Майсел Л. - Справочник - Технология тонких плёнок (1051257), страница 178
Текст из файла (страница 178)
Так как часть ультрафиолетового излучения достигает поверхности подложки, это значит покрытие нефоточувствнтельно (152]. Глубина резкости около 25 мкм, т. е. больше чем в оптических установках; разрешение линий 2 мкм н выше. В заключение следует отметить, что экспонирование резнстов электронами имеет определенпые преимушества, как.то: высоное разрешение, довольна высокую скорость линейного перемещения луча, до 12,7 м с-';147) и возможность перемещения луча по программе. Однако существует н целый ряд недостатков, как-то: высокая стоимость оборудования, сложность управления электронным лучом, дополнительные затраты времени нз-за того, что установки связаны с вакуумными системами, продолжительное время экспонировании, присущее всем методам изготовления рисунка электронным лучом, и, наконец, трудности, связанные с совмещением рисунка.
Экономически этот метод эффективен нз-за малого выхода нз строя приборов, применения приборов малых размеров и отсутствия контакта с фотошаблоном. Так же, как н в случае проекционных методов, имеются тонкопленочные материалы, химические свойства которых при экспонировании электронами изменяются и которые могут быть подвергнуты травлению без применения резистав. Один из таких примеров приводят О'Кнфн и Хенди (155], которые бомбардировалн термически выращенные пленки ЗЮз толщиной от 5000 до 1О 000 А электронами с энергией 1О кВ.
Такая обработка изменяет структуру окисла настолько сильно, что в 3 — 4 раза увеличивается скорость травления (П-травятель, равд. ЗГ, 12Ц. Прн последующем травлении образуются рисунки в пленке 3!Оз с уменьшенной толщиной пленки, закрывающей неэкспонированные участки. Таким способом в пленках 3!Оз вытравливались окна размерамн 0,5 и 5мкм (155]. Примером гого, как обработка электронным лучом приводит к образованию химических реакций, может служить обработка электронами подложнн из окиси алюминия, покрытой порошком углерода. Как указывает Шварц (156], при столкновении электронов с поверхностью порошка ему передается энергия, которой достаточно, чтобы восстановить окись алюминия с образовакием улетучивающейся СОь Таким образом, вдоль путе прохода электронного луча образуется рисунок линий проводящих дорожек из алюминия.
Применение этих методов ограничено узким кругом материалов пленок и подложек. СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ 1, ОеЕапо, Е В, зг., (1.5. Оочегпшеп( Соп1гас1 (чОЬзг 77508, Р1па! Бппппагу Кер!., р. 73, 1961. 2 51нгхшап, О. )1., Ргос. 36 Апп, М1сгое1ес1гоп!сз Зушр., 1964, р. 11-О-1, 56 Еоп)з 1ЕЕЕ. 3. даЧпез, Е. апб 3. Бсйш!61, Модегп Р)азбсз, 38(4), !09 (1960). 646 Гл. 7. Формирование рисунков н ввнннн ннемнан 4. Ееввэт, А. Е., й.
Е. Тйпп апн 1 1. Ма(ьзе(, 1ЕЕЕ Врес!гииг, 1(4), 72 (УЭ64). 5. Н а ч Ь с ь, Р. 1,, О. ТР. В о и е п аид Б. Н. М в 10 е г-!. е е з, М!его. е!есЫюин йе8еЬЙ17„4, 65 .(!965). б. Рис Ьв, 44. ион К. Н еь не, 34(сэогп!вна(иг!ааИои, 5, 335 (1966). 7. )4иии, Р. А. виб Ю, Б. СатпрЪе!1, 3, Бс1, 1ив!г., 40, 337 (1963). 8. Кс!в1ег. Р.
Е й. Э. Еп8г(и'1ь1 аиб Л. Н. Но((еу. 1ЕЕЕ Тгапь. Соиьрооеьй РН„СР-1! (1), ЗЗ (1964). 9, 81гаиьь, нг'.А., Зг„БОР Бейб Б(або ТесЬпо(.,9 (2),!5 (!966). 16. Отеепбаиве, Н. Ж., й, Т, Оз11а, 87. %. й!сЪат4воп, )Ч. С. ь7е гд а га апЗ Т, Н. У а11ее. -ТЫп Р!!иг Мгсгос!гси!1 1п!ег. сенььеоИанв", Е!па! йсрог(,ЕСОМ-О!482 Г, Тие Веп4!х Согр., ВепЗГа йаФ!о 4)геннои, Ви(4!ньоге, Мд., Ззг (7.5. Асану Е!есьгоиьсв Севпивпд, Рог( Жоптипп!Ь, Н.
