Сведения о ведущей организации (1024908)
Текст из файла
Сведения о ведущей организацииПолное наименование организацииФедеральное государственное бюджетноеучреждение науки Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наукСокращенное наименование организацииИПТМ РАНМесто нахожденияг. ЧерноголовкаПочтовый адрес142432, Московская обл., Ногинский р-н,Черноголовка, ул.
Академика Осипьяна, д. 6Телефон, адрес электронной почты, сайт(496) 524-40-58general@iptm.ru, http://www.iptm.ruСписок основных публикаций сотрудников университета по теме диссертациив рецензируемых научных изданиях за последние 5 лет1. Пещерова С.М., Якимов Е.Б., Непомнящих А.И, Павлова Л.А., Феклисова О.В. Рекомбинационная активность границ раздела в мультикристаллическом кремнии // Физикаи техника полупроводников. 2015. Т. 49, вып.
6. С.741-745.2. Ершов П.А., Кузнецов С.М., Снигирева И.И., Юнкин В.А., Гойхман А.Ю., Снигирев А.А.Высокоразрешающая рентгеновская дифрактометрия с применением одномерных идвумерных преломляющих линз // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2015. № 6. C. 55-59.3. Lyubomirskiy M.A., Snigireva I.I., Kuznetsov S.М., Yunkin V. A., Snigirev A.A. Hard X-raysingle crystal bi-mirror // Optics Letters. 2015. Vol. 40, Iss. 10. P. 2205-2208.4. Вергелес П.С., Якимов Е.Б. Влияние обратного напряжения на оптические свойстваисходных и облученных электронным пучком в РЭМ светодиодов с множественнымиквантовыми ямами InGaN/GaN // Поверхность.
Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2015. № 9. С. 86-90.5. Irzhak D.V., Knyasev M.A., Punegov V.I., Roshchupkin D.V. X-ray diffraction by phase diffraction gratings // J. Appl. Cryst. 2015. Vol. 48, Iss. 4. P.1159-1164.6. Irzhak D.V., Roshchupkin D.V. X-ray diffraction on the X-cut of a Ca3TaGa3Si2O14 singlecrystal modulated by a surface acoustic wave // J. Appl. Phys. 2014. Vol. 115. P.
244903.7. Карандашев В.К., Лейкин А.Ю., Жерноклеева К.В. Снижение матричного эффекта вИСП-МС за счет оптимизации настроек ионной оптики // Журнал аналитической химии. 2014. Т. 69, № 1. С. 26-34.8. Якимов Е.Б. Характеризация GaN и структур на его основе методами растровой электронной микроскопии // Ученые записки физического факультета Московского университета. 2014. Т. 1, № 2.
С. 50-54.9. Егоров В.К., Егоров Е.В., Афанасьев М.С., Возможности ионо-пучковых методов диагностики планарных структур // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2013. №7. С. 40-49.10. Roshchupkin D.V., Ortega L., Plotitcyna O.A., Erko A.I., Zizak I., Irzhak D.V. X-ray diffractionstudy of surface acoustic waves and pseudo-surface acoustic waves propagation inLa3Ga5.5Ta0.5O14 crystal // J.
Appl. Phys. 2013. Vol. 113. P. 144909.11. Шабельникова Я.Л., Якимов Е.Б. Скорость генерации неравновесных носителей заряда сфокусированным рентгеновским пучком // Поверхность. Рентгеновские,синхротронные и нейтронные исследования. 2013. № 9.
С. 53-56.12. Рау Э.И., Дицман С.А., Зайцев С.В., Лермонтов Н.В., Лукьянов А.Е., Купреенко С.Ю.Анализ формул для расчета основных характеристик отраженных электронов и сравнение с экспериментальными результатами // Известия РАН. Серия физическая. 2013.Т. 77, № 8. С. 1050-1058.13. Вергелес П.С., Шмидт Н.М., Якимов Е.Б. Влияние облучения электронным пучком вРЭМ на катодолюминесценцию и наведенный ток в InGaN/GaN светодиодах с заглубленной активной областью // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования.
2012. № 11. С. 22-26.14. Николайчик В.И., Соболев Б.П., Запорожец М.А., Авилов А.С. Влияние электронногооблучения на фториды щелочно-земельных элементов (CaF2, SrF2 и BaF2) // ИзвестияРАН. Сер. физическая. 2012. Т. 76, № 9. С. 1143-1148.15.
Леонов А.В., Мокрушин А.Д., Омельяновская Н.М. Особенности подвижности электронов в тонком слое кремния в структуре диэлектрик-кремний-диэлектрик // Физика итехника полупроводников. 2012. Т. 46, вып. 4. С. 494-499..
Характеристики
Тип файла PDF
PDF-формат наиболее широко используется для просмотра любого типа файлов на любом устройстве. В него можно сохранить документ, таблицы, презентацию, текст, чертежи, вычисления, графики и всё остальное, что можно показать на экране любого устройства. Именно его лучше всего использовать для печати.
Например, если Вам нужно распечатать чертёж из автокада, Вы сохраните чертёж на флешку, но будет ли автокад в пункте печати? А если будет, то нужная версия с нужными библиотеками? Именно для этого и нужен формат PDF - в нём точно будет показано верно вне зависимости от того, в какой программе создали PDF-файл и есть ли нужная программа для его просмотра.
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
