 0 = — 5 В; 7 =5 мЛ; кв ' а 1=20 МГц !l = — 5В,! =1мА; КЬ„' Э ~ = 50 .100 Гц У,,= — 5 В; 7 =1 мА КБ ' Э Ф 1=50 10001ц К,Б ' ок 55 оС КБ 1 =5мЛ КБ ' Э 1=5 МГц У = — 5 В 1 =1 мА.
КБ ' Э 1 1=1,6 Мгц П/) одолжи//ие гта1/)А ТТЗТ6Б гтз)ов ТАТЯ ГтЗ)Ох! ТТЗТПЕ Режим юяереиия !!еэаметры пр т ' Квя та ах, сдельно допустимые экспауат / ЭБ /с = 200 кОм 0 = 55'С елр 0 <55 С 0 .= 35'С елр данные — 1Π— ь — !2 !О 20' 75 2 ационные — !Π— 6 — 12 10 201 75 2 — !о — 6 ]2 !О 20' 75 2 В КБ п*а~' мА иал' к К ятат' о ер а!ат /лпср.аир, .С/.Вт' 0 — 40, +55 1!Ги темперяг~ре ет ВВ до ББ С ые остяцкая ыаш1/есть !чВт) оарстсаяется яи ферч>:,е / = аа1тз — в !! ~рии~ ~1~а ии // =3 В, / =15 мА КБ ' э О„= 25'С 0"'"=55 С 1Укв — 5 В, /з=5 мА, кь кь — А.
=!5 мА; ~„= 1,5 мА / =15 мЛ, / =15 м / =10 мА дкБ — — 5 В, !' = И МГ!! и =025 В; ~=!О М //кв=5 В; /в=5 мА; /. =20 мЛ, / =2 мА; т =02 мкс, и !/Б, — 4 В, в схсме 1/! !Б! ~ !1,,! !1)о, мкА ьо, мкА / К! Нае, В нас, Н //1. ю гр, В /,, нФ /,. пФ Н !1С /1 ~~, кс 109 ГТ311Е, П'311Ж, ГТ311И Герма!!иевые планар!!ие транзисторы и-р-и Пред- 1!11)нвчены д.)я использования в рвдиовешательных приемниках, 11!)исмно-усилительной и другой аппаратуре широкого приме- 1!С 1! Ий.
Вы)1/скаю)ся в ме!аляостеклянном корпусе с гибкими вы!годами (р!1с ! Л, 1!1, ГтЗ( ! И ! т0! !ж Рея~им н. и ! ения Г!3!!! 1!Ори а . 1 р!я Предельно допустнмые эксллуатац((о(!ны0 К Б ° ~а.т ' ЗЬ г!пт' КЭ(! е,п!' и В Ц Ы мВ а 50 150' 70 — 40 +55 50 150' 70 50 1 50» 70 ' В диапатпн~ т мператар от 45 ап 60 "Г прпит мент СннжЕПкЕ Ь 1,Б «итт И С(тэр инта нз ! В нп каАЛ'юеь ( а Ь„г,„,,, — НЛ02 [1 ни л~ьяып ! (!ри теиператтре ог й дп 60 "~- гюитетпяия .". ии!и ) т~ (чйт~ пире [еляется по форм~де и Р = 1 У~ — !00 (Π— 20! т00 К 1л и1~р 110 7К К тип\ К п)а т' пер истр 9 Окр' пк Й.
„= 110 КОм, 0 Оар 12' 2! 12! 1,(((!(ЫЕ 12! 2! 12' 10' 1 г! 10' КТ312А, КТ312Ь, КТ312В Кремниевые эпитаксиально-планарные универсальные транзисторы а-р-и. Предназначены для работы в переклкчателих, генераторах, радиовещательных приемниках и приемноусилительиой аппаратуре широкого применения.
Выпускаются в металлостекляином корпусе с гибкими выводами ~рис. 4,3, ж). допустимые эксп туж ~85 С = 300 Ом < 85'С ~ 85'С О,В КБ тат' КЭЙ ггги.ь .в ЭБ ггган' ,в 1К, мЛ к лил' О лнр ЭБ О ен лнр о""' 'с- 85 'С ~К к гиах М~ г Онер лгит С Йпер скр 'С/мвт О.нр, 'С П~л температ",ре от 2О ла ВВ С дг птетнн,ьк мг,алот гь (чВ~) «нретелаетен ло форчуле — "ОА ГТ313А, ГТ3135, КГ313В Германиевые сплавно-диффузионные мезатранзисторы р-а-,в.
Характеристики
Тип файла DJVU
Этот формат был создан для хранения отсканированных страниц книг в большом количестве. DJVU отлично справился с поставленной задачей, но увеличение места на всех устройствах позволили использовать вместо этого формата всё тот же PDF, хоть PDF занимает заметно больше места.
Даже здесь на студизбе мы конвертируем все файлы DJVU в PDF, чтобы Вам не пришлось думать о том, какой программой открыть ту или иную книгу.
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
