semicond4 (1055334), страница 2
Текст из файла (страница 2)
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами (рис. 5.2, а1. Продо.(же((ае — 60 С икпрял.ения ( К гр я,а, и ('К!! сгг.! ГНИЛ т!ггтСЯ ЯО ( К 'Я а " (ГК!! гГС Си!!же От!Я ПО ( К гя и« ' ( Кв*гг СН!СКЕЮтся ГΠ— 66 ~С нтирслсеггия ~ !'.го г, я н ( г!! гт с! Я!кают я по и ! н!гйл ! и!г!. — Ьо — Но С и !грел! яяе ( и1- „с,» гг...
Яил тот я пе !и !ел!гам~ т„, МЛ тк м( ХС, Нг ги -~к-(11-,р-пц„,в (( -((1-.(((-я -и(~у (( -(г -а(-.~(1-(11(т„„в (1 -((1-г(1-~,' т(1 7„,,(1 А(,*д (гг(! икт гиг ! 5~т яс (( га ш' (г! ,ЪМ( 1 ктяо2(~, ктюлт, 1(',Т;112в, к'1(1>"т, кт,о12л„ктьо2Е КрЕМНИЕВВ1 .т(1нтаМ.11.(г(Ы(О-11.1ВН((риаз(Е уННВС11СВ.'1Ь- чы( транзисторы р-а (! Пред((анн((!(с(1(.1 для работы в к.1ктнсных 1(ас1 (1д'1х уснл!1телеи ннзкои частоты, О!пер'1'(ион(!ы 'с. и дн(р(ререпЦиг(г(ЬНЫХ У(.нг(итЕЛНХ Н С,РУРНХ УЗ.(ВХ Р,(ДНОЭг(ЕКГРО((НОй НППНРВ- т~ ры Вг(ирОЕОГо применения.
Вып~скакзтсн в пластмассовом корпусе с гибкнмн выводами 5 2 (г!',!.ггч я чнсреии ! 1 (!1 и'н! -рт! !!!! тгГВОЧ КТ502А.В,Д,Е 1".Т502Б, Г К 1502!А,В,Л,1. "1 г'021- 1т (,т02Ъ,В,Л Е 40 240 с(0 48!"! 1о ..120 170 11,ги тг ч!г!1 гт я 'и! г н гим! г!.ои1 11ри ! " и риггр г!'И,г; гм! ЗЙКОГГ! 11р!! !тяп!регги; !И!Н и Н!Я) 3 !Кон 11ря теяиср.гт1р! тисн г!!ига !акииг 11ри тс 1:нграт рс -г!ло ! Ягг 1! Н о- 'л5 !о яи 16 В и г Р5! гггт яо 26 В 25 лс! яг! (О В с г г5 яс! тг! 15 В от Ез яп —, В,~,— 11»~, 25 'С вЂ” 5 В,!~ =-100 мЛ, 25 аС 100 С 100 "(: — 40 '( Пр адолмсекие Гр) пппб треопнеторои Ребич нееереинн Параметры апач~ нп ~ КТ502Г.
г КТ502л, ь Ооьр = !.~ = 10 мА, т„ 1~ ~ ~!00 7.» = 1О мА, тн 100 1-> — — 10 мЛ, т„ Ц = 100 31) 210 1~ к эО ~ р» 2;„ кт502в, г =30 мкс, КТ502Д = ЗО мкс; ~„„МГц Ь'к-) пи,, В ~~дэ 1-'кь ирна» ~/~;а = — 5 В, 1э =3 мА !к =10 мЛ; !ь — 1 мЛ Ук =1О мЛ, )к =1 мА Ук — 1 мкА 7к, — 1 мкА )к =1 мкА як=1 А УК0 = — 10 Б, ) = 500 КГц 40 60 ЗО 90 ~~ 50 С„ нФ 0э~ = — 0,5 В; ~ = 500 кгц ационыые данные — 40 С =. О„,„р ~ 100 'С вЂ” 10 "С -.:= 1)„,,„:=- 100 '"С С ~~ Оакр «~ 100 — 40 С ~ ))„„„~ 100 'С вЂ” 40 'С = 1)„„-:- ИВ 'С 41) — 60 — 60 — 40 — 60 — ЬО ')О ~!1 па н,п — 40'С.= О,„р < 1ОО'С 1,, МА То тке, нри т„-" 10 мс; ~р> и) — 40 'С ~ О ж.-= 100 С и н„МЛ 100 350' О„:= З5'С !,,, ыВт 150 1! $ ~ н«т.
