semicond4 (1055334), страница 3
Текст из файла (страница 3)
), р~ и ч па фюзи и !'К .. и) ' ) (К вЂ” и, )Я~)4) Хк1 МА 1каО, мкЛ ~ )50. мк4 ),, пФ С„пФ !)„с. ~!с 1 кэ иас 'В~ иис С)кэ и>„. В Ь.) сии~~ 1/нн и та~, В !~К~ и та~ В l), .аа„МА 1к и и!ат, мд Рк „„, Вт ) !< апач* !),„,, С п1р Оп,„~~70 С О„, р - 70 и(, ти — — 10 ИКС, )'! ~2 О„,р = 70 ( ти ~: 10 мкс„1;) -'.2 Оакр ~ 85 С т„.-": 20 мкс, 9 = 10 О.„=- 25 'С 0„„„= 65 и( данные ю 60 4 80 811 41й аоо 05' 0,12' — 40 00 50 4 80 аО 400 ЗОО 0,5' О, 12! +85 мА ЛЮ %6 ЛИ _#_О ФИ ХП Ч0 я Яд 10 КТ610А, КТб10Б Кремниевые эпитаксиально-планарные сверхвысоко- частотные усилительные транзисторы и-р-и. Предназначены для рабаты в усилигелях напри кения и монц~ости. Выпускаются в металлокерамнпеском корпусе с гибкими полосковыми выводами (рис. 53, в).
11РОдоЛженде Режим измерения Пэртнгтры КТС! ЭБ КТС1О'т Предельно допустимые экеплуз гзциониыс данпые — 45 'С = йииг -Я 85 '1. То жс. при Рьэ = 100 Ом — ~~ 8о,ср ~~ 8о — 45 С = Оа,р ~ 85'С ! При таетиченни теииературы от 5Е до 55'С мошиастн сиижаетея по линейному закон~ .те 1 ит 7к, яИ .700 Хь мА .70 7,, л~А Ид 0 -ф-00-ф~ Цн,д д,'Ч 05 0, м4 пЮ Юд и 0Х ~ 1,ИК„Ю и ЩЛВХк,иА д Яд 200 1к, иА ~85 гс ~иь ° а, В К )Я н1а т» Г '~ь ~лат, В ~К гна~ ~ К таам ВТ ОГ «~чср н:ат~ и.„, 'С д г Ч 5 д ~а~Ы„„Ь ~~р ~1 Р1 ац ~гц 00 дд дг 0,9 0,2 дд ~ьз о и4 Я~д Ю дд Бд 90 Рд 26 26 ЗОО У 51 И0 — 45.
26 26 ЗОВ 1,5' 150 +85 КТ611Л, КТ6115, КТ611В, КЧТ~11Г ЕРЕ1ИИЕВЫЕ ПЛаН;гРН»1Е «РаПЗИСТОРЬ1 Г1-Р-Г1 ПРЕДИЛЧ1:а 1СИЬг ЛЛЯ УСИЛЕПИ11 И 1Е11СРИРОВаИИЛ З.1ЕКГРИг1ССКИХ КОЛЕОПИЦй В диагг!г13011с ВысОкг1х чзстсгг Ра,Чин.глгг. 1гл 1)01111Ои ОппаритУ1)ы 0111ро О1О 11римеисиия Вы11~скаютси В мсти 1 1Ос1еклипиО'гг ЕО1111чсс с 1 ибе1','Лги БывгО- чачи (р11с. 5.3, 6). ни~. Д111гггыс РК,г„, „Вт Йпгр 1 ° Сг ~Т Я р р С/11 11„,р „,„. иС О,г г,р.
11р еде ~1КЬ "а» В ~гКЭй гггаг. Б ~гБЭ игаг ° ~к игах. Рг, гиг, г ° льно допустичыс эксплуатацион О„,„- К10'С ЯО1, «-„1 к0~1 О„,. ==100 С вЂ” 25 "С -. О, .= 100 "С 0„,1, =!00 "С »„„— 100 "(: 200 1В0 3 100 О,й 0.33 Э 12г 150 4 1.1 150 180 150 3 ! Г10 0,8 03 ! г „ 11) 1 50 + 100 К Г616Л, КТб 1 6Б Кремниевые эпитаксиал(*но-п.)анарные трапэнс)ори и-р-гг Прсдназна тены для работы в псрсклк)1)акиди угтройгтвах рггдиоэлскгрониой а(10 ратуры широкого прнменепич.