3., 1967. П, ТЪип. Я. Е„%. Н, Сагто!1, С. Л. Кгаиь, 3. й!ьегпап апд Е. Б. Ига(4а, !и Е. Кепи)1аа (о4), "44!сгое!ес!гогмсв", р 200:, Жсйтвьг-Нь4( ВиоЬ Соиграиу, )(ем *ьоЖ, !963. 12. Ото 8пт, 1.. У', апб Я, Р. О в и 0 то, 1ВМ ТесЬ. 47(вс1овпте Во(!., 6, 6 (!962). 18. йаа4(е14, М. й, Е. Н. Б(гойегдап4 К, 1 СЬорга„йеи, Бс!.
)нн4г., ЗУ, 1376 (!966). 14. Юе! нгет, Р. К., 1н О. Наев впб й, Е. ТЬ'ип (ебв.), "РЬув)еь о1 ТЬ!п РЛгав", то). К р, 178, АсаЗеиь!с Ргезв 1пс„Неги Тогй 1964. 15. А серрега о( Игйа Ййп смси!4 ЗвройИоа !ЬгоийЬ ньайга М 8!иеп Ьь йе1. !1, Ф. 123. 16.
ОтвЗот,4..ху,, 1ВМ $,4(ев. Т)ече!оР., 12, 149 (1966) 17. Оге8от. З.. У. ан4 Н, (.. МсОгее, 'Ргос. 5ГЬ )п1егп, Е)ег(гои Веатп Бронь 48Щ р. 211, АИоу4 Е!ес(гоп!св Согр,, Воь)оп, Мазь. 18, Отеног, 4, Ч., Н. !.. Мс Огне аиб Е 1 Кеми у, Е)ес(тосЬезг!са! Бос)ге)у Мессий, Мау, 1988, Вов1ои, Мввв, Еие!ес!г!сз ап4 1иви!зИоп О!и!ь!оп АЪь(гас1 25. !9. С заме! 1, Н.
1., ап4 Т. Вм4о, Бейб-БЖе Е!ес1гоа, Щ, 479 (!965) 20. С а ваге(1, Н. Ь., 1.. Хг. Оге8ог зпд Н. 1 МсОтее, У.Б. Ра1еп( 8, 392, 051, !988. 21. А гп е в', !., Е Ч. О г е 8 о г, А. 1. е ! и е г вп0 А. Т о х е'и, 1ЕБ. Ра1еп1 3, 239, 374, 1966. 22. С з ь 1 г и с с 1, Р, Р., й. Н, С о ! ! ! п ь аль 1(г. й М а г г ! и в Ь у, йе. рго8гарЫсь, 4, 1! (!966).
23. М а д ! а и г(, О. й., Н. К. О ! с Ь е и, й. О, й ! с Ь а г д ь о п, й. 1, Р г 1 И сйагК Р. Н, В ответ аи4 Э. В. Кге1, "1п1ебга!еб Сггсий Еп8!пеег!п8-Вайс ТесЬпо!обу", 41Ь ед., Воь1ои ТесЬп!са!' РиЫ!вЬегь, !пс., 1966. 24. "Ап 1ЫгобисИои 1о РЬо(о(аЬг!саИоп Ойп8 Ко4а(г РЬо1овеизГИте йе. ь!з4в"., Еазйвап .Ке4а(г Согирапу, йосЬев(ег, Х, У„!966. Списав аиверогурза 96 Оз!арЬоз|сЬ, Р. Ь ти С. й. На.псе (ед.), "Цйта-тикгок!ЫаЫПгайоп Ргесйдоп РЬо1одгарЬу", р. !1, Зас!е1у РЬо(о9гарЬ|с Зс!еи1Ы|в апд Еи9!пеегз„!ис.„%аьЫи61оп, О.
С !963; вьп а!зе ЯеИд 31з|о ТесЬпо1., 12 (7), 63 (!969). 26 Н о 1|Ь а и ь, О. д., Ргос. 2д КодаЬ Зспиааг Ммготитюа|щъаайеп, !966, р. 12. 27. Мер ! е, Т. О„ЗСР бойд З(а|е ТесЬвю!о97, 9 (3)„23 (1966). 28 1 ее|и е, д, Е.. КодаЬ РЬи(огсз!в( Зета|пас Рзос., 1966 ед; во!. 1, р.