'с — 40... + 100 11,,,п,п хппп теттперетурм от 35 ко )ОО 'С коь,ность синтиеьтея ~ и ии1~ ио .тииейпон) закон) 171 Предельно допустимые аксплуат КТЯ)2Г КТ502Л... КТ502Е кт5о2л „ КТ502е КТ502А КТ502Е КтябА,в КТ502И,Г КТ502д КТ502Г КТ502А кт502Е КТ502Л... КТ502Е К'1502А,Б КТОРОВ,Г КТ502Л КТ502Е КТ502А.Б КТ5023, Г К'1 502Л КТ502Е КТ502А . КТ502Е КТ502л КТ502Е К15ОЗА К ) г))РЕ КТ502А КТ502Г КТ502А., КТ502Е КТ502А КТ502Е КТ502А .. КТ502Е ~кэ н~с, ~и нас в Я Н,Б Н,Ч дЯ Р Ф йЮ Юд Ю 'Ю Го П Ф Х,и4 9 КТБОЗА, КТ503Б, КТ503В, КТ503Г, КТ503Д, КТ503Е Кремниевые эпитакснально-планар~ые универсальные транзисторы а-р-р.
Предназначены для работы в ключевых каскадах у~ илитслсй низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях и других узлах радиоэлектронной аппаратуры широкого применения Выпускаются ь пластмассовом корпусе с гибкими выводами (рнс 5,2, 6). Преде ~КЭ е:ах циоииые данные КТ503А Б КТ503В, Г кт5озд кт5озе Кт503А, Б кт503в,г КТ5озд КТ503е Ктьозл .. КТ503Е Кт50ЗА . Кт5озе Кт503А .
Кт5озе Кт5озА .. КТ5ОЗ Е Кт503А... Кт503е Кт5озл Кт5озе КТ5ОЗА... Кт50зе льно допустимые эксплуата — 40 'С ~ Е, „~ 100 'С вЂ” 4О С =Е,р 1ОО'С вЂ” 4О 'С = В „, < 1ОО 'С вЂ” 4О'С Е „„< 1ОО'С вЂ” 40 'С «~ Е,„р ~ 100 'С вЂ” 4О С~Е.„,.-=1ОО С --40.С --, О„„, =; 1ОО 'С 25 40 60 Зо 40 60 80 100 5 1:)ь юа11 — 40 С О у~«100 С 1к ~я~ ° зоо То же, при тн ~ 10 мс; дР:1Π— 40 'С "=" Ое,у -.с ' 1ОО 'С ~ко~ ат, а,,„, МА 1'„,н, „мвт 350' 1 к ~ ' а ~обок С 150 4О„.+ 1ОО Пан температуре от За до 100'С мощаоеть еннжаетен по лннейно~ у закону до ! БО мВт. Г', ', ВИТИ 6 1 ВШ ~ИМПйИЦ ~ии ипи~ ~ь~~~1 6!ЙИ 1 р„, й1й~и~~ пйИЙЙИИЮ! с Ф В ° 11 ° ° ЖИТЬ =,! Ф 4е, ~Й ИИ 1 1 ! 1' 4 1!'- ю с ~~у$ЯЯ~ффф И3, 'ИП Ф~Ю рруд $ Щ 1 КТ602А, КТ602Б, КТ602В, КТ602Г Крсмнисвые мсза диффузионные транзисторы а-р-и, выполненные по ила парной технологии. Предназначены для работы и схемах генерирования и ~силения сигналов.