Вы(гускаготся в метадлостсклянном корпусе с гибкими вывода м и 1, р и с. 5,3, м.) Преде.'(лно лкз11устг(ззые экснлуатагггюннлгр чвннлгр 11рн к везнненнн ~ек ксгззт)рь| от 25 ло 85 С моккквость снкжвегсн но аннкйнону закону ло 1ээ в! Параметры Г,. „,н„„В г.( во а ) кэ)г,а„В /гк н ик, мА ~1к н оок1 ° к (к н'а~ Юн,р, „„, "С/()1 ()„ср „,,„„, "С О,,о, С й г ! гл гэ! ггкЛО, мкА Ь к1, мкА мкЛ 11Ф вЂ” 40 С~0,„р — 46'С~ 0„„„ То же, при Д) — 40 С ~~ 0оьр 1 О Нке, 11(1И Хн 4() '(.
()„ь(, 8.] С ~~ 86 'С ;=10 КОМ '<85 С = 80 пс, (,) .~ ) 0 26 (' 20 4 20 400 600 0 )1 2Ы) )60 — 40 20 20 400 600 0,3' 260 160 Кто)т~ ктн)яА Р~гнгг г ггзиереннн Пгг ггегры С., пФ тк, пс УК г гг1с, В Г~Б=О, /=2 МГг 5 В 5 н Р, /к =- ) 50 1А. Уь -= ) 5 мЛ 51) =.. г2/) ."-' О 7 Предельно лоп~стимьгс эьсплуатационпые Г/КБ ггга1, В 0.р-. 85'С УК:-)Н ага, Б ))пир ~ 85 С ЙЗЬ = )О КОЧ РЭБ гггаг, В Оанр ~ 65 С /К гнпх, мЛ Ггп р ~.85'С !Кн аг, МА тгг=ы) г!С.
0=)3 РК аии. Бт Онер ==25 "С Югер пир, С/ВГ Опер, С оонр, ~С ' Прн Ггьн= 40 В /~= 1 м') г При Гг Нн — 40 В, /Н= 2О иА з Пни Онь 5В Г! ри Ггкь = 4О /) н При /~:ц;= 1 ком КТ6335 КРЕМ ННЕВЫй ЬиптаКСИаЛЬНО-/1ЛЗНаР)пг)й ПЕРЕКг)ЮЧательный трсгнзистор н р н 1$ре/1))азначеь для рабогы в высоко- ЧаСтОтИЫХ И ИМНУПЬС))ЫК УСтРЭИСтнаг4 РаДИОЭЛЕКтРОННОй аппаратуры Йынускастся в мета./)лоо)сьев)чнном корпусе с гибкими выводами (рнс 5 3, е) дОП~ Стн ~)ЫЕ ЗКСПЛуата КИОНг)ЫЕ да ИНЫŠ— 45': ~ — 45': .
То же, л)ги ))„„,, „-=-85'с' ;„= )1) миг.. д .-, 50 об ог" Прем1гн)о анна,., В )Б а;;1 /Кл„„, .А а~ ~ "ЧЛ Рь, „„„, мВт данные ЗО З00 20 250> 4 5 400 ! 00 600 ОЗ 05 ЩО г50 )50 — 40 +а5 ЗО 4,5 200 500 ЗОО ' В китерозтс тсыосратур о- 25 до 85'С ыюцысть (Вт) рассчнтываетса оо форму ~е ~ К,о, = (~5О 1,.кр)УЗ)т" КТ63ОБ Кремниевый эпитаксиальпо-плана рный транзистор и-р-и. Предназначен для работы в импульсных н высокочастотных узлах электроинОЙ аппаратуры п)ирокого применения.