бт 29 Ко1огд. Х Я, Р. й. Я|с!сЬ|аид„Ст. А. ЗрагьуиьЬ» апд Е, М. НибасЬ.ег. Ргос. Рай до(п! Соптри!ег Сои$., 1966, р. Й)9, Зраг1ап ВаоЬь, ФаьЫп9!оп, 0 Си ьее а!ьо Я(гкйаид. Р. й. аид В. д, Сгаттймд, ЗЫЫ З|а1е Тес!ню!., 19 (7), 3! (1937) 36. Ре|1ег, А., авд М, О. Адов((па, О!9 Соатри(ет- Огеир Сои!., )ипе, 1963, р. 23, !пь1ИЫе о1 Е1сс|Пса| аид Е!ее!гоп!сь Еп91иеегв, |ис., беат Уогй 31. 31егепв, О. Ф, 'тт'., "М)сгорЬо(о9гарЬу", СЬпртпаи 6 Най, 1Ы., (.о одоп, ! 9о7.
32 'ТесЬЫт(иез о( М!сгорЬо(айгарЬу", раатрЫе( Р-бй Еаз1тпап КодаЬ Со., йасЬез(ех, )(. У„1967. 33, йо|1гпвпи, Н, й., пОрИсь |и М!сгорЬо1одгарЬу", ргевеп!ед в1 |бе 1963 Соп(егеисе о1 |Ье Зосю!у Ы РЬо|оцгарЫс Зс)епИз(в аид Еп9!. пеегз; зее а)то!спаде ТесЬио!о9у, 11 (9),!3 (1969). 33а, А1! тп а п, Л. Н., Зада% Я(а!е ТесЬисд., 12 (7), 34 (1969).
34. В огата а, М. )., Ст. О М |1и е аид А. М. 3 п|11Ь ю С. й. Иа псе (ед.), "()Ига.ти!сгоит!п!а1иг)за1!оп Ргес!ь!оп РЬо1оЯгар1ту", !ь )!, Зос|е1у о1 Р1ю1айгарЫс Яс)еи(!ь!з апд Епбтпеегз, !пс.„(ЧаьЫи6)оп, 0. С., 1963. 36 Не|6, 3., !и С, й. Нв псе (ад.'г, "И(га-ти!стоит(п!а(ив|за|Ми Ргес!ь!оп РЬобтдгарЬу", р. 141, Зос!е(у и1 РЬсдодгарЬк Зс|еп|ю(а апд Еид!пеегэ, !пс., ВтазЬ|и91еп,. О. С., !963. 36. Т!ЬЬе|ь, й. Е., апд ) Я.
%1!сзупвЕ1, 1ВМ д., йез. 0еве1ор., 13, 192 [1969).. 37 0еу, д. апд 3. Нагге!1!и С. й, Напев (ед.)ь "ей|та.пнсгою!п!а1айзайоп Ргес!э!оп РЬо!адгарЬу", р. 161, Зас|е17 е! РЬо(обгарЫс Яс!еи1ЫЫ аид Еп9!пеегз, !пс., |ЧазЫпд1оп, О, С., 1963. 36 Не!дт. 3, то С. й. На псе (ед), 'ттйга-гп!свети!и!а(иг!ав1!еп Ргастьюи РЬсдо9гарЬу", рт 196т Зосте1у е! РЬо!одгарЫс Зстепйа|в аид Еп. 9!пеегз, 1пс,, ВтаьЫп9(оп, О. С., !968.
39. Споре! тпап, Н. Ь. Ы С, й. Напсе (еда,, 'Чеза.иисготп!и!в1иг!ьаИоп Ргесйдоп РЬо(о9гарпу", р. 1, Яос|е|у ор РЬа(ойгарЬ|с Зс|епИз(з апд Еиб|пеегв, рис., %авЫпфоп, П. С., !968, 40 Не|д, 3., Зо!Ы З(а!е ТесЬпо!., 12 (6), 63 (1969). 41. Не)гпегь, Т. С., дг. апд д. й. Ха|1, Веги!сопд: Ргод., 4 (1), 37 (196!). 642 Гл. 7.
Формирование рисунков в тонких пленках 42. В а гнев, й. О., Ргос. 1в1 КодаК Зеив!паг Мкгоги!п1аЫг!га(юп, !965, р, 6. 43. Ве11, Е., Ргос, 2д КддаЬ Бепдпаг М!сгоипп(а1пйза1юп, 1966, р. 15, 44. В ее Ь, й. С, М., Е!ес1гоп!св, 41 (3), 78 (1968). 45. Е)ес1гоп!сз, 40 (22), 48 (1967) .
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