Выпуска.отся в четаллостеклянном корпусе с гибкими выводами (рис. 5.3, б). ПРодаЛжЕИиЕ Рн ь ~к птмсрснця Ктьона !' ар 1мстпи !( ! иа5 кт!'ам ктееаг Пред (1,. лат. ь!А к г ° В 75 100 100 50 120 5 50 120 5 КЬ п~ас с''ьБ да~~ 085' 2,8' 150 0 85! 2,8' 150 0,85' 2,8~ 150 0,85' 8Я 150 45 120 45 120 — 40...-(- 85 ' (! рн тем шрнтурс оьружпеп1сй среды свыше й0 'С доптстпмпп мощность (Вт! опре пспнетсп по Формуле тс!( па~((50 — 9отп)/(50 "' !!рм температуре корпусе свыше 20 "С лопустнмвя мощность (Вг) определяется по формуле Рк и:„т т = (! 50 — 0...п1/ !5. ХБ, м4 Оо 1,0 Я,О 088,В д г (1(/ 4~(8,О Ло ~0 Р.„б 177 бИ7Х~ ть т, Вт /ттпср окр, ' С/чВт Р пер-кор и е ' ~ер шах~ <~„, , с ельио допустимые экеилуатаиио!ии!е даииь!е К~Б = 1 кОм; 0пер и-.
70 С 0пср — ! 20 Оп,, - 70'С вЂ” 40 'С ~ 0п„-, 120 В„р =20'С КТ603Л, КТ6035, КГ60ЗЯ, КТ00ЗГ, КТ60ЗД, КИОЗК Кремниевые эпитакснально планарпые транзисторы ~-р-п, Предназначены для работы в усилителях, высокочастотных генераторах и переключакнци> устройствах радиоэлектронной аппаратуры, Выпускаются в металлостекляннэм корпусе с гнбкпьи выводами (рис. 5,3, а) . Пар метры 1 Ь.2, КБО' 1 „, нс Прсдельпо допустпчые эксплта таппопиые 10 151 зо ланиые 15 7 е! 15 нта т~ ~КЭК г ах' 10 5! 10 1~ив ~К. птах' з з ЮО 300 боо боо 20о» ~Е - 50еС ~пер-окр' о„„.„с о,„,, с ' И ииаиааоие теи~еРатУР от 7О до ь20'С иапРЯжеиии Гни,„и акти „еиикаотеи иа !О',~~ на каждые И'С т В дн~иазоие температур от БО Ио 85 'С иощиоеть еиижаетеч на ОЛ Вт на каждые !О 'С, 1ЭБР, ЯКА ~КЭ иае' ~БЭ С„ пФ С,", ПФ ик, пс — 40 "С- Ни "= 70 С Е = 120 "Саь р пер - и с == е,„р = 70 с, 'т ь= 1 ко'" 'кЭБ = =1 к0м — 40'С - Е„, ~ 120'С з 300 600 0,5 0,12-' 2ОО 120 05 0,122 200 120 — 40 КТ604Л, КТ604Б, КТ604АМ, КТб04БМ, КТ605Л, КТ605Б, КТ605АМ, КГ605БМ Крем $$$$с$$ыс ме $3 "$$ланярные транзисторы л ~? и.
! [ре~$$$'$ $$$,!'$!'!!!а! ~!1!я ис$$$! ч$~30$$$$$$$$я В $$$!ера$$и$$$$$$ых ус$$$$ите !$$х $$$$Ли$ус$$$$$$1е !!!~, $! !ир;$$! рлх р ! $ие$$$ок усгрпиств и$$дикаиии, !$$$еОбр:$ «($$!'$ $с. !их $$ $$105$ж~'!!!!и, $$$1$х$$~$$$$ $х ьс$се,]дах ус$$л$$Гслс Й и д$р~! их $с !ро$к ! мах !ниро!-.ого применения В$ $пус!'а!отея в метал.'!с!с!си,$яи$$оч $КТ604А, Б и ЕТ605А, Б) и п.$астмассовом $,КТ604АМ, БМ и КТ605ЛМ, БМ) корпусах (р$$с.