Выпускается в металлостекляином корпусе с гибкими выводами (рис. 53, е), Н иитсрваае теыоера~ур окр) кающей среды от 25 до 85'С ыощкость (Вт) рассчиты и и тса оо форыуос РК о» = (! 20 — е„к„),'(ВЕ Н иитервате тсыоеротур корпуса от 25 во 85'С мо.цоость (Вт) расскитыоастск оо Ф ч» в ~е Рк,ао, — — () 2Π— екср) Л8 Предельно кк ~иас1 тв аалз 1 ' кэ,и,„В ~к, киот~ (Х и оыхэ ) К оюс1 (~Ь т таоба. Вт стр Моха (), „'С допустимые з) сплуатлииоиные — 45 'С ~ 0о,р ~ 85 ( То же, при А'ВВ =0 — 45 С==:-покр ~~85'»- То же, при („~ ) 0 мхс, Я "-- 50 — 45 'С -'-.
"О „р ~ 25 '»" — 45'С -"-6иор ~ 25'С данные 60 5 6() 1 !,2 0,5' (,5' 120 — 45 +85 КТ639А, КТ639В, КТ639В, КТ639Г, КТ639Д Кремниевые высоковольтные зиигаксиал ио планарпые транзисторы р-л р 11редназначсиы для работы и выходных каскадах КВ и УКВ аппаратуры, в выходных каскадах усилпгслей низкой частоты, мощных электронных ключах, преобразователях иапряжеиия и других узлах радпозлектроииой аппаратуры Выпускаются в пластмассовом корпусе ~ 1ибкичи выводами (рис 5 3, к). Пределы ~кеплудтэциОиньи го дон ус гамме ~20 '~; 60 ~- кэ шах~ В 0Омр КТ644А, КТ6446, КТ644В, КТ644Г Кремниевые высоковольгные эпнтаксиально-пла.
парные транзисторы р-а-р. Предназначены для работы в выходных квскадах КВ и УКВ аппаратуры, в выходных каскадах усилителей низкой частоты, мощных электронных ключах, преобразователях напряжения, Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами 1рис. 5 3, к), 191 иэв „,.„В ~к„...,А 1к в мах~ ~Ь балх.
Рк ~„, Вт оГ Опер ~ ах 0омр 0омр 0омр 0оьр ~ 20.С .=20 С ~20 С - 20.С вЂ” 5 1,5 2 0,2 1 150 данные — 45 =60 — 5 1,5 2 0,2 1 150 — 5 1,5 2 0,2 1 150 Продолжение рвнай к>( 4ФГ экс(!а~атас(!сонные д спнс (е КТ645А, КТ645Б Кремниевые эпитакснально-планариые транзисторы а-Р-а. Предпзначены для работы в быстродействующих и)ипульсных устройствах, преобразователях электрических колебаний высокой частоты, генераторах, различных усилитслях и стабнл нзат орах на )!рижен ни. Выпускаются в пластмассовом корпусе с Гибкими выводами (рис. 5 3, л). Предельно допустимые эксплуатационные В исстсрзата тесвасраткр ат 25 да ()а 'С мащссс>кть (Нс) рв»..чвсыввсс.сс ва с)>ар>вт.>е М >ввк = с! "Š— е;кв)!2ас! Пред к-'КЭ а с» с->ЭЬ асак> >К саас> ~к „,а., А >6 стсах Рк,„„, Вт В„„..„.С УКВ аа„, В с ~КЭГс саак УЭБ ак В ~К,аа„МЛ >К в с»ак РК,„„„Бт Опвр асс.к> С ООЕр> тьно да()уетимыс ! ),- 0 >, О„„р ~ 20'С.
