Лекции9 (1055169), страница 2
Текст из файла (страница 2)
Такимобразом, ~99% дырок не успевают рекомбинироватьсэлектронами в базе и втягиваются в коллектор. Происходитэкстракция дырок из базы в коллектор, т.е. возникаетколлекторный ток IК.Такимобразом,токэмиттераIэявляетсяуправляющим током, а ток коллектора IК - управляемым.Ток базы представляет собой Iб = IЭ - IК и возникает за счетрекомбинации дырок и электронов.Токи в транзистореМногиефизическиепроцессывтранзистореаналогичны процессам в полупроводниковом диоде:инжекция неосновных носителей в базу, экстракция из базы,изменение потенциального барьера p-n - переходов и т.д.Отличием транзистора является взаимосвязь p-nпереходов, т.е.
изменение тока в эмиттерном переходе Iэ влияетна изменение тока в коллекторном переходе Iк.На основании закона Кирхгофа: Iэ = Iк +Iб.Ток эмиттера. Iэ= Iэр +Iэn +Iэr , где Iэр,Iэn - токиинжекции дырок из эмиттера в базу и электронов - из базы вэмиттер; Iэr - ток рекомбинации дырок в эмиттерном переходе.Т.к.
ррэ>>nnб, то Iэр>>Iэn. При рабочих напряжениях втранзисторе Iэр>>Iэr. Таким образом Iэ Iэр.Ток коллектора. Ik = Ikp + Iобр., где Ikp - токэкстракции дырок из базы в коллектор; Iобр. - обратный ток вколлекторном переходе.Ток Iобр.= I0+Ig+Iy (по аналогии с обратным током вполупроводниковом диоде).Длякремниевыхтранзисторов Ig >>I0>>Iy.Таким образом Ik = Ikp + Ikg, где Ikg - ток генерацииносителей заряда в коллекторном переходе.Коэффициент передачи тока эмиттера Ток коллектора Ik можно записать: Ik = Ikp + Iобр.= Iэ+ Iобр., где - коэффициент передачи тока эмиттера.
Такимобразом: = (Ik - Iобр.)/ Iэ. Обычно 0,950,99.Коэффициент передачи тока базы = /(1- ). Поскольку 0,950,99, то 20100..
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