53, а, г, к). Продолжение КТ5045 ~ КТ605А кт~р4БИ ктьртАм Кт5044 К') 004ЛМ КТ5055 К1'005554 Режим измерения Параметры )~атаЦИО 250 ННЫ0 даа)ЫЕ 250 250 125 125 ~)КВ пах. В Оок, 100'С О„„„= 150.С Оок р — 25 Зоо ЗОН 150 +100 При тсмпсротурс окружающей срспм от 05 до !00'С допустимая мощность (Вг) опрс дслвстсн по формуле РК тп„— — ()50 — Оркр)/)50 з 1)ри температуре корпуса свыше 05'( папуа~имей мощность (Вт) аьредеинекн по фармрте РК „„., „= !!50 — 0р„с)/40 а Импульсный так коппектора Р ~БЬ)~ ® "~~~ ~"~) ~КЗ ~ 180 11Редельно К-)Р. а~й~, з) .
а- 100 К~В = = 150 гэ.„= Оокр = ~~35 тал 1К тат, М)ь зК тах: тзК тахт Вт Фпср ок о С/Вт )~пер ьор С/В" Оокр ДОПуСТВМЫС ЭКСП 1 кОм О р о~- 1 КО ар О р о~ 100 С 150 "С зоо 150 5 2.5 200 О,а' з' )г О 40 150 ЗОО 150 5 2,5 2оо 0,8' 32 15О 40 150 — 26 ЗОО 150 5 2,5 2С,ОЗ О,4' зоо 150 5 2.5 2ООЗ 0,4' КТ606А, КТ6065 Кремниевые эиитаксиальио илаиариые транлнсторы /т р /т Предназначены для рабо!ы в мминв!х автоггнграторах, ~енераторах с внггнннм вочб~жденнгм, умножитслях частоты СВЧ диана~она и др~гих устройствах широкого применении. Выпускаютсн в металлоксрамическом корпусе с изолированными ОГ зло!»птса жесткими выводами с монтахкиыы Винтом / ~ 1~ Прелельио ло данные к ~к /»/и».
!/ ки»»/»1~» !/ !/ /и , 8 /к,» /»», мА /»/,„. МА ,...„„мА пустимме эксплтатационные :="!00 Ом, О„,, = 120 "С .. !2!) С ~ 120 'С =„!20 'С ~ !20 "С =. 120 С /~за ».!»/»р 0„,:~ Од и» !!»В»/) о„, 60' 60' ф !00 в!!о !00 60 60 / 4 4оо Яоо 100 д~ п~~«пьн«н внковпр вннш нив нвнрн «ьнн~ тр Й Н ~«в. в«ча в«ан р; жпнс Прп тенпп рви р««орп~ пэ пт.тнчпв ыпШ«ыть ~Ь|) рн~счнтьив~кп по форнг|в от 40 дп В5 "С ннн|ншьшнп до- ~К «а~ = ( ~~ «"рИ'14 д дкБ=Рб Э ° ггА Ю А иА 6 Р ~Р ~ц1~ 4~ 4,7 ~БЬ~ Ьь~ -4» 4 мА х1 Хх КТ608Л, КТ608Б Кремниевые эпитакснально планарные переключательные транзисторы гг р гг Предназначены длн работы в быстродействующих импульсных и высокочастотных устройствах. Выпускаются в металлостекляпном корпусе с гибкими выводами (рис 53, гг) ;таоав П ~ра 1стр 0 350 а !60 1' ).! сп ~10 ==!О !о -.- 50 !20 Предельно допустимые экс))дуатационнце 1/ КБ 0,<70 С ))пи ~1 пп< р а~)п сп рт ~ ~ пп «, ~ а ~ 1 ~ ' ~ ап ))~ ! и ~п.пи ~ и и ~> .!пав~ ~пи ~и ила!иас-ь )!.
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