20 оС 0 „р ~20'С О„„р с- 20'С вЂ” 45 "С ~~ Оас,р в- 85 'С То )ке, прн йвэ = 1 кОм — 45 С ~ ()„, ~ 85 'С вЂ” 45 С -"Оакр 85 С То,ке, !три та 1О»ске, (,):-: 5 - 00 — 5 0,8 1 0,2 150 данные 60 50 4 ЗОО 600 0,5' 150 — 45 — 60 г — д 0,6 1 0,2 1 150 40 40 4 ЗОО ЬОО 150 +85 КТ646Л, КТ646Б Кремпневые эпитаксиальио-плаварные транзисторы п р и 11редназначены для работы в быстродействуюших импульсныс ~< ) ронстпах переключения токов до 1,2 Л 1КТ646Л), генера1 р)х, различных усилителях и стабилизаторах напряжения ~ Е 16466) Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами 1Рнс 53, к) 1,2 150 150 — 45 +85 н,,„'С "'С 1~и» гЕЫВЕраттрс а~ 14 .СВ М5'С.
ИВМВаСта (Вт) раССЧИТЫВаЕтая Пв фсрч)ЧЕ ЕК,,а~ = ~ "' — ~игр) /)~г~ П реле. 1~ив е и~ иц, В 1'К чн и~и~ В )и и~,, В 1' "Ь в тхаг, и А Р'~ „„„Вт ~ ° и «а11 В! ! ьно допустимые эксплуатационные 1о же нрн йн = 1 кОм -45 'С -„1),,р = 85 "С То ке, прн т„" 10 мкс, с) 5 Тоже,трпт,=10мкс, Я~5 — 45 "С: 0„,„: 25 "С !к =- 10 м ко, О -Ф 5 данные 60 50 50 4 5 1 1,2 40 40 40 4 5 1 1 'э 1! 6. БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ БОЛЬШОЙ МОЩНОСТИ б.1.
Биполярные транзисторы большой мощности ннзной частоты Ннанн нонне выводов, внешннн вид н основные раз~и рн~ ~орн~сов бннолнрнй~ транзисторов больн~он ~1о~~нос~и нн ~кой насто1ы нриведены на рис. 6! Р'н 6 У Ь~иполирныс транзисторы большой молности ииз. 11~1Н н,н 1$)11$! ГТ701А Гсрчаниевый снлавнон тра!!лис!ор р-и-р Г1ред!!!!- значен для работы в системах зажи! а!гия двигателей внутрен него сгорания, а также для использования в од!!отактных и двухтактнл~х преобразователях напряжения, Особенностью транзистора является возможность работы в условиях импульсных перегрузок по напряжеии!о и мощности. Бып~ скзстся в мста !!лостсклянном кор!!усе с ! !!Г)к!!л!!! !!ы водами (рис. б 1, а) Прсде.!!лно допустичыс зксплуатационные да!!!!ые ь!вэ от, В ЕуКэ н!ат 1~Втэ в.и!ал ° пГ о~ "Г.', ив ъ О,!"! В; и =.
~ !мс, СС 1)зссь!с!л!!!с!!!!!р! !!Р!! !1„л„в- 7О с~ При гсииервтуре норпусв свыше 25 '4 яопустич~в чоп!ность !Вт) рвсссиввсл!ия ьоц илнтаром, опрсдсоястся па формуле Р!с,н~~ = !В5 — Он~р)г !,2. ~Ъэ Гт7ИИ Я Р' =М 10 И Ы Иааоко;~ 2 ~ Б Ы 1'джаз,4 ук „„„, А ~В спал Рк „„,, Вт слвср н~т~ ~" /Вт с~ Ов~ р еыл л Е„„р, С Ф.мюкС *57 .И Яд Ю д -И-Л Л О„„.=-.
7О Оолр ~ 70 О 1Э лр . > В рсж!!мр Онор = 2'3 Фдд Здд йИ 700 Бд 8!свр 12 ! Г)!! 5!!' 1,2 35 г +7О ГТ703Л, ГТ7ОЗЬ, ГТ?ОЗВ, ГТ7ОЗГ, ГТ7ОЗД Гермаииеяые сплавные транзисторы р-и-р. Прсйпи ~па нчъ~ для работы в выходных каскадан усилителей низкой ~лстот ~ ралиоаппарат~ры ~приемников, телевизоров, мапиитофоиов и т.
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
