rpd000007837 (1009343)

Семестр

Трудоем-кость,

час.

Лек-ций,

час.

Практич. занятий,

час.

Лаборат. работ,

час.

СРС,

час.

Экзаменов,

час.

Форма промежуточного контроля

3

144

34

6

28

49

27

Э

Итого

144

34

6

28

49

27

Шишкин Г.Г.

_________________________

Заведующий обеспечивающей кафедрой 408

_________________________

Заведующий выпускающей кафедрой 401

_________________________

Декан выпускающего факультета 4

_________________________

Заведующий выпускающей кафедрой 406

_________________________

N

Шифр

Результат освоения

1

Знает методологию, организацию и проведение исследований, обработку и интерпретацию полученных данных.

N

Шифр

Компетенция

1

ПК-3

Готов учитывать современные тенденции развития электроники, измерительной и вычислительной техники, информационных технологий в своей профессиональной деятельности

2

ПК-19

Способен выполнять математическое моделирование объектов и процессов по типовым методикам, в том числе с использованием стандартных пакетов прикладных программ

3

Владеть методиками и организацией проведения экспериментов и испытаний, а также проведения анализа их результатов

Модуль

Раздел

Лекции

Практич. занятия

Лаборат. работы

СРС

Всего часов

Всего с экзаменами и курсовыми

Электронные приборы

Полупро-водниковые диоды

8

0

8

6

22

144

Биполярные транзисторы (БТ): характеристики, параметры, модели

4

2

4

4

14

Полевые транзисторы (ПТ): характеристики, параметры, модели

4

2

4

3

13

Фотоэлектрические и излучательные приборы

4

0

4

2

10

Основы использования активных приборов в электронике и инфокоммуникационных технологиях

4

0

0

2

6

Приборы вакуумной, газовой и жидкостной электроники

6

2

4

7

19

Квантовые приборы

4

0

4

5

13

Всего

34

6

28

29

97

144

№ п/п

Раздел дисциплины

Объем, часов

Тема лекции

Дидакт. единицы

1

1.2.Полупро-водниковые диоды

2

Электрические переходы.

1

2

1.2.Полупро-водниковые диоды

2

Полупроводниковых диоды на основе невырожденных электрических переходов.

1

3

1.2.Полупро-водниковые диоды

2

Диоды на квантово-размерных эффектах.

1

4

1.2.Полупро-водниковые диоды

2

СВЧ –диоды. Влияние внешних условий на ВАХ и параметры диодов. Модели полупроводниковых диодов.

1

5

1.3.Биполярные транзисторы (БТ): характеристики, параметры, модели

2

Устройство, принцип действия, параметры и характеристики биполярных транзисторов (БТ)

2

6

1.3.Биполярные транзисторы (БТ): характеристики, параметры, модели

2

Модели БТ. Переходные процессы в БТ.. Граничные частоты. Особенности структур и моделей разновидностей БТ.

2

7

1.4.Полевые транзисторы (ПТ): характеристики, параметры, модели

4

Полевые транзисторы (ПТ): устройство, физические процессы, параметры, модели и характеристики

3

8

1.5.Фотоэлектрические и излучательные приборы

4

Приборы оптоэлектроники.

4

9

1.6.Основы использования активных приборов в электронике и инфокоммуникационных технологиях

4

Основы использования активных приборов в электронике и инфокоммуникационных технологиях

5

10

1.7.Приборы вакуумной, газовой и жидкостной электроники

2

Электронные лампы. Электронно-лучевые трубки. Газоразрядные приборы. – Устройство, принципы работы, параметры и характеристик

6

11

1.7.Приборы вакуумной, газовой и жидкостной электроники

2

Электронные приборы СВЧ с динамическим управлением типа «О"

6

12

1.7.Приборы вакуумной, газовой и жидкостной электроники

2

Электронные приборы СВЧ с динамическим управлением типа «М»:

6

13

1.8.Квантовые приборы

2

Физические основы квантового усиления, Особенности физических ппроцессов различных типов лазеров.

7

14

1.8.Квантовые приборы

2

Полупроводниковые наногетеролазеры. Каскадные лазеры. Понятие о квантовых стандартах частоты.

7

Итого:

34

№ п/п

Раздел дисциплины

Объем, часов

Тема практического занятия

Дидакт. единицы

1

1.3.Биполярные транзисторы (БТ): характеристики, параметры, модели

2

Статические характеристики и модели биполярных транзисторов

2

2

1.4.Полевые транзисторы (ПТ): характеристики, параметры, модели

2

Статические характеристики и модели полевых транзисторов

3

3

1.7.Приборы вакуумной, газовой и жидкостной электроники

2

СВЧ приборы с динамическим управлением

6

Итого:

6

№ п/п

Раздел дисциплины

Наименование лабораторной работы

Наименование лаборатории

Объем, часов

Дидакт. единицы

1

1.2.Полупро-водниковые диоды

Изучение характеристик и параметров полупроводниковых диодов

Полупроводниковая электроника

4

1

2

1.2.Полупро-водниковые диоды

Изучение характеристик и параметров полупроводниковых диодов

Полупроводниковая электроника

4

1

3

1.3.Биполярные транзисторы (БТ): характеристики, параметры, модели

Исследование характеристик биполярных транзисторов

Полупроводниковая электроника

4

2

4

1.4.Полевые транзисторы (ПТ): характеристики, параметры, модели

Исследование характеристик полевых транзисторов

Полупроводниковая электроника

4

3

5

1.5.Фотоэлектрические и излучательные приборы

Изучение оптрона или Исследование фотодиодов и фототранзисторов

Квантовая и оптическая электроника

4

4

6

1.7.Приборы вакуумной, газовой и жидкостной электроники

Исследование лампы бегущей волны или Исследование отражательного клистрон

СВЧ - электроника

4

6

7

1.8.Квантовые приборы

Исследование квантового генератора на смеси неона и гелия или Исследование полупроводникового лазера

Квантовая и оптическая электроника

4

7

Итого:

28

№ п/п

Раздел дисциплины

Объем, часов

Наименование типового задания

Итого: